Пошуковий запит: (<.>U=З852.6$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 16
Представлено документи з 1 до 16
|
| 1. | Ж14479 Ваксман Ю. Ф. Оптико-электронный дальномер малых дистанций для динамических систем [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.44-49
|
| 2. | ВА651344 Буданов П. Ф.Ун-т внутр. справ. Напівпровідникові сенсори: теорія, конструкції, застосування [Текст] : Моногр.
|
| 3. | Ж23882 Ротштейн А. П. Новый подход к расчету надежности технологических процессов: на примере производства электронных линз [Текст]: 2 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.-С.135-144
|
| 4. | Ж23882 Осадчук В. С. Мікроелектронний частотний сенсор оптичного випромінювання [Текст]: 1 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.-С.208-214
|
| 5. | Ж26618 Ковальчук М. Л. Перенастроювані оптичні фільтри і спектрометричні елементи на основі варизонних структур CdHgTe, CdMnHgTe [Текст] 6: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.670-675
|
| 6. | Ж26618 Драпак С. І. Самоорганізація границі розділу гетеропереходів p-GaSe - n-InSe, виготовлених методом посадки на оптичний контакт, в процесі довготривалого зберігання [Текст] 6: 2 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.230-234
|
| 7. | Ж67522 Smyntyna V. A. Image sensor on the basis of nonideal heterojunction with rigid raster [Текст]: Вып. 15 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.21-23
|
| 8. | Ж24835 Savchenko N. D. Amorphous-crystalline heterojunctions for optoelectronic sensors: electronic structure and properties [Текст]: 4 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.21-25
|
| 9. | Ж14161 Гришин Ю. Г. Електрооптичні властивості вихідних та опромінених фосфідогалієвих p - n-переходів [Текст] 30: спец. вып // Металлофизика и новейшие технологии.-С.77-84
|
| 10. | РА346484 Чирчик С. В.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. Механізм впливу випромінювання з області власного поглинання монокристалічного Si на його теплове випромінювання в ізотермічних умовах [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук.- URL: /ard/2006/
|
| 11. | РА346930 Свеженцова К. В.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. Особливості формування та властивості нанокристалічного кремнію, сформованого методом хімічного травлення [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук.- URL: /ard/2006/
|
| 12. | РА346913 Фомін О. С.НАН України. Ін-т електрофізики і радіац. технологій. Формування стабільних сенсорних характеристик кристалів CdZnTe і ZnSe [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 01.04.07
|
| 13. | РА378031 Селецька О. О.Вінниц. нац. техн. ун-т. Радіовимірювальні оптичні перетворювачі для визначення часу плазмохімічного травлення [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.08
|
| 14. | Ж24450 Узленков А. В. Инфракрасный полупроводниковый сенсор капиллярного волнения в жидкости [Текст]: 1 // Радіоелектрон. і комп'ют. системи.-С.25-34
|
| 15. | Ж23882 Лисенко Г. Л. Модель поглинання випромінювання для оптоелектронного напівпровідникового транспаранта з двохвильовим керуванням [] // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї, 2014,N № 1.-С.73-80
|
| 16. | Ж26618 Гуцул І. В. Особливості нестаціонарного розподілу температури оптично непрозорого анізотропного термоелемента при імпульсному променевому збудженні [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2015. т.Т. 16,N № 2.-С.261-265
|
Простий пошук
Віртуальна довідка
