На основании экспериментальных результатов, полученных при облучении моноэнергетическими потоками электронов с энергией до 30 кэВ, сделан вывод о том, что поверхностно-барьерные структуры на основе поликристаллического CdS перспективны для разработки эффективных детекторов бета-излучения "мягких" энергий. Преимуществами таких структур являются высокие токовая и вольтовая чувствительности, а также линейная в широком динамическом диапазоне дозиметрическая характеристика.

Ключ. слова: радiацiйнi дефекти, gamma-випромiнювання, електронний кремнiй, електронний германiй, радiацiйна стiйкiсть
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено процеси утворення, анігіляції, дисоціації первинних радіаційних дефектів в кремнії та можливий вплив неконтрольованих стоків для вакансій міжвузловинних атомів на величину ефективності утворення радіаційних дефектів (ЕУД). Встановлено, що існує єдина порогова енергія для утворення пар Френкеля, яка дорівнює (12,5 +- 0,5) еВ. Показано, що вплив неконтрольованих стоків для первинних дефектів не визначає величину ефективності утворення вторинних радіаційних дефектів. Величина ЕУД контролюється процесами анігіляцїї чи дисоціації первинних дефектів - пар Френкеля. Отримано формулу для залежності ЕУД від температури та концентрації носіїв заряду.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За методами двокристальної дифрактометрії досліджено вплив імпульсного лазерного опромінення на структуру Ві-заміщених ферит-гранатових плівок, вирощених на підкладці галій-гадолінієвого гранату. Показано, що структурні зміни в цих плівках залежать не тільки від густини енергії в імпульсі, а й від способу опромінення, тобто застосування дво- і трикратного опромінення тими ж енергіями.

The influence of pulse laser irradiation on structural perfection of Bi-substituted ferrite-garnet films which have been grown on a GGG substrate is investigated by the methods of a two-crystal X-ray diffractometry. It is shown, that structural modification on these films are due from energy density on impulse and from manner of irradiation too (through two- and three-time irradiation by those energy)

Наведено результати багаторічних досліджень опроміненого високоенергетичними частинками кремнію, які проводились у відділі радіаційної фізики Інституту ядерних досліджень НАН України. Проведено огляд літературних даних, які стосуються впливу ядерного опромінення на спектри інфрачервоного поглинання кремнію. Подано відомості про характер утворюваних порушень у гратці кремнію.

Приведены результаты многолетних исследований облученного высокоэнергетическими частицами кремния, которые проводились в отделе радиационной физики Института ядерных исследований НАН Украины. Проведен обзор литературных данных, касающихся влияния ядерного облучения на спектры инфракрасного поглощения кремния. Изложены сведения о характере образующихся нарушений в решетке кремния.

Вперше систематизовано результати досліджень модуляції випромінювання монокристалічного кремнію у спектральному діапазоні внутрішньозонних електронних переходів. Проаналізовано механізм впливу випромінювання з області фундаментального поглинання напівпровідника на його теплове випромінювання в широкому діапазоні температур. Розкрито залежності ефективності такого "перетворення світла" від параметрів зовнішніх впливів і параметрів кристалів монокристалічного кремнію. Запропоновано нові типи фотонних інфрачервоних випромінювачів і безконтактні оптичні методи вимірювання рекомбінаційних параметрів у напівпровідниках.

Впервые систематизированы результаты исследований модуляции излучения монокристаллического кремния в спектральном диапазоне внутриозонных электронных переходов. Проанализирован механизм влияния излучения из области фундаментального поглощения полупроводника на его тепловое излучение в широком спектре температур. Раскрыты зависимости эффективности такого "преобразования света" от параметров внешних влияний и параметров кристаллов монокристаллического кремния. Предложены новые типы фотонных инфракрасных излучателей и безконтактные оптические методы излучения рекомбинационных параметров в полупроводниках.

Досліджено дію лазерного випромінювання з довжиною хвилі lambda = 0,694 мкм, енергією в імпульсі W ~ 1,6 Дж і тривалістю tau = 1 мс на поверхню (112) монокристалічного германію. Шляхом розв'язання диференціального рівняння теплопровідності отримано залежності густини оптичної потужності, яку поглинає поверхня Ge, від часу опромінення, а також розподіл температури на поверхні вздовж радіуса лазерної плями. Проаналізовано фізичний механізм виникнення дислокацій на ділянці з температурою ~450 К, де фотонагрівання не є головним фактором дефектоутворення. Зроблено висновок, що дислокації в лінійно-періодичних структурах виникають завдяки гетерогенному зародженню і розширенню призматичних петель, орієнтованих у періодично-індукованому полі концентрації вакансій.

The influence of 1 ms laser pulse with energy 1.6 J and wavelength 0,694 мm on the surface (112) of Ge single crystal was investigated. Time dependence of optical power density absorbed by the Ge surface as well as temperature distribution on the surface along the laser spot radius was found by solving the heat-conduction equation. Physical mechanism of dislocation generation in the spot area with temperature ~450 K, where heating was not the main factor of defect generation, was analyzed. It was concluded that dislocations ranged in linear periodical structures were arising owing to heterogeneous springing and growing of prismatic loops oriented in periodic deformation-induced vacancy concentration field.

Проаналізовано процеси неадіабатичної взаємодії лазерного випромінювання як імпульсного, так і неперервного з антимонідом та арсенідом індію. Виявлено вплив режимів опромінення (спектрального складу та часу опромінення) на процеси незворотних змін в опромінюваних матеріалах. Акцентовано увагу на фотоіндукованій металізації напівпровідника, яка призводить до виникнення когерентних станів і структур, які важко або й неможливо отримати іншими методами. Сюди належать фазони, обірвані зв'язки, фулерени та інші кластери. Визначено час існування цих структур.

Processes of the nonadiabatic interaction laser irradiation (impulse and continuous) with InSb and InAs are analized. The influence of regimes of irradiation (spectral and time characteristics) on the processes irreversible changes in radiated materials are shown. The cause of the creation the coherent states and structures is the photoinduced metallization of semiconductor. These states may be phazons, dangling bonds, fulerens and other clasters and one can't be received other methods. The life timeof these structures is discussed too.

Ключ. слова: халькоген?дне скло, ?-опром?нення, структурна релаксац?я, диференц?альна сканувальна калориметр?я
Індекс рубрикатора НБУВ: Л43-106.4 + В379.227

Рубрики:

Скло і скловироби

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271.51

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В376.1 + В379.227

Рубрики:

Твердість. Пружність. Поширення звуку (пружних коливань) в монокристалах

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.227 + К297.091

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Вплив опромінювання на структуру і властивості аморфних сплавів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222в734.5 + В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ