Розглянуто питання моделювання газофазної операції "дифузія" в проточному реакторі в процесі виробництва інтегральних схем. Розроблена математична модель дозволяє отримати характеристики газового потоку в реакторі і оцінити їх вплив на величини розкиду поверхневої концентрації домішки по поверхні пластини та групи пластин.

Розроблено дифузійну модель процесу формування тонких силіцидних плівок на кремнії. Одержано розрахункові формули для визначення швидкості руху міжфазної границі силіцид-кремній і часу закінчення формування силіцидного шару залежно від товщини напиленої металевої плівки, температури відпалу, коефіцієнта дифузії та максимальної розчинності дифузанта в силіциді.

В процессах поперечного травления изменяются толщина и профиль маскирующих слоев. Полученные аналитические зависимости позволяют выполнять инженерный анализ при разработке технологии и топологии интегральных компонентов и схем, также микросистем с датчиками балочных конструкций.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-06

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Расмотрены преимущества и достоинства толстопленочной гибридной технологии и некоторые недостатки метода, которые следует учитывать при разработке и в производстве электронной аппаратуры. Рассмотрены результаты создания, освоения в производстве и применения комплектов специальных материалов для изготовления толстопленочных микросборок, схемных плат печатного монтажа, сборки и монтажа электронных компонентов на поверхность.

С помощью современных средств диагностического микроанализа установлены закономерности изменения электрофизических параметров гальванического покрытия Ni - B корпусов ИС в процессах ультразвуковой сварки внутренних Al-выводов и герметизации корпусов. Выбран оптимальный состав электролита, обеспечивающий увеличение теплостойкости данных корпусов с легированным никелевым покрытием, что в сочетании с локальным золочением позволяет выполнять монтаж кристаллов через эвтектический подслой Si - Au.

By use of modern diagnostic microanalysis regylarity of electrophysical parameters of galvanic IC Ni - B coating in process of ultrasonic welding of internal Al-contact and packing body are established. Optimum composition electrolyte witch provide increasing of heat irradiation of IC body with alloying Ni coating is selected. Last would be use in combination with local gilding for crystals mounting under eutectic.

Экспериментально установлено, что акустические волны, генерируемые десятиваттным излучателем на частоте 60 Гц, снижают на одну треть температуру электронагревателя мощностью 10 Вт.

It has been expermentally proven that acoustic waves produced by a low frequency generator at 60 Hz lowers the temperature of the 10 Watt electric heater by 1/3.

Рассмотрены результаты разработки и осуществления базового процесса диффузии фосфора для формирования активной области силового кремниевого транзистора. Показано, что полученные оптимальные технологические режимы данного процесса с примененеием твердого планарного источника позволяют получать транзисторы с улучшенными электрофизическими характеристиками.

The results of the development and realization of the basic process of the phosphorus diffusion for the formation of the active region of the power silicon transistor have been considered. It is shown that the obtained optimum technological conditions of the phosphorus diffusion using solid planar source allow to get the transistors with improved electrophysical parameters.

Рассмотрена методика исследования технологического процесса производства интегральных микросхем с целью повышения качества готовой продукции в условиях производства. Предложен эффективный метод определения математических моделей, описывающих зависимость выходных показателей качества изделий от технологических факторов по результатам измерений параметров непосредственно в производственном процессе (на базе пассивной информации).

The article deals with the technique of research of technological process of IC manufacture with the purpose of improvement of quality of production in real manufacture conditions. The effective method of definition of mathematical models describing dependence of output quality parameters from technological factors on base of measurements of parameters directly in production (the passive information) is suggested.

Исследованы методы изготовления фотонных кристаллов для нанофотонных интегральных микросхем. Проведен сравнительный анализ существующих технологий. Рассмотрены перспективы применения этих технологий в условиях промышленного производства устройств на основе фотонных кристаллов. Сделаны выводы по применению методов в различных промышленных условиях.

The fabrication devices based on photonic crystal methods review is present. The author drew a comparison analysis between existing technologies. Perspectives of the using these technologies in photonic crystal devices industrial production condition were considered. It was made conclusion on using the methods in different industrial condition.

Установлено, что оценка качества пленки после различных технологических операций изготовления ИС может проводиться по изменению спектра пропускания пленки. Это позволяет исключить брак ИС, обусловленный обрывом слоя металла.

Встановлено, що оцінка якості плівки після різних технологічних операцій виготовлення ІС може проводитися по зміні спектра пропускання плівки. Це дозволяє виключити брак ІС, обумовлений обривом шару металу.

It is established, that the estimation of quality of a film after various technological operations of IC manufacturing can be realized by means of changing the transmission spectrum of the film. It allows to exclude rejects of ICs caused by breakage of a metal layer.

Запропоновано математичну модель іонної імплантації, яка базується на методі Монте-Карло, що дозволяє підвищувати точність моделювання з урахуванням основних законів взаємодії іона з атомами багатокомпонентної мішені.

Исследован процесс плазмохимического травления (ПХТ) пленок силицидов титана и молибдена различного состава во фторсодержащей плазме. Показано влияние интенсивности ионной бомбардировки, скорости генерации химически активных частиц, состава плазмообразующей смеси и элементного состава обрабатываемой поверхности в процессе ПХТ на кинетику травления силицидных пленок. Выявлены существенные различия в характере ПХТ силицидов титана и молибдена, проявляющиеся в немонотонной зависимости скорости травления силицидов молибдена от соотношения концентраций его компонентов и уменьшении скорости травления силицидов титана при повышении содержания кислорода в плазме и на его поверхности. Даны практические рекомендации по улучшению воспроизводимости и качества процесса ПХТ силицидных пленок для формирования элементов интегральных схем.

Розглянуто особливості поліімідних композицій і процесів формування на їх основі масок для високоенергетичної багатозарядної імплантації, міжшарової ізоляції та захисних пасивуючих покриттів субмікронних структур великих інтегральних схем.

Предложен метод контроля толщины полупроводниковой пластины в процессе производства, позволяющий повысить его производительность и качество изделий. Для проверки предложенных теоретических положений проведены экспериментальные исследования, приведено описание экспериментальной установки, методики проведения измерений, приводятся результаты.

Висвітлено основні напрямки та результати розробок мікросенсорів і мікросистем Державного наукового центра Російської Федерації НПК "Технологический центр" МИЭТ. З використанням базових технологічних процесів і устаткування мікроелектронного виробництва розроблено універсальну технологію об'ємної мікрообробки кремнію та методи її інтеграції з технологією аналого-цифрових ІС. ?аведено основні характеристики та конструкції сенсорів механічних величин: тиску, прискорення, сили.

Ключ. слова: aрсенід галію, технологія металізації, вакуум, омічний контакт, НВЧ польовий транзистор
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-060.7 + З852.3-060.7

Рубрики:

Інтегральні схеми

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено математичний аналіз залежності електричного опору мікроконтактного з'єднання (МКЗ) від його геометричних розмірів і перехідного опору. Розроблено програми розрахунку. Встановлено, що у запропонованій моделі ширина і товщина плівкового провідника здебільшого не істотно, а зміна діаметра дроту - істотно впливають на опір МКЗ. Для малих розмірів МКЗ його опір визначається, переважно, перехідним контактним опором.

Предложены алгоритмы проверки ограничений на топологических слоях, которые должны выполняться при изготовлении интегральных схем, применительно к автоматизированным системам визуального контроля качества. Технология обработки, положенная в основу алгоритмов, включает в себя сегментацию изображений топологического слоя, выделение на них типовых образов с последующей их обработкой для определения дефектов. Особенностью технологии является то, что проверка на удовлетворение конструкторско-технологическим требованиям выполняется на разных этапах обработки. При этом трудоемкая процедура сравнения тестируемого изображения с эталонным с целью локализации дефектов осуществляется лишь для отдельных фрагментов изображения. Алгоритмы проверки ограничений являются составной частью системы обработки топологических слоев, которая применяется как для восстановления топологии интегральных схем, так и для контроля изготовления.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-06

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ