Розглянуто так звані інтегральні (усереднені в певному об'ємі кристала) характеристики структурної досконалості кристалічного середовища - статичний фактор Дебая - Валлера та коефіцієнт поглинання за рахунок розсіювання X-променів на дефектах структури різної природи, які дозволяють визначити реальну будову монокристала на кількісному рівні. Розглянуто методи їх дослідження, що грунтуються на висновках динамічної теорії розсіювання X-променів реальними кристалами.

Ключ. слова: EXAFS-метод, гидриды, слоистые соединения, рентгеновский спектр поглощения, локализация водорода
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3 + В374.73

Рубрики:

Кристалічний стан твердого тіла

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.73

Рубрики:

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На базі з відомої кристалічної структури delta-фази твердого кисню проаналізовано можливий вид її спектра поглинання в поляризованому світлі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.3 + В374.73

Рубрики:

Фізика низьких температур

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.73 + В375.1

Рубрики:

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: cadmium arsenide, electronic band structure, Bodnar model, dielectric function, optical transitions, spin splitting of bands
Індекс рубрикатора НБУВ: В374.73

Рубрики:

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В374.73

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The growth condition effect of gallium phosphide monocrystals grown by Czochralski method on change of microhardness, photoluminescence and edge absorption spectrum under the action of high power pulsed laser radiation has been studied. The modifications of microhardness and edge absorption curves, increases in a number of radiative recombination centers has been associated with laser stimulated dissociation of the region rich of impurities, generation of defects and their interaction with intrinsic defects.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.73

Рубрики:

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

We consider a problem on behaviour of narrow-forbidden band semiconductors in external crossed laser and constant magnetic field and propose the new numeric algorithm for solution of Dirac type equation of two-band approximation and calculation of probabilities for two-photon magnetic absorption. The similar numeric algorithm is developed to calculate the characteristics of multi-photon absorption and ionization in the atomic systems within the new approach, which is based on the relativistic perturbation theory method and S-matrix adiabatic Gell-Mann and Low formalism. As example a calculation of probability of the two-photon detachment in some negative ions is carried out.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.73

Рубрики:

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

A new consistent quantum-mechanical approach is developed for description for key features of the electro-absorption in solids, semiconductors and photoionization of negative ions in the presence of electric field. Numeric calculation data on photoionization of negative ion in an electric field are presented. It is noted that the field dependence of electro-absorption cross-section can be used for defining the configuration (momentum) of states and relative distribution function for impurity centres in multi-component doped semiconductors.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В374.73

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The anomalies of the absorbed dose distribution of electrons near the boundary of contacting materials at orientation in parallel with incident electron beam were predicted by computer simulation with use the ModeRTL software. Dosimetric experiments were performed on radiation-technological line to validate the theoretical predictions. Heterogeneous targets were irradiated by scanning electron beam with electron energy 10 MeV on moving conveyer. The basic laws predicted by simulation methods on curves of depth-dose distribution of electrons near the boundary of contacting materials with different densities and/or atomic numbers were experimentally confirmed. The physical models for explanation of observed boundaries effects are considered in the report.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г534.424.3 + В374.73

Рубрики:

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.131-15 + В374.73

Рубрики:

Оксиди вуглецю

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г252.61-1 + В374.73

Рубрики:

Ароматичні кислоти

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж70795/Биол. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.73

Рубрики:

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж306.9 + В374.73

Рубрики:

Вплив радіоактивного та іншого випромінювання на властивості матеріалів

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Шифр НБУВ: Ж69605 Пошук видання у каталогах НБУВ