Наведено результати теплового моделювання інтегральної мікросхеми з використанням програми Circuit Maker 6 PRO. Запропонований підхід забезпечує необхідну точність моделювання.

Показана целесообразность сочетания переборного алгоритма и методов редукции графа, не приводящих к потере наибольшего полного подграфа.

The expediency of combination of possibilities enumeration and maximum clique lossless graph reduction methods is shown.

Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное функциональное назначение, как от внутренних (в КМОП БИС), так и от внешних дестабилизирующих факторов.

Представлены основные методы, позволяющие уменьшить величину рассеиваемой мощности на этапах проектирования КМОП БИС. Приведена классификация источников рассеиваемой мощности. Рассмотрены некоторые практические меры, направленные на снижение потерь энергии и увеличение производительности КМОП-микропроцессоров.

Presented are the main methods, making it possible to reduce the value of power dissipation at the design stages of CMOS VLIC. Classification is indicated of power, dynamic dissipation sources.

Запропоновано нові методи побудови діагностичних експериментів, що грунтуються на використанні інформації функціонального та вентильного рівнів проектування з метою мінімізації витрат на діагностичне забезпечення. Розроблено метод та алгоритми тестопригодного проектування, що передбачають виключення функціональної та схемної надлишковості на етапі кодування станів автоматичних моделей та синтезу комбінаційної частини пристрою. Наведено новий метод аналізу комбінаційної надлишковості, що базується на використанні модифікованої еквівалентної форми булевої функції. Розроблено процедуру аналізу та розглянуто нову модель багатовихідної комбінаційної схеми у вигляді графа основних суттєвих вершин з розгалуженнями, визначено необхідні та достатні умови синдромного тестування схем у процесі організації псевдовичерпного тестування. Запропоновано нову універсальну модель синдромно-сигнатурного аналізатора. Наведено нові ефективні методи логічного проектування синдромно тестованих схем на програмувальних матрицях логіки, синтезу синхронних та асинхронних пристроїв на підставі використання зворотних таблиць переходів їх автоматних моделей.

Розглянуто питання побудови методів, моделей та алгоритмів розв'язання важко вирішуваних комбінаторних задач, які формулюються під час проектування площинної та просторової топології інтегральних схем надвеликої розмірності. Розроблено теоретично та досліджено експериментально методи для розв'язання задач розбиття, компонування, пакування, розміщення міжелементних з'єднань на площинних і просторових моделях на єдиній методологічній основі - побудові дерева оптимального згортання схем. Описано архітектуру, принципи взаємодії програмних пакетів підсистеми ієрархічного проектування топології надвеликих інтегральних схем. Реалізовано програмне забезпечення підсистеми.

Дисертацію присвячено питанням моделювання газофазних операцій за умов виробництва інтегральних схем (ІС) на прикладі операцій "дифузія" у проточному реакторі. Розроблено алгоритм моделювання газодинамічних, тепло- та масообмінних процесів, який дозволяє провести обчислення від розрахунку параметрів газового потоку до отримання значень контрольованих вихідних параметрів газофазної операції "дифузія". Запропоновано модель з метою розрахунку поверхневого опору, яка на відміну від існуючих моделей, дозволяє врахувати вплив складу і товщини осадженої плівки домішково-селікатного скла та парціального тиску кисню у газовій суміші на поверхневу концентрацію легуючої домішки. За допомогою числових методів скінченних різниць та об'ємів розв'язано систему рівнянь Нав'є - Стокса, що дало змогу отримати характеристики газового потоку у проточному реакторі та оцінити їх вплив на величину розкиду концентрації домішки на поверхні пластин та довжині зони постійної температури.

Із використанням блочно-ієрахічного принципу моделювання структур й аналізу функцій багатошарових підкладок і багатопровідних хвилевідних інтегральних конструкцій розвинуто засади для комплексного розв'язування крайових і схемотехнічних задач під час проектування багатошарових інтегральних схем структур, що моделюються, та складено матриці розсіяння базових елементів різного рівня адекватності. За принципами діакоптики із застосуванням ефективних циклічних алгоритмів, що оперують за рекурентними формулами з матрицями розсіяння, розроблено комплекс методів аналізу схем та розрахунку функцій Гріна підкладок у процедурах квазістатичного, квазідинамічного та електродинамічного моделювання. Запропоновано методи та алгоритми строгого числового та спрощеного аналітичного розв'язання інтегральних і дисперсних рівнянь. Одержано формули для розрахунку дисперсії, дисторсії та вхідного імпедансу мікросмужкових ліній. Наведено результати моделювання й експериментального дослідження елементів, вузлів та інтегральних пристроїв, що доводять ефективність та достовірність розроблених методів, моделей і алгоритмів.

Дисертацію присвячено питанням розробки САПР маршрутів формування кристалів ІС. Розроблено методи виділення фактуальних знань і засоби синтезу моделей і алгоритмів прийняття технологічних рішень на рівні експертів для структуризації та формалізації задач з високим рівнем невизначеності вихідної системи оцінок і процедури проектування. На прикладі розв'язання задач генерації технологічних маршрутів формування кристала ІС та синтезу алгоритму його аналізу з врахуванням особливостей перетворень в об'ємі кристала й обладнанні, можливостей детермінованих і логіко-семантичних моделей організації даних процесів, доведено практичну цінність запропонованого підходу для побудови гібридних САПР.

Досліджено особливості проектування вихідних каскадів для інтегральних схем і мікросистем-на-кристалі зі структурами кремній-на-ізоляторі (КНІ), виконаних за традиційною КМОН схемотехнікою та з використанням подвійного управління шляхом підключення до підканальних областей в КНІ МОН транзисторах.

Розроблено та досліджено архітектуру й елементну базу аналітичних мікросистем-на-кристалі зі структурами "кремній-на-ізоляторі" (КНІ). Розроблено архітектуру мікросистем-на-кристалі (АМнК), що є спеціалізованим кристалом ІС, побудований за принципом матричних ІС і містить спеціальну "технологічну площадку" з елементами зв'язку та матрицю бібліотечних елементів для реалізації схем аналогових і цифрових опрацювань первинної інформації від сенсорних елементів, а також базові матричні комірки для побудови вхідних/вихідних каскадів АМнК. Одержали подальший розвиток методи формування локальних тривимірних КНІ-структур. Зокрема розроблено дво-, трьохрівневі та комбіновані локальні 3В КМОН КНІ-структури. Розроблено та промодельовано технологічні послідовності та режими формування дворівневих тривимірних КНІ-структур, конструктивно суміщених з мікропорожнинами під поверхнею кремнієвої пластини. Показано, що дані структури можуть бути використані для створення тривимірних КНІ транзисторних чутливих елементів з можливістю подання зміщення до підканальної ділянки для усунення "кінк-ефекту". Наведено результати приладно-технологічного, електрофізичного та схемотопологічного моделювання базових приладних елементів аналітичних мікросистем. Розроблено та досліджено вихідні каскади, виконані за традиційною КНІ технологією та буферних драйверів з використанням подвійного управління підканальною ділянкою в КНІ-транзисторах, що містять як КМОН, так і біполярні транзистори.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-02-5-05

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: ДС50843 Пошук видання у каталогах НБУВ