Розвинуто ідеологію дворівневої динамічної адресації для бістабільних холестеричних рідкокристалічних дисплеїв (ХРКД). Запропоновано метод апроксимації електрооптичних характеристик ХРКД, який дозволяє на порядок швидше, ніж у разі застосування стандартного експериментального дослідження, визначити характеристики майбутнього дисплею, а саме: швидкості адресації, яскравість та контраст зображення, величину напруг в електричних сигналах керування, максимальний рівень мультиплексування та допуску за неоднорідності товщини шару холестеричного рідкокристалічного матеріалу (ХРК-матеріалу) в дисплеї. Розроблено методи для визначення цього допуску, а саме: метод прямого вимірювання на клиноподібній комірці - метод "клину", та метод непрямого вимірювання - метод "динамічного гістерезису", який дозволяє проводити всі необхідні дослідження в автоматичному режимі на тестових зразках з фіксованою товщиною шару ХРК-матеріалу. Запропоновано методи побудови керувальних сигналів ("вдосконалений" та "2-з-5") та два алгоритми розгортки ("компенсаційний" і "швидкий"), які дозволили збільшити швидкість дворівневої динамічної адресації та вирішити проблеми залежності значення контрасту зображення від змісту записаної інформації та від координат елементів індикації на дисплейній матриці.

Запропоновано новий спосіб триполіфосфатно-карбонатного вилучення суми рідкісноземельних елементів, оптимізовано шляхи та умови одержання аналітичної спектрофотометричної форми. Досліджено селективність запропонованого способу осаджувального вилучення і показано, що на результати не впливають 100-кратні кількості таких елементів, як Ca(II), Mg(II), Sr(II), Cu(II), Co(II), Ni(II), Cr(III), Mo(VI), V(V) у разі використання фотометричного реагенту арсеназо I.

Представлено аналіз трансформаційних переходів холестеричних рідких кристалів в бістабільних холестеричних рідкокристалічних дисплеях у випадку застосування дворівневих динамічних способів запису інформації, а також наведено алгоритм експериментального дослідження, що дозволяє визначити для цих способів запису параметри електричних сигналів.