Викладено основи аналогової та цифрової електроніки в технічному захисті інформації та телекомунікаціях. Розглянуто елементну базу до принципів дії основних схемотехнічних вирішень цієї галузі техніки на базі біполярних та уніполярних транзисторів, у тому числі, виготовлених за сучасними технологіями. Окремо розглянуто питання щодо застосування такого схемотехнічного підходу, як введення зворотніх зв'яків для отримання потрібних властивостей розглядуваних пристроїв.

Визначено початкові умови математичних моделей для підвищення точності експериментів з вибору параметрів пучково-плазмових генераторів та з визначення умов нагріву іонів. Показано коректність, існування і єдність розв'язку математичних моделей, стійкість систем рівнянь до зміни вхідних даних, збіжність послідовності рішень до точного рішення. Вдосконалено обчислювальний метод оцінки температури іонів в установках плазмової електроніки і пучкового нагрівання плазми для визначення характеру нагріву іонів та енергії швидких іонів. Визначено, на основі результатів моделювання для цілей підвищення технічних характеристик пучково- Вперше побудовано алгоритмічні моделі процесів збудження та стійкості інтенсивних хвиль із застосуванням технології CUDA для прискорення обчислювального процесу. Вперше розроблено системну модель з використанням імітації впливу електронного пучка і плазмових коливань один на одного, спираючись на закони збереження енергії, яка дозволила об'єднати модель модуляційної нестійкості для холодної плазми і модель взаємодії електронного пучка з плазмовими коливаннями.плазмових генераторів в багатомодовому режимі, параметри ефективної генерації коливань.

Наведено відомості про електричні сигнали та пасивні елементи електронних (електричних) кіл, які необхідні для розуміння електричних процесів в електронних пристроях. Розглянуто фізичні основи напівпровідникових структур згідно з сучасною квантовою теорією. Розглянуто також елементну базу напівпровідникових пристроїв. Приділено увагу гібридній та напівпровідниковій інтегральним технологіям. Розглянуто основи електричного моделювання; різноманітні аналогові функціональні пристрої.

Висвітлено теоретичні та практичні основи електроніки. Викладено правила техніки безпеки під час роботи з електронним і електровимірювальним обладнанням. Розглянуто найбільш поширені елементи електронної техніки, їх характеристики та властивості. Наведено практичні методики роботи з паяльним обладнанням. Увагу приділено типовим несправностям резисторів, конденсаторів, трансформаторів, кварцових резонаторів, транзисторів. Подано інформацію про такі вимірювальні прилади, як мегомметр, тепловізор, аналогові, віртуальні та портативні осцилографи.

Індекс рубрикатора НБУВ: З85-01

Рубрики:

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведен обзор исследований высокочастотной проводимости двумерных электронных систем с высокой подвижностью в широких квантовых ямах n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs. В результате одновременных измерений коэффициента поглощения и скорости поверхностной акустической волны определены вещественная и мнимая компоненты высокочастотного кондактанса. На основании полученных экспериментальных данных и их обработки сделан вывод, что вблизи числа заполнения ν = 1/5, а также в интервале 0,18 > ν > 0,125 формируется вигнеровский кристалл, "запиннингованный" беспорядком. Определена температура плавления вигнеровского кристалла и длина корреляции доменов, образующихся за счет пиннинга. Вблизи целых чисел заполнения ν = 1, 2 уровней Ландау наблюдается переход системы от режима одноэлектронной локализации к вигнеровскому кристаллу.

Розглянуто різні види напівпровідникових діодів, транзисторів, симісторів, керованих тиристорних перемикачів та оптронів. Наведено їх елементну базу, структуру, моделі, характеристики, схеми управління, принципи роботи та промислове застосування. На їх основі розглянуто побудову логічних елементів, комбінаційних пристроїв, елементів із пам'яттю. Представлено й описано роботу схем генераторів різного призначення, таймерів, одновібраторів, формувачів сигналів, перетворювачів рівнів, елементів затримки й індикаторів. Розглянуто основи програмування логічних матриць, програмованої матричної логіки, базових матричних кристалів, програмованих надвеликих інтегральних схем і запам'ятовуючих пристроїв. Представлено операційні підсилювачі та на їх основі різноманітні перетворювачі, суматори, інтегратори та диференціатори. Розглянуто побудову цифроаналогових та аналого-цифрових перетворювачів інформації та джерел живлення різноманітного електронного призначення.

Індекс рубрикатора НБУВ: З85-01

Рубрики:

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально досліджено шуми електронних приладів для їх динамічної ідентифікації. Проведено моделювання фазових траєкторій за допомогою осциляторної моделі. Аналіз часових змін амплітуди шумів підтвердив їх фрактальну природу. Параметри фазових портретів спектральних компонент шуму надають можливість автентифікації електронних приладів. Експериментально зафіксовано ефект формування часових структур у спектрі шумів.

Викладено уявлення про частотні залежності комплексної діелектричної проникності однорідних діелектриків та формальні моделі, які застосовуються для їх аналізу. Охарактеризовано сучасний стан вивченості діелектричних властивостей гетерогенних двокомпонентних діелектриків. Подано відомості про механізми електропереносу через міжкристалітні потенціальні бар'єри в неоднорідних структурах та методи моделювання їх вольтамперних характеристик. Подано теоретичні уявлення про діелектричні властивості неоднорідних діелектриків із напівпровідниковими включеннями та фізичні основи діелектричної релаксаційної спектроскопії як методу дослідження локалізованих електронних станів у неоднорідних структурах.

Вирішено проблеми розроблення елементів електронної техніки на основі модифікованих активними нанорозмірними домішками холестеричних рідких кристалів (РК). Проведено дослідження спектральних, нелінійних та електрооптичних властивостей як власних, так і індукованих холестеричних рідких кристалів (ХРК), модифікованих нанорозмірними частинками (НРЧ). Встановлено закономірності в зміні кроку надмолекулярної спіральної структури внаслідок модифікування НРЧ в залежності від механізму індукування спіральної структури ХРК матриці. Досліджено процес інтеркаляції нанокомпозитів на основі ХРК, модифікованих НРЧ, в пористі матеріали, а саме, полістирен, оксиди алюмінію та кремнію. Виявлено закономірності впливу молекул газів на зміну спектральних характеристик синтезованих нанокомпозитів. Виявлено двоетапний процес зміни спектра оптичного пропускання в нанокомпозитах на основі ХРК, модифікованого НРЧ. Досліджено нелінійне явище в золотих нанострижнях з використанням z-методики та низькоінтенсивного лазерного випромінювання Не-Nе лазера. Розроблено ряд структур елементів електронної техніки. Створено структури первинних перетворювачів оптичних сенсорів газу, в основу роботи яких покладено зміну кроку надмолекулярної спіральної структури під дією молекул газу на активні нанорозмірні частинки. Одержано нові твердотільні структури первинних перетворювачів для сенсорів газу методом інтеркаляції молекул ХРК, модифікованого НРЧ, в пористі матеріали. Розроблено структури активних елементів зворотним зв'язком лазерів на ХРК, модифікованих НРЧ, що надало змогу збільшити спектральну густину фотонних станів у цих структурах та зменшити поріг і досягнути перестроювання довжини хвилі лазерної генерації. Запропоновано структуру активного кольорового піксельного елемента рідкокристалічного дисплея з накачуванням органічним світлодіодом.

Ефект переносу спінового моменту обертання електричним струмом (STT) є новим методом впливу на намагніченість нанооб'єктів. Цей метод дозволяє збудити мікрохвильові коливання намагніченості у шаруватих спінтронних наноструктурах, пропускаючи крізь них електричний струм, що може бути використане для розробки мікрохвильових джерел сигналів (МДС). Розглянуто основні результати щодо МДС, заснованих на STT ефекті, одержані у Київському національному університеті імені Тараса Шевченка та закордонних партнерських установах за останні декілька років.

У заключній із серії оглядово-методичних статей у рамках концепції "знизу - вгору" сучасної наноелектроніки розглянуто потоки електронів і тепла через провідник з урахуванням навколишнього середовища і побудовано рівноважну термодинаміку провідника зі струмом. Проаналізовано роль фоківських станів і накопичення інформації в нерівноважному стані, докладно обговорено модель інформаційно-керованого акумулятора і зв'язок її з принципом Ландауера про мінімальну енергію, необхідну для стирання одного біта інформації. Введено поняття квантової ентропії та обговорено окремі аспекти її застосування, підкреслено актуальність інтегрування спінтроніки та магнетроніки у зв'язку з майбутнім переходом до спінової архітектури обчислювальних пристроїв.

Изложены результаты теоретических и экспериментальных работ в области статической прочности изделий радиоэлектроники, герметизируемых компаундом и эксплуатирующихся в условиях термоударов. Раскрыты особенности обработки статистических данных, имеющих многомодальный характер. Показано влияние деформаций печатних плат на работоспособность изделий. Уделено внимание разработке эффективных технологических методов защиты электронных элементов, альтернативной технологии полимеризации компаунда, методике тензометрирования микроприборов при высотных испытаниях для проверки теоретических положений,

Проведено модернізацію методу усереднених характеристик на етапі побудови схеми асимптотичного інтегрування систем нелінійних диференціальних рівнянь, з урахуванням специфіки мультигармонічних резонансних взаємодій у пристроях сильнострумової електроніки. Одержано схеми асимптотичного інтегрування, що поєднують процедури прямого та зворотного переходів. Розглянуто як випадок однієї швидкої фази, так і випадок багатьох швидких фаз.

В рамках концепции "снизу - вверх" наноэлектроники рассмотрен метод неравновесных функций Грина в матричной формулировке и применение его к модельным транспортным задачам 1D- и 2D-проводников в модели сильной связи с ортогональным базисом и с параметрическим учетом взаимодействия соседних атомов. Сформулирован общий метод учета электрических контактов в уравнении Шредингера для решения задач квантового транспорта электронов.

Розглянуто типи, особливості роботи та мікросхеми лічильників імпульсів. Наведено інформацію про регістри, їх типи та приклади використання. Увагу приділено пристроям оперативної та постійної пам'яті, їх використанню для побудови комбінаційних пристроїв та мікропрограмних автоматів. Розглянуто пристрої на основі програмованих логічних структур, зокрема, програмованих логічних матриць, базових матричних кристалів. Розкрито особливості їх проектування з використання САПР MAX+plusII. Наведено практичні схеми реалізації різноманітних імпульсних пристроїв на основі цифрових інтегральних схем.

В рамках концепции "снизу-вверх" наноэлектроники рассмотрены ключевые вопросы спинтроники - спиновый вентиль, граничное сопротивление при несовпадении мод проводимости, спиновые потенциалы и разность нелокальных спин-потенциалов, спиновый момент и его транспорт, уравнение Ландау - Лифшица - Гильберта, на его основе дан ответ на вопрос - почему у магнита есть выделенная ось, обсуждены вопросы, касающиеся обращения намагниченности спиновым током, поляризаторов и анализаторов спинового тока, а также рассмотрены уравнения диффузии для баллистического транспорта и токи в режиме неравновесных потенциалов.

В рамках концепции "снизу - вверх" наноэлектроники рассматрены термоэлектрические явления Зеебека и Пельтье, показатели качества и оптимизация термоэлектриков, баллистический и диффузионный транспорт фононов и его роль в теплопроводности.

На продовження попередніх навчально-оглядових статей авторів у рамках концепції "знизу - вгору" сучасної наноелектроніки розглядаються класичний і квантовий ефекти Холла, методи вимірювання електрохімічних потенціалів, формули Ландауера - Бюттекера, вимірювання холлівського потенціалу, врахування магнітного поля в методі НРФГ, квантовий ефект Холла, рівні Ландау і крайові стани в графені.