Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (3)Книжкові видання та компакт-диски (11)
Пошуковий запит: (<.>U=З852.2-01$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 34
Представлено документи з 1 до 20
...
      
Категорія:    
1.

Каневский В. И. 
Моделирование физических процессов в диодах Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов / В. И. Каневский, В. Е. Чайка // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2000. - 43, № 7-8, [ч. 2]. - С. 73-80. - Библиогр.: 9 назв. - рус.

Описана модель ячейки периодической структуры диода Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов. Показано, что эффективность и частотный диапазон диода Ганна с островковыми омическими катодными контактами существенно увеличиваются, если островковые омические контакты заменить на островковые инжекторы "горячих" электронов.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Аркуша Ю. В. 
Влияние запорного металлического катодного контакта на работу диодов Ганна на основе Insubx/subGasub1 - x/subAs / Ю. В. Аркуша // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна. - 2001. - № 513. - С. 62-64. - Библиогр.: 4 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Стороженко И. П. 
Вольтамперные характеристики диодов Ганна с двумя активными областями и гетеропереходом / И. П. Стороженко // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна. - 2001. - № 513. - С. 65-68. - Библиогр.: 12 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Михайлов А. И. 
Усовершенствованный вариант однотемпературной модели эффекта Ганна в арсениде галлия / А. И. Михайлов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1999. - 42, № 10. - С. 46-50. - Библиогр.: 14 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж27665 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Стороженко И. П. 
Варизонные $Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) диоды Ганна с различными катодными контактами / И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. - 2006. - 11, № 3. - С. 421-429. - Библиогр.: 14 назв. - рус.


Ключ. слова: вариозный диод, частотный предел колебаний, толщина вариозного шара
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Баранов В. В. 
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа / В. В. Баранов, Я. А. Соловьев, Г. В. Кошкаров // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 5. - С. 20-21. - Библиогр.: 5 назв. - рус.


Ключ. слова: барьеры Шоттки, высокотемпературный микромонтаж, электрические свойства приборов
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Стороженко И. П. 
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с $Ebold {{ roman Al} sub x { roman Ga} sub {1~-~x } roman As} и $Ebold {{ roman GaP} sub x { roman As} sub {1~-~x } } катодами / И. П. Стороженко, Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров // Радиофизика и электроника. - 2007. - 12, № 3. - С. 579-583. - Библиогр.: 8 назв. - рус.


Ключ. слова: междолинный перенос, прямосмещенный гетерокатод, дипольный домен, эффективность генерации
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Руденко Т. Е. 
Исследование генерационных характеристик металл-оксид-полупроводниковых приборов на основе структуры "кремний-на-изоляторе" с помощью диода, управляемого затвором / Т. Е. Руденко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 87-97. - Библиогр.: 9 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Стороженко И. П. 
Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников / И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. - 2003. - 8, № 2. - С. 287-294. - Библиогр.: 14 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Боцула О. В. 
Совместная работа двухуровневого резонансно-туннельного диода и диода Ганна / О. В. Боцула, Э. Д. Прохоров // Радиофизика и электроника. - 2003. - 8, № 1. - С. 110-114. - Библиогр.: 8 назв. - рус.

Досліджено роботу послідовно сполучених дворівневого резонансно-тунельного діода AlAs/GaAs і GaAs-Ганна в резонансному ланцюзі. Вольтамперні характеристики такої низки діодів мають особливості - перескоки по струму, ділянки вольтамперних характеристик недоступні для вимірів, зсув максимумів струму до області великих напруг. Вольт-амперні характеристики мають три ділянки з негативною диференціальною провідністю, що можна використати для генерації в міліметровому діапазоні. Визначено співвідношення параметрів резонансно-тунельного діода та діода Ганна, за яких утворюються три зони генерації - дві зони за рахунок резонансного тунелювання й одна зона за рахунок міждолинного переносу електронів. Оцінено ефективність генерації в цих зонах на частотах міліметрового діапазону.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
11.

Аркуша Ю. В. 
Энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе тройных полупроводников AV3DBV5D с линейно изменяющимся составом в активной зоне / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. - 2004. - 9, № 2. - С. 421-425. - Библиогр.: 9 назв. - рус.


Ключ. слова: варизонный полупроводник, диод Ганна, энергетические характеристики
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
12.

Плаксин С. В. 
Активный смеситель сдвига частоты миллиметрового диапазона на диодах Ганна / С. В. Плаксин, И. И. Соколовский // Радиофизика и радиоастрономия. - 2005. - 10, № 1. - С. 98-101. - Библиогр.: 16 назв. - рус.

Наведено результати експериментального дослідження енерготривкого змішувача зсуву частоти міліметрового діапазону з підсиленням на напівпровідниковому автогенераторі, що працює у режимі примусової синхронізації вхідним сигналом.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж15835 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
13.

Фелінський Г. С. 
Експериментальні дослідження напівпровідникових лазерних діодів для акусто-оптичних процесорів НВЧ радіосигналів / Г. С. Фелінський // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2007. - № 1. - С. 284-291. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.

Зазначено, що для використання в складі акустооптичних процесорів лазерні випромінювачі повинні задовольняти специфічним вимогам. Наведено оригінальні результати комплексних експериментальних досліджень напівпровідникових лазерних діодів, що містять спектральні дослідження в широкому діапазоні температур, вимірювання електрофізичних параметрів, а також просторового розподілу поля випромінювання. Встановлені кореляції виміряних характеристик дозволяють виробити практичні рекомендації з вибору лазерних джерел для розробки акустооптичних процесорів, що оброблюють НВЧ радіосигнали.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
14.

Касаткин Л. В. 
Управление фазой выходного сигнала синхронизированного полупроводникового генератора / Л. В. Касаткин // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2006. - 49, № 11-12, [ч. 2]. - С. 8-14. - Библиогр.: 10 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
15.

Плаксин С. В. 
Гармонические МЭП-диоды на основе арсенида галлия / С. В. Плаксин, И. И. Соколовский, В. С. Лукаш // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2007. - № 3. - С. 3-7. - Библиогр.: 8 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
16.

Камалов А. Б. 
Деградационные явления в диодах Шоттки Au - Pt - GaAs, стимулированные активными обработками / А. Б. Камалов, С. Е. Бекбергенов // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, № 7. - С. 661-663. - Библиогр.: 5 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
17.

Гамола О. Є. 
Електротеплова модель напівпровідникового діода / О. Є. Гамола // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2007. - № 597. - С. 78-82. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.

Запропоновано електротеплову модель напівпровідникового діода, яка дозволяє розрахувати розподіл температури в структурі з врахуванням залежності рухливості носіїв заряду та часу життя від температури.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
18.

Ільченко В. В. 
Моделювання рекомбінаційного струму в діодах Шотткі через шари квантових точок двох різних типів / В. В. Ільченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2008. - № 1. - С. 183-187. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Числово змодельовано рекомбінаційний струм для структур із бар'єром Шотткі через шари Ge квантових точок у Si та шари InAs квантових точок у GaAs. Показано, що для реальних значень енергій залягання рівнів квантових точок та інших параметрів просторового їх розміщення у структурах із Ge квантовими точками в Si величина рекомбінаційного струму може на декілька порядків перевищувати надбар'єрний струм у разі невеликих прямих зміщень. В цей же час, рекомбінаційний струм для структур із шарами InAs квантових точок в GaAs може домінувати над надбар'єрним у цих структурах лише за особливих умов досить глибоких рівнів квантових точок.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
19.

Боцула О. В. 
Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / О. В. Боцула, Д. В. Павленко, Э. Д. Прохоров // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка. - 2008. - N 834, вип. 13. - С. 100-103. - Библиогр.: 7 назв. - рус.

Рассмотрено умножение частоты при ударной ионизации в диодах с МПЭ на основе GaN. Показано, что при развитии ударной ионизации в диодах на основе GaN коэффициент преобразования частоты существенно возрастает и составляет, например, на второй гармонике до 40 %.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
20.

Pavljuk S.  
Thermal conduction anisotropy of the diode structures / S. Pavljuk, L. Ishchuk, V. Kislitsyn // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2009. - Вип. 12. - С. 33-35. - Библиогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж28079/рад.фіз.Ел. Пошук видання у каталогах НБУВ 

...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського