Запропоновано підхід до оцінки надійності технологічних процесів (ТП) на підставі теорії можливостей. Степінь можливості правильного виконання ТП оцінено на підставі доступної експертної інформації про умови правильного виконання технологічних операцій. Зазначено, що на відміну від імовірнісної теорії надійності й якості ТП такий підхід не вимагає трудомістких експериментальних досліджень для побудови складних регресійних моделей.

Описано особливості напівпровідникових сенсорів, фізико-хімічні основи та математичні моделі їх функціонування з урахуванням фрактальних властивостей мас чутливих елементів та об'єктів виявлення. Проаналізовано вплив властивостей наноструктури напівпровідника на характер зміни електричного опору сенсора. Наведено оцінку інерційності напівпровідникових фрактальних сенсорів. Розглянуто особливості технології створення напівпровідникових датчиків для контролю складу газів, парів органічних речовин та їх сумішей. Висвітлено перспективи використання напівпровідникових вимірювальних перетворювачів.

Описаны особенности полупроводниковых сенсоров, физико-химические основы и математические модели их функционирования с учётом фрактальных свойств масс чувствительных элементов и объектов выявления. Проанализировано влияние свойств наноструктуры полупроводника на характер изменения электрического сопротивления сенсора. Приведена оценка инерционности полупроводниковых фрактальных сенсоров. Рассмотрены особенности технологии создания полупроводниковых датчиков для контроля состава газов, паров органических веществ и их смесей. Освещены перспективы использования полупроводниковых измерительных преобразователей.

Рассмотрено применение в оптико-электронной дальнометрии фазового метода измерения малых дистанций. Определена аналитическая зависимость точности измерений от динамики измерительной системы. Рассчитаны частотные характеристики измерителя разности фаз. Представлены структурные схемы метода измерений и измерителя разности фаз, на основе которых создан оптико-электронный дальномер (ОЭД). Представлены технические и градуировочная характеристики ОЭД.

The application of the phase method of short distances measurement in optic-electronic range finding is examined. The analytical dependence of measuring accuracy on the dynamics of the measuring system is determined. Frequency characteristics of the phase difference meter are calculated. Structural schemes of the measuring method and the phase difference meter are presented, on the base of which the optic-electronic range finder (OERF) is created. Technical and graduative characteristics of OERF are presented.

Ключ. слова: шаруваті напівпровідники, гетероперехід, вольт-амперні характеристики, вольт-фарадні характеристики, від'ємна диференційна провідність, резонансне тунелювання
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6 + В379.2

Рубрики:

Оптичні напівпровідникові прилади

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: варизонні структури, оптична густина, спектрометричні елементи
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6 + В344.1 + В342.8

Рубрики:

Оптичні напівпровідникові прилади

Експериментальні методи і апаратура спектроскопії

Окремі види оптичних приладів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: сенсор оптичного випромінювання, від'ємний опір, частотний сенсор
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6

Рубрики:

Оптичні напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено метод формування тонких однорідних плівок nc-Si великої площі. З метою визначення можливостей використання даних плівок в сонячних елементах та газових сенсорах проведено комплексне дослідження їх властивостей. Визначено ефективність та напрямки практичного застосування нового методу утворення однорідних плівок nc-Si. Проаналізовано механізм формування nc-Si за хімічного травлення. Встановлено, що даний процес складається з двох етапів і проявляється не лише у зміні структури поверхні вихідних підкладок, але і в зміні елементного складу плівок nc-Si. Показано, що смуга люмінесценції зразків nc-Si, одержаних хімічним травленням, є суперпозицією двох смуг, одна з яких обумовлена рекомбінацією екситонів у кремнієвих нанокластерах, а інша - рекомбінацією носіїв через поверхневі дефекти. Виявлено два процеси деградації характеристик nc-Si під дією ультрафіолетового опромінення: необоротний, який призводить до зміни коефіцієнту відбивання та пов'язаний з фотостимульованим окисненням поруватого шару, та оборотний, наслідком якого є зменшення інтенсивності фотолюмінесценції. Запропоновано модель, що пояснює деградацію фотолюмінесценції nc-Si тунелюванням носіїв, генерованих у кремнієвих кластерах, на пастки в їх окисній оболонці. Експериментально підтверджено ефективність використання nc-Si для покращення характеристик моно- та мультикристалічних кремнієвих сонячних елементів і газових сенсорів.

  Скачати повний текст

Зазначено, що основною вимогою до сучасних твердотільних перетворювачів оптичного зображення є сувора геометрична відповідність між вихідним відеосигналом та елементами оптичного зображення. Розроблено сенсор зображення на базі неідеального гетеропереходу та його системи сканування (СС), яка дозволяє виключити растрові перекручування та нестабільність растру під час сканування зображення. Максимальна розподільна спроможність СС визначається дифракційною межею фокусування смуги, що зчитує.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379 в641.8,022 + З852.6

Рубрики:

Фізика напівпровідників та діелектриків

Оптичні напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: РА346913 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6-04

Рубрики:

Оптичні напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6

Рубрики:

Оптичні напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложено использование инфракрасной (ИК) широкоугольной оптической системы с открытым каналом и некогерентным излучением в качестве сенсора капиллярного волнения на поверхности жидкости. Рассмотрены физические особенности функционирования предложенного ИК сенсора, его геометрия, определены ограничения применения. Приведены результаты математического моделирования и экспериментального исследования свойств предложенного ИК сенсора. Установлено хорошее соответствие его параметров и параметров прецизионного лазерного волнографа. Отмечены имеющиеся различия, предложено их объяснение. Оценены частотные и динамические свойства, нелинейные искажения ИК сенсора. Отмечена его высокая чувствительность к присутствию поверхностно-активных веществ и газовыделениям.

Розроблено теоретичні підходи до створення радіовимірювальних оптичних перетворювачів у вигляді біполярних і МДН-транзисторних структур на підставі розв'язку рівняння Кірхгофа, основних положень теорії комплексної змінної, що одержує залежність активної та реактивної складових повного опору, функції перетворення та рівняння чутливості від впливу освітленості. Доведено, що дані залежності є суттєвими для створення радіовимірювальних оптичних перетворювачів з покращеними метрологічними показниками. Вдосконалено математичні моделі радіовимірювальних оптичних перетворювачів, в яких на відміну від існуючих, враховано вплив величини освітленості на елементи нелінійних еквівалентних схем перетворювачів на підставі біполярних і МДН-транзисторних структур з від'ємним опором, що одержує рівняння чутливості та функції перетворення освітленості у частоту. Встановлено пакет прикладних програм для моделювання та розрахунків характеристик даних радіовимірювальних оптичних перетворювачів для визначення часу травлення.

Проведено аналіз моделі поглинання випромінювання для оптоелектронного напівпровідникового транспаранта з двохвильовим керуванням, а також виконано оцінку адекватності запропонованої моделі.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.6

Рубрики:

Оптичні напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ