Исследование воздействия быстрых электронов и нейтронов проведено на микросборках, предназначенных для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектрических величин, у которых передаточная характеристика зависит от температуры. Обнаружена достаточно высокая стойкость основных параметров микросхем к такому воздействию. Показаны причины изменений некоторых параметров под действием названных излучений.

The research of influence fast electrons and neutrons is carried out on microassembly intended for measurement and stabilization of temperature of primary converters of not electrical quantities, at which the transfer characteristic depends on temperature. The high enough stability of the basic parameters of microcircuits to such influence is found out. The reasons of changes of some parameters under action of the named radiations are shown.

Розглянуто методику моделювання викривлення форми імпульса за рахунок дисперсії параметрів мікросмужкових ліній передавання. Моделювання здійснено за допомогою перетворення Фурьє та аналітичних формул для розрахунку дисперсії ефективної діелектричної проникності і втрат у поодинокої та багатопровідних зв'язаних мікросмужкових лініях. Наведено результати розрахунків дисперсійної дисторсії імпульсів гаусівської форми.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-01

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Построена математическая модель вычислительной среды на основании пространственно-временного представления дискретных сигналов при акустооптическом взаимодействии. Смоделировано взаимодействие световых и акустических импульсов в акустооптической среде двухмерным векторным методом конечных элементов во временной области, что показывает возможность построения вычислительной среды при малых размерах области взаимодействия, и может быть положено в основу создания интегральных устройств.

Висвітлено результати експериментальних і теоретичних досліджень фізико-технологічних процесів формування суб- і наномікронних структур великих інтегральних схем (ВІС). Увагу приділено топології структур ВІС у вигляді амплітудно-фазозсувних проміжних фотооригіналів з використанням комп'ютерних технологій моделювання, верифікації, екстракції топології, генерації тестової послідовності. Розглянуто питання функціонування та параметричної оптимізації тестових структур. Описано спосіб гетерування дефектів і домішок з активних зон, низькотемпературні процеси формування функціональних шарів у плазмових реакторах і реакторах зниженого тиску. Наведено результати моніторингу фізико-хімічних методів контролю параметрів та електрофізичного діагностування надійності структур. Проаналізовано радіаційну технологію літографії та прицезійного юстування електрофізичних параметрів. Увагу приділено питанням формування шаруватих резонансно-тунельних структур і структур сонячних елементів, моделям транзисторів і процесів.

Наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень дії потужних імпульсних електромагнітних полів на сучасні мікросхеми. Експериментальні дослідження проведено у хвилевідному тракті для мікроконтролерів, мікросхем пам'яті, аналого-цифрових і цифрово-аналогових перетворювачів (АЦП і ЦАП), мікроскладань приймачів і передавачів. За результатами експериментальних досліджень визначено межові значення збоїв і катастрофічних відмов мікросхем, одержано статистичні дані щодо виходу з ладу мікроструктурних елементів, зроблено рекомендації щодо підвищення стійкості мікросхем до даного виду впливу. Розроблено числово-аналітичну модель взаємодії імпульсних електромагнітних полів із мікроструктурними елементами кристалу сучасних мікросхем, що містить розв'язання дифракційної задачі для мікросхеми у хвилеводі та електротеплову модель кристалу сучасних мікросхем з багатошаровою металізацією.