Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.41$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
||||
| 1. | Borzyak P. G. Optical and photoelectric properties of silver-oxygen-cesium cathodes / P. G. Borzyak, N. D. Morgulis // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, спец. вип. - С. 61-64. - Библиогр.: 3 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Katerynchuk V. M. Photoemission spectra of indium selenide / V. M. Katerynchuk, M. Z. Kovalyuk, M. V. Tovarnitskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 4. - С. 36-39. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Akinlami J. O. Photoemission study of the electronic structure of praseodymium filled skutterudite (PrOsVB4DSbVB12D) / J. O. Akinlami, A. M. Awobode // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 237-240. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Голуб М. О. Фотоемісійні властивості плівки Si - Gd - O при енергії фотонів поблизу порогу фотоефекту / М. О. Голуб, П. М. Литвин, П. В. Мельник, М. І. Федорченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2017. - Вип. 4. - С. 157-164. - Бібліогр.: 12 назв. - укp. Проведено детальне дослідження фотоемісійних властивостей та рельєфу плівки Si - Gd - O з роботою виходу approx 1 еВ після додаткового нанесення на її поверхню моношарового покриття атомів Gd. Встановлено, що фотоелектронні спектри системи Si - Gd - O/Gd за енергії фотонів поблизу порогу фотоефекту є згорткою енергетичного розподілу електронів у забороненій зоні нижче рівня Фермі та енергетичного розподілу можливих для заповнення вільних поверхневих електронних станів, з яких електрони виходять у вакуум. Поверхневі електронні стани, в які потрапляють фотоелектрони перед виходом у вакуум, можуть відігравати роль пасток фотоелектронів, для виходу із яких необхідно прикладати додаткове прискорююче електричне поле. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.271.41 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського