Рассмотрена ударная ионизация в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах указанные соединения перспективны для работы в см и мм дипазонах (напряжения сверх порогового 3 - 5 при кпд до 11 - 13 %). Показано, какие эффективности генерации можно получить при генерации гармоник диодами на GaN. Рассмотрено умножение частоты при ударной ионизации в диодах на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах на основе GaN коэффициент преобразования частоты существенно возрастает и составляет, например, на 2-й гармонике до 40 %.

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований индуктивной цепи с высокочастотной электрической дугой. Определен критерий гашения дуги в индуктивной цепи с синусоидальным высокочастотным током. Установлено достаточное условие устойчивого горения высокочастотной дуги при переходе тока через нуль.

Приведены результаты исследования избыточной проводимости плазмы газоразрядного прибора в условиях ее распада, когда необходим учет рекомбинации заряженных частиц не только на электродах прибора, но и в его объеме. Установлено, что объемная рекомбинация заряженных частиц в стадии избыточной проводимости плазмы существенно влияет на длительность избыточной проводимости плазмы и изменяет характер ее распада.