Виміряно провідність, рухливість та енергію активації носіїв заряду в рідкокристалічних системах синтетичного та біологічного походження за умов різних напруженостей електричного поля у широкому інтервалі температур. Обговорено процеси, що відбуваються в цих системах під впливом електричного поля і температури. Відзначено подібність результатів для синтетичних рідких кристалів і компонентів біомембран.

Розглянуто композитну систему: електронний невироджений напівпровідник, що містить як включення малі частинки нормального металу. Описано ефекти переходу електронів з напівпровідника на поверхню металевих частинок і перерозподілу зарядів між металевими наночастинками з урахуванням напівпровідникових властивостей середовища та величини об'ємної частки частинок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.11

Рубрики:

Електростатика. Електризація

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто сучасний стан досліджень взаємодії електромагнетного випромінення з наночастинками та матрично-дисперсними системами на їх основі. Наведено основні розрахункові формули у хвильовому та електростатичному наближеннях. Проаналізовано відомі на цей час результати для окремих частинок і відповідних дисперсних систем. Обговорено деякі числові результати, одержані авторами упродовж останніх років.

Рассмотрено влияние кулоновского взаимодействия на магнитную восприимчивость, химический потенциал и теплоемкость в графене.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372 + В377.11

Рубрики:

Структура твердих тіл

Електростатика. Електризація

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрен процесс резонансного туннелирования электронов через двухбарьерную наноструктуру под влиянием внешних шумов, обусловленных флуктуациями амплитуды и фазы в потоке электронов, падающих на туннельную систему. С учетом электростатического отталкивания в квантовой яме режим туннелирования при определенных значениях параметров становится бистабильным и приобретает повышенную чувствительность к шумам в точке нестабильности. Шум моделировался гауссовым процессом с нулевым временем корреляции. Исследовано влияние шумов на стационарную корреляционную функцию интенсивности прошедшего через систему потока электронов на 2-х ветвях гистерезисного цикла и в окрестности точки нестабильности. При вычислении корреляционной функции использован метод линеаризации уравнений движения в окрестности невозмущенного динамического режима. Результаты сравнивались с полученными при численной симуляции стохастических уравнений движения. Показано, что амплитудные и фазовые флуктуации по-разному влияют на спад корреляционной функции со временем. С увеличением интенсивности шума амплитуды площадь под кривой функции корреляции увеличивается, что свидетельствует об увеличении времени релаксации. Наоборот, с увеличением шума фазы время релаксации уменьшается. Получено удовлетворительное согласие численных результатов с аналитическими расчетами на спаде корреляционной функции.

The structure of cylindrical double layers is studied using a modified Poisson - Boltzmann theory and the density functional approach. In the model double layer, the electrode is a cylindrical polyion that is infinitely long, impenetrable, and uniformly charged. The polyion is immersed in a sea of equi-sized rigid ions embedded in a dielectric continuum. An in-depth comparison of the theoretically predicted zeta potentials, the mean electrostatic potentials, and the electrode-ion singlet density distributions is made with the corresponding Monte Carlo simulation data. The theories are seen to be consistent in their predictions that include variations in ionic diameters, electrolyte concentrations, and electrode surface charge densities, and are also capable of well reproducing some new and existing Monte Carlo results.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.11 в641 + В331 в641

Рубрики:

Електростатика. Електризація

Електростатика

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры MoRe - Si(W) - MoRe, состоящие из сверхпроводящих обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния с нанокластерами вольфрама. Вольт-амперные характеристики таких переходов были измерены в широком интервале напряжений от -900 до 900 мВ и при температурах 4,2 - 8 К под воздействием магнитного поля и СВЧ излучения. Предполагается, что полученные температурные зависимости сверхпроводящего критического тока и нормального сопротивления гетероструктуры указывают на возможность реализации в них режима кулоновской блокады, резонансного туннелирования и резонансно-перколяционного механизма транспорта в зависимости от содержания вольфрама в гибридном барьере и величины приложенного к образцам напряжения смещения. Измеренные характеристики позволяют предположить, что при превышении некоторого критического значения сверхтока в кластерах вольфрама возникают центры проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка.

Теоретично досліджено кулонівську взаємодію між електронами в протилежних подвійних шарах у наноструктурах з урахуванням дискретних електронних станів. Показано, що за певного співвідношення між шириною подвійних шарів і відстанню між ними кулонівська взаємодія є чутливою до енергетичних станів взаємодіючих електронів.

To determine electrostatic potentials in silicon channel of undoped DG SOI MOSFET devices, a graphical approach is proposed. The method keeps close to experimental reality by taking into account flat band potential at reduced channel lengths up to 25 nm. This graphical method solves a transcendental equation of Poisson's equation to obtain electrostatic potentials at center and surface of device as a function gate and drain bias voltages.

In this paper, the electrostatic theory of the nanowire radial core-shell p-i-n homojunction has been considered. The carried out calculations show that, in contrast to planar p-i-n diode, the built-in electric field of the nanowire radial p-i-n diode proves to be inhomogeneous. This field reaches its maximum in the region of the i-layer adjoining to the core. When moving away the i-layer from the nanowire center, the degree of field inhomogeneity decays, and both edge values of the field in the i-layer reach eventually the magnitude, which takes place in analogous planar p-i-n diode. This magnitude can be both higher and lower than the maximal field in the nanowire p-i-n diode (depending on doping conditions). Simultaneously, the capacitance of the nanowire p-i-n diode can both increase and decrease in its value, going, at the same time, to weak voltage dependence inherent to the planar p-i-n diode.