Рассмотрена возможность использования особенностей акустооптического взаимодействия в фотоупругих средах для демодуляции сигналов с угловой модуляцией. Синтезированы структурные схемы акустооптических частотного и фазового модуляторов, приведены результаты экспериментальных исследований.

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано, что нелинейные модификации согласованных фильтров для детектирования сегментов сигналов позволяют значительно улучшить качество детектирования, оцениваемого по критерию среднеквадратичной ошибки. Проведенные эксперименты подтвердили эффективность предложенных нелинейных модификаций фильтров.

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: структура, фоточувствительность, двухбарьерный, кремний.
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлена конструкция координатно-чувствительного детектора ИК-излучения на основе HgCdTe, работающего в средней ИК-области спектра, использующего фотоэлектромагнитный эффект. Проведен детальный анализ его конструкции и основных параметров.

This paper deals with the design of the IR photoelectromagnetic detector on the base of HgCdTe epitaxial layers. The detail analysis of construction and main parameters is provided.

Ключ. слова: структура, фоточувствительность, двухбарьерный, кремний.
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработаны и исследованы высокочувствительные детекторные устройства V- и W-диапазонов радиоволн, предназначенные для использования в радиоизмерительной аппаратуре.

Указано, что при изготовлении гибридных пиксельных детекторов ионизирующего излучения соединение сенсорной матрицы со считывающим устройством осуществляется с помощью столбиковых выводов по флип-чип-технологии. Разработан и исследован процесс формирования столбиковых выводов из Pb/Sn и In на сенсорных GaAs-матрицах. В качестве подстолбиковой металлизации предложена система TiW/Ag, осаждаемая методом магнетронного распыления. Приведены технологические режимы, последовательность операций и параметры полученных столбиков.

In fabrication of hybrid pixel detectors of ionizing radiation a sensor matrix is connected to a readout device by means of bumps using the flip-chip technology. The present work deals with research and development of processes of Pb/Sn and In bump formation on sensor GaAs matrices designed for X-ray radiation detectors. The TiW/Ag system deposited by magnetron sputtering is proposed as under-bump metallization. Technological regimes, sequence of operations and parameters of the obtained bumps are given.

Ключ. слова: ультрафиолетовое излучение, тонкопленочный гетеропереход, селективный сенсор, соединения A2B6
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено теоретичне дослідження квантової ефективності резонансного p-і-n фотодетектора на основі InGaAs/GaAs для надшвидких оптичних з'єднань. Розраховано квантову ефективність для умов резонансу. Математична модель включає фізичні параметри фотодетектора та враховує довжину хвилі випромінювання, відбивну спроможність дзеркал та оптичне поглинання в усіх шарах детектора. Одержано залежності квантової ефективності від коєфіцієнта відбивання верхнього дзеркала резонатора на основі Al0,65Ga0,35As/GaAs за різних параметрів структури. Знайдено значення коєфіцієнта відбивання верхнього дзеркала залежно від фізичних параметрів структури.

Проведено теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитывает длину волны излучения, отражательную способность зеркал и оптическое поглощение во всех слоях детектора. Были получены зависимости квантовой эффективности от коэффициента отражения верхнего зеркала резонатора на основе Al0,65Ga0,35As/GaAs при различных параметрах структуры. Найдены значения коэффициента отражения верхнего зеркала в зависимости от физических параметров структуры.

We present a theoretical analysis on the quantum efficiency of a resonant cavity enhanced (RCE) InGaAs/GaAs p-i-n detector for the ultrashort optical connections. The quantum efficiency (QE) under resonant condition has been calculated. The math modelincludes physical parameters of photodetector and takes into account wavelength, reflecting availability of mirrors and optical absorption in all photodetector layers. QE dependence from the top mirror reflectivity coefficient based on Al0,65Ga0,35As/GaAs was obtained. Magnitude of reflectivity coefficient of the top mirror in dependence of different physical parameters was found.

Ключ. слова: доза излучения, полупроводниковые детекторы, чувствительность регистрации, CdTe, CdZnTe, дозиметрия, метод Монте-Карло
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047с1/8

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто структури систем фазового автоматичного підстроювання (СФАП) з комбінованим управлінням, диференціальними зв'язками, управлінням за умов відхилення, еквівалентних комбінованих систем у процесі детермінованих і випадкових задавальних діянь. Викладено питання врахування впливу параметричних збурень на похибку системи та запропоновано нові структури СФАП, малочутливих до параметричних збурень. Виконано аналіз точності синхронно-фазових демодуляторів (СФД) і описано нові структури неперервних і цифрових ітераційних СФД високої точності в усталених режимах. Запропоновано методику синтезу дво- і багатоконтурних СФД з урахуванням нелінійностей, зовнішніх і параметричних збурень.

Рассмотрены структуры систем фазовой автоматической подстройки (СФАП) с комбинированным управлением, дифференциальными связями, управлением по отклонению, эквивалентных комбинированных систем при детерминированных и случайных заданных действиях. Изложены вопросы учета влияния параметрических возмущений на погрешность системы и проанализированы новые структуры СФАП, малочувствительные к параметрическим возмущениям. Выполнен анализ точности синхронно-фазовых демодуляторов (СФД) и описаны новые структуры непрерывных и цифровых итерационных СФД высокой точности в установившихся режимах. Предложена методика синтеза двух- и многоконтурных СФД с учетом нелинейностей, внешних и параметрических возмущений.

Ключ. слова: подвижность, время жизни, полупроводниковые детекторы, полуизолирующие полупроводники, CdTe, CdZnTe, HgI2, метод Монте-Карло. , токоперенос, фотовольтаический, примесный, слой объемного заряда, изотип-
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрена работа амплитудного детектора цифровых сигналов, содержащего последовательно соединенные нелинейный элемент в виде цифрового вентиля и цифровой фильтр с различными вариантами построения. Получены выражения для расчета реакции при взаимодействии сигналов с постоянной амплитудой и гармонической модуляцией. Установлены зависимости коэффициента детектирования и нелинейных искажений от параметров цифрового фильтра.

Предложены вычислительные процедуры, позволяющие осуществить частотное уплотнение узкополосных каналов связи на основе неортогональной частотной дискретной модуляции сигналов.

Розглянуто питання коректності застосування прямокутного сгладжувального ядра під час визначення аналітичних параметрів спектральних ліній на емісійних спектрометрах з багатоелементними фотодетекторами. Показано деякі істотні відмінності методик фотометрування оптичних спектрів, зареєстрованих з використанням фотографічних носіїв, від методик із застосуванням багатоелементних фотодетекторів. Зазначено, що використання прямокутного сгладжувального ядра у разі невизначеної фази та півширини спектральної лінії може призводити до втрат точності фотометрування та погіршити роздільну здатність. Розглянуто залежності величини компоненти похибки визначення амплітудного показника світлового потоку в максимумі спектральної лінії від її півширини та положення відносно пікселів фотодетектора. Запропоновано спосіб коректного розв'язання задачі.

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047 + В381.54

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Детектори випромінювання Вавілова-Черенкова (черенківські лічильники і спектрометри)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано метод синтезу нелінійних компенсаторів, що базується на побудові їх операторних рівнянь і подальшій реалізації у вигляді нелінійних ланцюгів. Метод є універсальним, оскільки не залежить від природи джерела нелінійних спотворень сигналів у вихідній системі, і його можна використовувати для синтезу нелінійних перекомпенсаторів та посткомпенсаторів. На прикладі компенсації нелінійних перетворень детектора оцінено точність лінеаризації.