Наведено основні відомості про лінійні стабілізовані блоки живлення електронної апаратури. Висвітлено порядок розрахунку конструктивних і електричних параметрів лінійних трансформаторів, визначення схем і параметрів елементів випрямлячів, активних і пасивних згладжувальних фільтрів, а також стабілізаторів напруги, зокрема, інтегральних. Наведено довідкові дані та вимоги до оформлення розрахунково-графічних робіт (курсових і проектів).

Приведены основные сведения о линейных стабилизированных блоках питания электронной аппаратуры. Освещен порядок расчета конструктивных и электрических параметров линейных трансформаторов, определения схем и параметров элементов выпрямителей, активных и пассивных сглаживающих фильтров, а также стабилизаторов напряжения, в частности интегральных. Изложены справочные данные и требования к оформлению расчетно-графических работ (курсовых и проектов).

Проаналізовано основні напрямки застосування прозорих напівпровідникових плівок на основі оксидів індію та олова як складової мікроелектронних та оптоелектронних приладів. Показано, що електричні та оптичні властивості цих плівок є функціями різних параметрів, таких як температура підкладки, поверхневий опір плівок, зовнішній тиск, а також відмічено актуальність використання даних плівок в сучасних напрямках електроніки, оптоелектроніки та нанотехнологіях.

Індекс рубрикатора НБУВ: К960.420.252 + З85-04-03

Рубрики:

Шліфування та полірування оптичного скла

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено поширення світла в електроізоляційних матеріалах електронної техніки за випарного режиму лазерного впливу. У результаті аналізу експериментальних даних визначено швидкість формування наскрізних отворів та встановлено тимчасові особливості коефіцієнта поглинання в досліджених зразках.

У 2008 р. було оголошено про створення мемристора, четвертого базового компонента електронних схем зі здатністю накопичувати інформацію щодо заряду, який пройшов крізь нього. Йдеться про історію цього відкриття, його значущість для подальшого розвитку мікро- і наноелектроніки, фундаментальні аспекти проблеми, а також про внесок українських дослідників у їх розв'язання. Обговорено переваги мемристора порівняно з традиційними елементами електронної схемотехніки та перспективи його практичного застосування.

Наведено структуру елементної бази радіо- та електронної апаратури. Роз¬глянуто функціональне призначення, основні електричні й експлуатаційні пара¬метри й особливості застосування пасивних та активних напівпровідникових елементів, окремих зразків функціональної електроніки.