Разработаны и исследованы сплавленные омические контакты к гетероструктуре GaAs - AlGaAs, применяемой при изготовлении нового класса полевых приборов - транзисторов с высокой подвижностью электронов. Показано, что режим термообработки, обеспечивающий только минимальное контактное сопротивление, не является оптимальным. Предложена простая методика для оценки глубины проникновения фронта сплавления. Методика не требует изготовления специальных тестовых структур, применяется на протяжении относительно небольшого промежутка времени и ее можно использовать непосредственно на полупроводниковой пластине в технологическом процессе. Исследована радиационная стойкость получаемых омических контактов. Показано, что использование эффекта малых доз ионизирующего облучения может приводить к улучшению параметров омических контактов.

Ключ. слова: aрсенід галію, технологія металізації, вакуум, омічний контакт, НВЧ польовий транзистор
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-060.7 + З852.3-060.7

Рубрики:

Інтегральні схеми

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертацію присвячено питанням розробки алгоритмів математичного моделювання визначення резонансних частот та ударної міцності паяних силових напівпровідникових приладів типу кремнієвих діодів і тиристорів. Запропоновано математичні моделі для опису механічних коливань, розроблено методики їх чисельного дослідження, які забезпечують цілісність та економність обчислювального процесу. Побудовані чисельні схеми реалізовані у вигляді відповідного програмного забезпечення, працездатність якого досліджувалась шляхом розв'язання тестових задач і практично важливих задач інженерної практики.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-06

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропонована робота охоплює завдання таких областей, як зменшення вхідних струмів та напруги зміщення інтегрованих операційних підсилювачів (ІС ОА), виготовлених за технологією BiFET, перспектива використання транзисторів JFET у технології цифрових схем, технологія Si CMOS на 22-нм рівні і вище, виготовлення біполярних транзисторів на надтонких шарах активної бази й емітера, що збільшує стійкість ІМС до зовнішніх впливів. Основним методом експериментального дослідження каналювання є побудова профілів розподілу домішок за допомогою SIMS. У даній роботі для вивчення ефекту каналювання бору та фосфору в кремнії було вибрано метод побудови поверхні відгуку струму насичення JFET для кремнієвої пластини. Вибір методу базувався на високій чутливості напруги відсічки та струму насичення транзистора JFET до товщини каналу та концентрації домішок у ньому, відносній простоті експлуатаційних характеристик і практичних перевагах у вдосконаленні технології BiFET.