Наведено загальну характеристику систем ортогональних функцій і перетворень, які доцільно використовувати для спектральної обробки (ШПФ, дисперсійні алгоритми, колманівська фільтрація). Розглянуто їх практичну реалізацію з використанням сучасних ВІС пам'яті, однокристалевих процесорів, матричних НВІС та пристроїв функціональної мікроелектроніки.

Досліджено фізичні явища у напівпровідниках і частотні властивості транзистора. Значну увагу приділено напівпровідниковим діодам, частотній залежності коефіцієнта передачі струму, граничним частотам. Визначено особливості маркування та класифікації транзисторів. Проаналізовано деякі особливості виготовлення інтегральних мікросхем.

Рассмотрены основы теории цифровых устройств, а также принципы проектирования комбинационных схем на дешифраторах и мультиплексорах, постоянных запоминающих устройствах и программируемых логических матрицах, цифровых устройств с памятью. Приведены некоторые рекомендации по применению цифровых интегральных микросхем, в частности, особенности применения интегральных микросхем серий транзисторно-транзисторной, эммитерно-связанной логики, а также серий "металл - диэлектрик - полупроводник".

Викладено принципи побудови та характеристики сучасних пристроїв електроніки. Проаналізовано особливості розрахунку основних елементів аналогової та цифрової схемотехніки для систем енергетики та автоматизованих систем керування технологічними процесами. Охарактеризовано параметричні та компенсаційні стабілізатори напруги та струму.

Изложены принципы построения и характеристики современных устройств электроники. Проанализированы особенности расчета основных элементов аналоговой и цифровой схемотехники для систем энергетики и автоматизированных систем управления технологическими процессами. Охарактеризованы параметрические и компенсационные стабилизаторы напряжения и тока.

Розглянуто теоретичні положення та напрями розвитку мікроелектроніки. Наведено характеристику основних типів інтегральних мікросхем (ІМС). Викладено фізичні основи мікроелектроніки, зокрема розглянуто електронну електропровідність, рухливість носіїв заряду, контактні явища у мікроелектронних структурах, ефект Ганна, поверхневі явища у напівпровідниках. Визначено будову, принципи функціонування, технічні параметри та сферу застосування напівпровідникових ІМС. Охарактеризовано гібридні та великі інтегральні мікросхеми. Висвітлено перспективи розвитку сучасних галузей електроніки.

Рассмотрены теоретические положения и направления развития микроэлектроники. Приведена характеристика основных типов интегральных микросхем (ИМС). Изложены физические основы микроэлектроники, в частности рассмотрены электронная электроповодность, движение носителей заряда, контактные явления в микроэлектронных структурах, эффект Ганна, поверхностные явления в полупроводниках. Охарактеризованы строение, принципы функционирования, технические параметры и сфера применения полупроводниковых ИМС. Рассмотрены гибрыдные и большие интегральные микросхемы. Освещены перспективы развития современных отраслей электроники.

Рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах, конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа. Освещены основные области применения активных приборов и интегральных схем.

Розглянуто питання вивчення конструкції, створення та розвитку елементної бази електроніки, що використовується у технологічному обладнанні машинобудівних галузей промисловості. Наведено основні параметри та характеристики електронних приладів на базі напівпровідникових структур, а також схеми оптоелектронних пристроїв.

Розглянуто призначення, будову, функції, технічні характеристики, параметри, властивості, умовні зображення та класифікації твердотілих, вакуумних, газонаповнених дискретних елементів - комутаційних пристроїв, резисторів, конденсаторів, трансформаторів, вакуумних електронних ламп, фотоелектронних вакуумних приладів, напівпровідникових діодів та тиристорів, газорозрядних і негазорозрядних приладів. Показано особливості проектування, розроблено методи конструювання та розрахунку спеціалізованої елементної бази сучасних електронних апаратів, розглянуто приклади застосування запропонованих методик. Наведено опис напівпровідникових, гібридних та оптоелектронних інтегрованих мікросхем та конструкцій акустоелектронних, оптоелектронних, магнітоелектронних, термоелектричних, кріотронних, хемотронних, біоелектронних і молекулярних функційних пристроїв, а також функційних пристроїв із зарядовим зв'язком та на основі ефекту Ганна, визначено їх властивості, особливості будови, функціонування та застосування.

Рассмотрены назначение, строение, функции, технические характеристики, параметры, свойства, условные изображения и классификации твердотелых, вакуумных, газонаполненных дискретных элементов - коммутационных устройств, резисторов, конденсаторов, трансформаторов, вакуумных электронных ламп, фотоэлектронных вакуумных устройств, полупроводниковых диодов и тиристоров, газоразрядных и негазоразрядных устройств. Показаны особенности проектирования, разработаны методы конструирования и расчета специализированной элементной базы современных электронных аппаратов, рассмотрены примеры применения предложенных методик. Приведено описание полупроводниковых, гибридных и оптоэлектронных интегрированных микросхем и конструкций акустоэлектронных, оптоэлектронных, магнитоэлектронных, термоэлектрических, криотронных, хемотронных, биоэлектронных и молекулярных функциональных устройств, а также функциональных устройств с зарядовой связью и на основе эффекта Ганна, показаны их свойства, особенности строения, функционирования и применения.

Висвітлено засади мікросхемотехніки аналогових і цифрових інтегрованих мікросхем, розглянуто комплекс проблем, пов'язаних з розробкою схемних рішень базових каскадів і логічних елементів великих і надвеликих інтегрованих мікросхем. На підставі аналізу принципів функціонування основних каскадів аналогових інтегрованих мікросхем і логічних елементів цифрових мікросхем наведено основні співвідношення для розрахунків їх параметрів. Проаналізовано елементи пам'яті запам'ятовувальних пристроїв, логічні елементи на біополярних транзисторах.

Освещены основы микросхемотехники аналоговых и цифровых интегрированных микросхем, рассмотрен комплекс проблем, связанный с разработкой схемных решений базовых каскадов и логических элементов больших и сверхбольших интегрированных микросхем. С учетом анализа принципов функционирования основных каскадов аналоговых интегрированных микросхем приведены основные соотношения для расчетов их параметров. Проанализированы элементы памяти запоминающих устройств, логические элементы на биополярных транзисторах.

Описаны основные структуры полупроводниковой электроники и диоды на их основе. Приведены общие сведения о биполярных и полевых транзисторах, рассмотрено их устройство, технические характеристики, принцип действия и особенности функционирования в различных режимах. Установлены тенденции развития элементной базы электроники и их воплощение в поколениях электронной аппаратуры. Раскрыта сущность интегральной микросхемы, приведены примеры схемных решений типовых узлов микроэлектронных изделий. Охарактеризованы оптоэлектронные полупроводниковые приборы и компоненты средств отображения информации. Представлены материалы о применении полупроводниковых ключевых приборов в энергетических (силовых) устройствах электроники.

Розглянуто основні етапи розробки технологічних процесів поверхневого монтажу радіоелектронної апаратури (РЕА). Визначено конструктивно-технологічні особливості блоків РЕА з поверхневим монтажем. Наведено методи розрахунку розмірів контактних площадок і трафаретів для різних типів компонентів поверхневого монтажу, а також необхідної кількості припою в з'єднаннях. Розроблено рекомендації з проектування друкованого монтажу. Запропоновано методи нанесення припойної пасти та установки начіпних елементів на друковану плату, розглянуто види та параметри використовуваних паст, наведено характеристику устаткування. Обгрунтовано критерії вибору методів установки та визначено параметри устаткування різної продуктивності. Показано характерні особливості технології пайки поверхневого монтажу. Встановлено вимоги до температурних режимів, наведено різні методи пайки, виявлено найбільш поширені види дефектів, визначено причини їх виникнення та запропоновано способи усунення.

Рассмотрены основные этапы разработки технологических процессов поверхностного монтажа радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Определены конструктивно-технологические особенности блоков РЭА с поверхностным монтажем. Приведены методы расчета размеров контактных площадок и трафаретов для различных типов компонентов поверхностного монтажа, а также необходимого количества припоя в соединениях. Разработаны рекомендации по проектированию печатного монтажа. Предложены методы нанесения припойной пасты и установки нацепных элементов на печатную плату, рассмотрены виды и параметры используемых паст, приведена характеристика оборудования. Обоснованы критерии отбора методов установки и определены параметры оборудования различной продуктивности. Показаны характерные особенности технологии пайки поверхностного монтажа. Установлены требования к температурным режимам, приведены различные методы пайки, выявлены наиболее распространенные виды дефектов, установлены причины их возникновения и предложены способы устранения.

Розглянуто основи арифметичних та логічних основ цифрової техніки, питання синтезу комбінаторних мереж, реалізації елементів та вузлів цифрової техніки (логічних елементів, тригерів, реєстрів, лічильників, перетворювачів кодів, запам'ятовувальних пристроїв, логічних матриць та пристроїв відображення інформації).

Рассмотрены основы арифметических и логических основ цифровой техники, вопросы синтеза комбинаторных сетей, реализации элементов и узлов цифровой техники (логических элементов, триггеров, регистров, счетчиков, преобразователей кодов, запоминающих приборов, логических матриц и приборов отображения информации).

Розглянуто фізичні процеси в пасивних, електровакуумних і напівпровідникових радіокомпонентах. Описано пристрої, схеми вмикання, принципи роботи, статичні характеристики, параметри та області застосування основних їх типів. Розкрито принципи реалізації елементів інтегральних мікросхем, основні поняття про шуми та радіаційну стійкість різних видів радіокомпонентів.

Рассмотрены физические процессы в пассивных, электровакуумных и полупроводниковых радиокомпонентах. Описаны устройства, схемы включения, принципы работы, статические характеристики, параметры и области применения основных их типов. Раскрыты принципы реализации элементов интегральных микросхем, основные понятия о шуме и радиационной устойчивости разных видов радиокомпонентов.

Висвітлено основні поняття та напрями розвитку твердотільної інтегральної електроніки (мікроелектроніки). Розкрито фізичні засади наноелектроніки. Розглянуто проблеми магнітоелектроніки (спінтроніки). Висвітлено біологічні та технологічні аспекти нанотехнологій. Наведено інформацію про фотони, атоми, енергетичний спектр кристала, особливості напівпровідників. Увагу приділено нанокристалічим структурам, квантоворозмірним ефектам, наномагнітним матеріалам, питанням нанофізики та молекулярної електроніки (молетроніки).

Освещены основные понятия и направления развития твердотельной интегральной электроники (микроэлектроники). Раскрыты физические основы наноэлектроники. Рассмотрены проблемы магнитоэлектроники (спинтроники). Освещены биологические и технологические аспекты нанотехнологий. Дана информация о фотонах, атомах, энергетическом спектре кристалла, особенностях полупроводников. Уделено внимание нанокристаллическим структурам, квантоворазмерным эффектам, наномагнитным материалам, вопросам нанофизики и молекулярной электроники (молетроники).

Проаналізовано особливості перетворення неелектричної величини в електричний сигнал у мікроелектронних структурах. Наведено фізичне обгрунтування ефективності використання електричних і фотоелектричних властивостей кремнієвих p-n переходів у мікроелектронних вимірювальних перетворювачах неелектричних величин. Увагу приділено конструкторсько-технологічній реалізації багатосенсорної мікроелектронної структури та малогабаритних діодних сенсорів.

Висвітлено основні принципи та напрями розвитку мікроелектроніки. Наведено загальну характеристику та класифікацію мікроелектронних виробів. Розкрито фізико-хімічні основи та технологію виготовлення напівпровідникових і гібридних інтегральних мікросхем (ІМС). Подано інформацію про структуру та фізико-механічні властивості твердих тіл, структуру ідеальних кристалів, елементи квантової механіки та фізичної статистики, термоелектронну емісію, когерентне випромінювання, іонне легування напівпровідників.

Викладено технологічні основи мікроелектроніки, технологію виготовлення напівпровідникових інтегральних мікросхем, елементи булевої алгебри. Увагу приділено проблемам мінімізації двозначних логічних функцій, наведено основні параметри логічних елементів інтегральних мікросхем. Надано відомості про типові інтегральні комбінаційні цифрові пристрої, тригерні пристрої (елементарні автомати), регістри, лічильники імпульсів, аналого-цифрові та цифро-аналогові перетворювачі, пристрої пам'яті.

Висвітлено сутність і тенденції розвитку мікроелектроніки. Розглянуто питання конструювання елементів гібридних і напівпровідникових мікросхем. Увагу приділено методам підвищення надійності мікросхем і їх сучасним перспективним конструкціям. Подано інформацію про етапи проектування мікроелектронної апаратури, систему умовних позначень мікросхем, особливості конструювання та розрахунку діодів, навісні компоненти гібридних інтегральних схем. Наведено приклади розрахунків елементів гібридних і напівпровідникових мікросхем.

Розглянуто елементну базу електронних пристроїв: пасивні елементи, фізичні основи напівпровідників, напівпровідникові пристрої різного призначення та їх схемотехніку. Увагу приділено побудові аналогових електронних пристроїв на операційних підсилювачах, характеристикам операційних підсилювачів та розрахунку схем на них. Розглянуто арифметичні та логічні основи цифрової електроніки, елементну базу та методи проектування цифрових пристроїв, що передують вивченню мікропроцесорних систем.

Викладено основні відомості про сучасні та перспективні елементи та компоненти електронних пристроїв. Наведено визначення різних видів елементів і компонентів, розглянуто їх призначення, класифікацію, умовні зображення та позначення, будову, роботу, властивості, застосування.