Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В рамках дипольного наближення розраховується форма лінії вбирання світла при екситонних переходах між широкими зонами в одно-, дво- і тривимірних органічних напівпровідникових структурах. Враховується загасання екситона на неоднорідностях гратки як параметр, не залежний від частоти. Отримані аналітичні вирази дозволяють аналізувати форму лінії для структур різної просторової розмірності в залежності від різниці ширини зон, параметра загасання і температури.

Дається аналіз можливості розподілу рухомих точкових дефектів в напівпровіднику після дії на нього електричного поля до встановлення стаціонарних умов. Розглядаються два способи прикладання напруги: а) безпосередньо до зразка, б) до обкладинок конденсатора, між якими поміщається зразок. Модель також можна застосовувати для електричних полів будь-якої природи - як зовнішніх так і внутрішніх, що виникають, наприклад, на контакті метал-напівпровідник.

Визначено вплив пористості та відношення розмірів частинок провідника і діелектрика на критичну концентрацію провідної фази в зернистих гетерогенних системах.

Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований диффузии примесей в монокристаллические пластины кремния при воздействии лазерного инфракрасного излучения и влияния напряжений на этот процесс. Рассмотрен лазерный нагрев пластины путем облучения всей ее поверхности однородным пучком и сканирования поверхности узким пучком. Во втором случае температурные напряжения достигают границы текучести материала, о чем свидетельствуют значительные искажения кристаллической решетки и остаточные напряжения. Предложена математическая модель для описания механотермодиффузионных процессов, воспроизводящая форму экспериментальных диффузионных кривых. Исследования выявили способы целенаправленного влияния на свойства диффузионных слоев, в частности, на концентрационный профиль. Если при легировании создать упругую деформацию, изменяющуюся по толщине, то, в зависимости от знака градиента деформации, можно приблизить либо отдалить максимум концентрационной кривой от поверхности пластины.

Изучены при 77 К зависимости положения максимума и полуширины краевой полосы люминесценции в полуизолирующих специально нелегированных кристаллах GaAs от содержания в них фоновых легкоионизируемых примесей C и Si. Установлено, что повышение их концентрации приводит к сдвигу в низкоэнергетическую область положения ее максимума и увеличению ее полуширины. Наблюдаемый эффект в основном связан с уширением экситонной составляющей краевой полосы люминесценции вследствие повышения эффективности излучательной аннигиляции свободных экситонов при их взаимодействии с легкоионизируемыми примесями C и Si.

Експериментально досліджено вплив імпульсного лазерного випромінювання (ЛВ) на динаміку дислокацій у кристалічному кремнії. Дослідження проведено на кристалах кремнію до і після збудження електричним струмом. Доведено можливість керування пластичними властивостями кремнію шляхом застосування ЛВ. Висловлено припущення про механізми, що лежать в основі взаємодії ЛВ з дефектами кристалічних грат кремнію.

Експериментально і за допомогою числового розв'язання рівнянь Такагі досліджено вплив слабких і сильних спотворень, створених дією зосередженого навантаження, на формування товщинних осциляцій інтенсивності в клиноподібному та плоскопаралельному кристалах кремнію. Показано, що у випадку слабких деформацій на формування маятникових смуг впливають процеси розсіяння, які обумовлюють згин і фокусування (дефокусування) траєкторій рентгенівських променів під час проходження крізь середовище зі змінним показником заломлення. В області сильних спотворень - процеси міжгілкового розсіяння.

Наведено експериментальні результати досліджень мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, отриманих методом безтигельної зонної плавки. Встановлено, що поблизу фронту кристалізації значення концентрацій вакансій і міжвузловинних атомів кремнію однакові. Розпад твердого розчину власних точкових дефектів проходить за двома незалежними механізмами - вакансійному та міжвузловинному. За результатами проведених експериментів визначено механізм утворення мікродефектів.

Побудовано нелінійну модель процесу формування активних областей напівпровідникових приладів на основі радіаційно-стимульованої дифузії. Для одержаної системи нелінійних рівнянь у частинних похідних розроблено скінченнорізницевий метод знаходження наближеного розв'язку. Наведено порівняльну характеристику результатів розрахунків за різноманітними моделями.

Описано оптичні та електричні властивості спеціально нелегованих та легованих міддю монокристалів сульфіду кадмію з дефектами, створеними при опроміненні їх електронами з енергією 1,2 МеВ. Досліджено дозові залежності утворення та температурні залежності відпалу радіаційних дефектів у цих кристалах. Аналіз одержаних результатів дав можливість вивчити закономірності утворення первинних радіаційних дефектів та їх комплексів у цих кристалах. Зроблено висновки про структуру дефектів, які зумовлюють смуги зеленої (З), оранжевої (О), червоної (Ч) та інфрачервоної (ІЧ) люмінесценції CdS та про їх перебудову при відпалі опромінених зразків.

У рамках кінетичних схем Гольданського - Прокоп'єва і Брандта - Зеєгера проаналізовано спектр позитронних станів у реальних кристалах кремнію, що містять кисень, легувальні домішки та дефекти структури різної природи.

Показано, что увеличение содержания углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия приводит к существенному возрастанию в них концентрации дивакансий галлия. Отмеченное наиболее вероятно связано с заполнением атомами углерода вакансий мышьяка, входящих в состав комплекса дивакансия мышьяка - дивакансия галлия.

Исследована температурная зависимость изменения коэффициента линейного расширения монокристаллического кремния, отличающегося легирующими элементами . Установлено, что в зависимости от легирования существенно изменятся вид дилатометрических кривых, а также величина максимального удлинения образцов. Наличие на дилатометрических кривых интервалов, в которых скачкообразно изменяется коэффициент линейного расширения, объясняется структурными и фазовыми превращениями, проходящими в соответствующих температурных областях. Получены снимки микроструктуры кремния, подвергнутого термической обработке в процессе дилатометрических измерений, подтверждающие данное предположение.

Досліджено періодичну неоднорідність монокристалів дифосфіду кадмію. На основі проведених досліджень (температурної залежності ширини забороненої зони) та спектроскопічних вимірювань (мас-спектроскопії вторинних іонів, резерфордівського зворотнього розсіяння) показано, що в монокристалах шари з більшою оптичною густиною характеризуються наявністю підвищеної концентрації вакансій кадмію і комплексів на їх основі, не виключена участь власних дефектів типу міжвузловинного кадмію. Причиною утворення додаткової кількості дефектів є особливий кінетичний ефект у процесі росту кристалів - надстабільні коливання температури.

Наведено експериментальні результати досліджень мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, отриманих методом безтигельної зонної плавки після різноманітних термічних обробок. Зроблено висновки щодо особливостей перетворення мікродефектів у результаті різних високотемпературних технологічних впливів. За результатами проведених експериментів установлено механізм трансформації первинних ростових мікродефектів.

Ключ. слова: photodarkening, chalcogenide glasses, nanoparticles, SiO-As_2S_3, SiO-As_2Se_3
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: подвiйне променезаломлення, поляризацiя, модуляцiя, фотонапруга, анiзотропiя, термiчна напруга
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.222

Рубрики:

Квантова теорія

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ