Пошуковий запит: (<.>U=З852$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1251
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж14163 Злобин Г. Г. Автоматизированный измеритель параметров математических моделей полупроводниковых элементов [Текст] 21: 2 // Электрон. моделирование.-С.55-59
|
| 2. | Ж27665/рад.эл. Аверина Л. И. Анализ нелинейных характеристик усилителя на полевом транзисторе с учетом паразитных сопротивлений [Текст] 43: 9-10, [ч. 1] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.78-80
|
| 3. | Ж27665/рад.эл. Каневский В. И. Анализ частотных и тепловых свойств диода Ганна с многокольцевым катодом [Текст] 42: 1 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.38-45
|
| 4. | Ж16683 Никонова З. А. Аналогия между системами живых организмов и закономерностями работы технических устройств СВЧ диапазона [Текст]: 2 // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління.-С.31-33
|
| 5. | Ж16683 Томашевский А. В. Влияние параметров МОП-структуры на крутизну высокочастотной вольт-фарадной характеристики [Текст]: 2 // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління.-С.45-47
|
| 6. | Ж27665/рад.эл. Конакова Р. В. Влияние радиации на вольт-амперные характеристики арсенид-галлиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки [Текст] 42: 4 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.73-76
|
| 7. | Ж60673 Камалов А. Б. Влияние СВЧ излучения на характеристики GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.145-149
|
| 8. | Ж29221 Нікітенко О. М. Вплив додаткових конструкційних параметрів на характеристики резонаторної системи приладів НВЧ [Текст]: Вып. 112 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.75-76
|
| 9. | Ж60673 Іващук А. В. Вплив морфології омічних контактів на надвисокочастотні параметри польових транзисторів [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.157-161
|
| 10. | ВА605929 Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Графоаналітичний аналіз каскадів підсилення на біполярних транзисторах [Текст] : Метод. вказівки
|
| 11. | Ж26990 Усатенко В. Г. Измерения гармоник как избирательная фильтрация вариационных признаков макроскопических характеристик нелинейных объектов в параметрической области [Текст]: 3 // Пробл. упр. и информатики.-С.100-109
|
| 12. | ВА585566 Ильченко М. Е. Интегральные устройства СВЧ телекоммуникационных систем [Текст]
|
| 13. | Ж14164 Матвеев С. А. Исследование влияния динамических потерь в транзисторах на КПД и оптимальную нагрузку инвертора с индуктивно-емкостным преобразователем [Текст]: 5 // Техн. електродинаміка.-С.24-28
|
| 14. | Ж29221 Смуглий В. И. Исследование фотокинетических явлений в полупроводниках на СВЧ [Текст]: Вып. 111 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.50-53
|
| 15. | Ж27665 Карушкин Н. Ф. Источники мощности миллиметрового диапазона на лавинно-пролетных диодах с распределенными параметрами [Текст] 42: 7 // Изв. вузов. Радиоэлектроника .-С.47-54
|
| 16. | Ж14163 Молчанов П. А. Моделирование нелинейных искажений цепей с негатронами [Текст] 22: 6 // Электрон. моделирование.-С.27-33
|
| 17. | Ж26990 Петерчук С. А. Моделирование процессов в транзисторном инверторе с широтно-импульсной модуляцией [Текст]: 6 // Пробл. упр. и информатики.-С.117-122
|
| 18. | Ж27665/рад. эл. Каневский В. И. Моделирование физических процессов в диодах Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов [Текст] 43: 7-8, [ч. 2] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.73-80
|
| 19. | ВА604738 Осадчук О. В.Вінниц. держ. техн. ун-т. Мікроелектронні частотні перетворювачі на основі транзисторних структур з від'ємним опором [Текст]
|
| 20. | ВА605048 Левитський С. М.Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. Напівпровідникові прилади [Текст] : Навч. посіб. для студ. радіофіз. ф-ту
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка