The regularities of dislocation motion in silicon crystals containing electrically active thermodonors have been studied using selective chemical etching. The introduction of charged thermodonors (TD) into these crystals leads to increasing the delay time and start stresses of dislocation motion as well as a decrease of their velocity. The magnitude of the electroplasticity effect is strongly dependent on the TD nature. The obtained results are discussed in terms of the formation of the specific impurity atmospheres around TD, which causes a change of the Coulomb constituent of the discolation-impurity interaction.

Обсуждены актуальные проблемы воздействия высокого давления на дислокационные механизмы пластической деформации. Исследовано влияние размеров кристалла на сверхзвуковое динамическое зарождение дислокаций. Изучена зависимость энергетического барьера зарождения винтовой дислокации на свободной поверхности от скорости зарождения для кристаллов различных размеров. Установлено наличие минимума на такой зависимости. В первом приближении найдены аналитические выражения для положения этого минимума, величины минимального барьера и его зависимость от размера кристалла. Получено уравнение для определения критического размера кристалла, меньше которого сверхзвуковое пластическое формоизменение энергетически выгоднее дозвукового.

На базі уявлень механіки тіла, що деформується, та теорії дислокацій проведено моделювання центральної області локального вигину, яка подається у вигляді двох рядів крайових дислокацій протилежного знаку, розміщених під кутом до нейтральної поверхні. Знайдено вираз для кута локального вигину, градієнт якого можна порівнювати з результатами електронно-мікроскопічного визначення компонент тензора вигину-крутіння. Визначено параметри дислокаційної моделі локального вигину, розраховано поля деформацій та оцінено поля напружень, викликані локальним вигином у необмеженому кристалі.

Числовими методами в широкому інтервалі частот вимушених коливань і за різних рівнів задемпфірування вивчено динаміку вимушених коливань одиничної дислокаційної петлі. Одержано залежність дислокаційної деформації і розсіюваної потужності від зовнішньої напруги за різних рівнів задемпфірування. Вивчено амплітудні залежності таких інтегральних характеристик динаміки руху дислокацій, як внутрішнє тертя, дефект модуля пружності та їх співвідношення. Встановлено критичне значення рівня задемпфірування дислокаційної петлі, за якого дислокаційний гістерезис починає втрачати статичні та набуває динамічних рис. Вивчено особливості формування дислокаційного гістерезису за умов його трансформації від статичного типу до динамічного.

The regularities of a depinning of aged individual screw dislocations from the pinning centers are studied. It is determined that the ageing process at the ageing time of 216 - 500 hours under consideration only increases the time of depinning from such centers. This process is similar with the process of dispersion hardening of materials.

З використанням методу функцій стрибка досліджено квазістатичне поле напружень і концентрацію напружень поблизу тонкої стрічки на межі поділу матеріалів під час емісії з неї у простір гвинтових дислокацій. Побудовано аналітичні розв'язки у випадках скінченних і півнескінченних тріщин та абсолютно жорстких плівок.

Исследовано влияние вида упругих полей дефектов на характер дислокационного торможения в области коллективного взаимодействия дефектов с дислокацией. Получено условие, при котором торможение дислокации имеет квазивязкий характер.

Розвинуто мікроскопічну теорію електронного стану кристалів з дислокаціями. З урахуванням електрон-деформаційної взаємодії в межах цієї моделі розраховано заповнення електронних станів кристала з поодинокою краєвою прямолінійною дислокацією і зі стінкою дислокацій.

Приведено локальное решение задачи упругого равновесия тела с круговым коническим, а также пирамидальным включениями. Установлено распределение локальных напряжений и смещений в окрестности конических точек и дан анализ полученных результатов.

Показано, що за певних умов великокутові межі зерен слід розглядати як двовимірну впорядковану кристалічну структуру. Встановлено, що поряд з відомим ефектом розширення гратки біля меж зерен можливе формування в ядрах меж площин з подвоєною атомною щільністю. Відсутність помітного впливу взаємодії з атомами, які лежать в примежових областях, на формування атомної конфігурації таких щільноупакованих площин дозволяє зробити висновок про можливість трактування великокутових меж зерен як двовимірних кристалів з характерними для них дефектами будови - нуль-вимірними дислокаціями. Показано, що вклад в радіаційну повзучість можуть вносити специфічні елементи структури таких меж зерен - диполі нуль-вимірних зерномежових дислокацій.

Исследован выход винтовой дислокации на стационарный режим движения. Получено выражение для скорости стационарного движения дислокации, изучена зависимость характера переходного процесса от типа точечных дефектов.

У рамках моделі деформаційного потенціалу з врахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано спектр електрона, локалізованого поблизу крайової дислокації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3 + В372.313

Рубрики:

Квантова теорія

Дислокації

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.18 + В372.313

Рубрики:

Ультразвукові методи структурного аналізу

Дислокації

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.313

Рубрики:

Дислокації

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.313 + В378.221

Рубрики:

Дислокації

Домішки. Дислокації

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.313 + В368.3

Рубрики:

Дислокації

Фізика низьких температур

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние дислокационного взаимодействия на спектр дислокационных колебаний. Показано, что такое взаимодействие приводит к возникновению активации в дислокационном спектре, что, в свою очередь, может повлиять на характер дислокационного движения.

Рассмотрена нелинейная упругая цепочка, находящаяся во внешнем двухбарьерном периодическом потенциале (обобщенная модель Френкеля - Конторовой). Изучены малоамплитудные динамические локализованные возбуждения, величины параметров которых находятся в щели спектра линейных волн системы и вблизи нее, - щелевые и околощелевые солитоны.

Исследовано движение трех краевых дислокаций, расположенных в плоскости, перпендикулярной их плоскостям скольжения, в кристалле, содержащем хаотически распределенные точечные дефекты. Получено выражение для величины смещения дислокаций из этой плоскости в процессе движения и условие отрыва дислокаций от данной дислокационной системы.