Пошуковий запит: (<.>U=К345.5$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 108
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Ж14257 Червоный И. Ф. Индукционная бестигельная зонная плавка кристаллов кремния большого диаметра [Текст]: 3 // Пробл. спец. электрометаллургии.-С.38-42
|
2. | Ж70153 Приварников О. А. Исследование процессов механической обработки при изготовлении подложек и многослойных полупроводниковых пластин [Текст] / О. А. Приварников: Вып. 3 // Металлургия.-С.78-80
|
3. | Ж70153 Фалькевич Э. С. Очистка кремния бестигельной зонной плавкой [Текст] / Э. С. Фалькевич, И. Ф. Червоный: Вып. 3 // Металлургия.-С.36-40
|
4. | Ж28347 Червоный И. Ф. Перспективы развития технологии получения высокочистых монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки [Текст] / И. Ф. Червоный: 2 // Металлург. и горноруд. пром-сть.-С.79-83
|
5. | Ж26988 Таланін В. І. Трансформація мікродефектів у процесі технологічних впливів [Текст] 46: 1 // Укр. фіз. журн.-С.74-76
|
6. | Ж70153 Трубицын Ю. В. Усовершенствование метода бестигельной зонной очистки кремния [Текст] / Ю. В. Трубицын: Вып. 3 // Металлургия.-С.40-45
|
7. | Ж26988 Варніна В. І. Вплив радіаційних дефектів на преципітацію кисню в кремнії при термообробці [Текст] 46: 2 // Укр. фіз. журн.-С.205-210
|
8. | Ж14479 Соловьев О. В. Способ электродугового восстановления кремния [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.60-61
|
9. | ВА625472 Олексеюк І. Д. Одержання і дослідження неорганічних напівпровідників [Текст] : Лаб. практикум
|
10. | Ж14479 Олих Я. М. Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge. [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.9-13
|
11. | ВА653322 Таран Ю. Н. Полупроводниковый кремний: теория и технология производства [Текст]
|
12. | Ж26618 Andrzej Misiuk. Misiuk Effect of high temperature-pressure on silicon surface layers in Si : H,He (Si : He) and Si : N [Текст] 4: 2 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.243-249
|
13. | ВА686207 Егоров С. Г.Запорож. гос. инж. акад. Конвекционные течения в расплавах полупроводников [Текст] : Моногр.
|
14. | Ж14479 Рогов Р. В. Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.52-54
|
15. | Ж14161 Новосядлий С. П. Активація домішок в субмікронній технології формування структур BІC [Текст] 24: 6 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.777-793
|
16. | Ж14161 Новиков М. М. Вплив ізовалентних домішок свинцю та олова на дефектну структуру термооброблених кристалів кремнію [Текст] 26: 2 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.261-268
|
17. | Ж14257 Егоров С. Г. Исследование электромагнитных полей плавильного и подогревающего индукторов при бестигельной зонной плавке [Текст]: 2 // Соврем. электрометаллургия.-С.34-36
|
18. | Ж14309 Порев В. А. Компенсация излучения электрода при исследовании температурного поля зоны плавки [Текст]: 4 // Техн. диагностика и неразрушающий контроль.-С.55-56
|
19. | Ж14846 Аснис А. Е. Математическое моделирование тепловых и гидродинамических процессов при электронно-лучевой бестигельной зонной плавке монокристалла кремния в условиях микрогравитации [Текст] 8: 5-6 // Косм. наука і технологія.-С.112-116
|
20. | Ж14846 Баранський П. І. Мікрогравітація і надвисокий вакуум - специфічні компоненти технологічного середовища і нові можливості напівпровідникової технології [Текст] 8: 4 // Косм. наука і технологія.-С.96-99
|
| |