Осуществлен метод лазерной гравировки, основанный на эффективном изменении кристаллической решетки при формировании текстурированной поверхности кристалла кремния. Показано, что для прожигания кремния на переходе фаз необходим лазер с импульсной мощностью намного меньшей, чем в твердой фазе.

The method of laser engravement, which is based on the efficient transforming of the crystal trellis during the process of formation of the engraved surface of the silicon crystal, has been put into life. It has been proved that the process of burningsilicon in the transitional phase needs a laser with the impulse power much lower than for burning solid silicon.

Исследовано формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера, а также показан метод изготовления структуры со свойством электронного переключения с памятью.

Formation of a film Te on a surface of crystal CdTe is investigated at an irradiation by impulses of the ruby laser, and also the method of manufacturing of structure with properties of electronic switching with memory is shown.

Наведено результати досліджень та розробок, виконаних у ході підготовки експерименту зі світлолокації поверхні Місяця за допомогою рубінового лазера з метою уточнення параметрів його орбіт. Викладено постановку задачі, загальний план експерименту, теорію оптимального нагромадження сигналу (для випадку, коли відстань до об'єкта істотно змінюється за час між посилками, а середнє число фотонів, прийнятих за одну посилку, значно менше одиниці), оцінку величини сигналу, шуму та часу, необхідного для одержання достовірного результату, наведено результати дослідження фотопомножувача та граничних можливостей рубінового лазера з модуляцією добротності. Описано рубіновий лазер з високою спрямованістю й енергією більш ніж 10 Дж у режимі модуляції добротності, прийомну апаратуру, а також апаратуру для реєстрації, світлолокаційний комплекс у цілому.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + З86-531.241

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено лазери з динамічним розподіленим зворотним зв'язком (РЗЗ) на основі домішкових нематичних рідких кристалів (НРК) за двох схем формування інтерференційного розподілу накачки: збудження на зустрічних і попутніх пучках накачки. Вивчено особливості ряду барвників у ролі лазерних домішок у НРК і показано, що перспективнішими для створення РЗЗ-лазерів є пірометенові барвники. Порівняно умови реалізації лазера з динамічним РЗЗ у НРК із аналогічним лазером зі статичним РЗЗ на холестеричних рідких кристалах. Для останніх глибина модуляції фазової гратки, що визначає поріг генерації, приблизно на 2 порядки є більшою, ніж у НРК за умов динамічного формування гратки полем лазерної накачки. Лазерну генерацію НРК за динамічного розподіленого зворотного зв'язку одержано вперше. Проаналізовано й апробовано шляхи оптимізації основних характеристик генерації зі зміною частоти для вибраних схем збудження.

Виявлено закономірності впливу шкідливих речовин на параметри хіральних фотонних кристалів. Встановлено, що взаємодія холестеричного рідкого кристала з парою шкідливих речовин призводить до зміщення фотонної забороненої зони. На підставі одержаних експериментальних результатів розроблено сенсор шкідливих речовин. Розроблено систему детектування оптичного сигналу сенсора, яка дозволяє проводити в режимі реального часу моніторинг температури та з високою достовірністю інтерпретує сигнал сенсора. Вперше розроблено пленарний оптичний підсилювач на основі суміші нематичного рідкого кристала з барвником, який дозволяє підсилювати оптичний сигнал сенсора без перетворення в електричний сигнал.

Досліджено вплив парів органічних речовин, таких як ацетон, етанол та аміак на крок холестеричної спіралі. Показано, що вплив парів таких речовин призводить до зміни кроку надмолекулярної спіральної структури, що дозволяє створити первинний перетворювач на основі Р33-лазера для реєстрації таких речовин.

Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531.24

Рубрики:

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ