Описано метод визначення товщин надтонких шарів методом синтезу Є-імпульсу, який забезпечує більш високі характеристики, ніж метод квазірозв'язку. Наведено результати реального експерименту.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.327

Рубрики:

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования угловых характеристик люминесценции кварца при облучении его ионами водорода и гелия. Изучено влияние различных параметров пучка бомбардирующих частиц на индикатрису излучения кварца. Показано, что индикатриса излучения необлученного кварца зависит от угла падения пучка на образец, сорта и энергии бомбардирующих ионов. Форма индикатрисы кварца в начале облучения зависела от величины поглощенной образцом дозы. При больших поглощенных дозах форма индикатрисы оставалась неизменной. Указано на возможность использования полученных результатов для дистанционного контроля за элементами конструкций термоядерных установок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.327

Рубрики:

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.327

Рубрики:

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Досліджено взаємозв'язок явища екзоемісії електронів і електронних релаксацій радіаційних дефектів. Проведено теоретичні дослідження термостимулювальної екзоемісії, зумовленої процесами рекомбінаційного відпалу комплементарних центрів забарвлення радіаційно опромінених кристалів CsBr і CsI. У рамках побудованої Оже-подібної рекомбінаційної моделі явища розраховано концентрації екзоемісійно-активних центрів і показано тотожність цих центрів та електронних F-центрів забарвлення. Розраховано ряд кінетичних параметрів процесів (енергію активації, частотний фактор, ефективний перетин рекомбінацій), а одержані їх значення підтверджують рекомбінаційну природу явища екзоемісії. В одноелектронному наближенні механізму рекомбінації дефектів для CsBr і CsI розраховано енергетичні спектри народжених екзоелектронів. Одержано характеристики цих спектрів, а також величину ймовірності подолання поверхневого енергетичного бар'єра екзоелектронами. Проведено модельні оцінки глибини виходу екзоелектронів, народжених у результаті екзореакцій, з урахуванням енергетичних втрат під час розсіяння на фононах та дефектах. Зроблено оцінки товщини екзоемісійно-активного приповерхневого скін-шару кристалу CsBr і показано ефективність екзоемісійного методу для дефектоскопії поверхні та тонких приповерхневих шарів. Розглянуто загасання струму ізотермічної екзоемісії, зумовленої тунелями та термоактивованими рекомбінаціями, за кімнатної температури. Шляхом формального аналізу експериментальних кривих загасання підтверджено другий порядок кінетики явища. Установлено, що термоактивовані рекомбінаційні комплементарні пари центрів забарвлення відіграють визначальну

Дисертацію присвячено питанням взаємодії іонізуючого випромінювання з діелектричними та напівпровідниковими кристалами (на прикладі NaCl, CrJ та CdS і CdS і CdTe) в широкому діапазоні температур (80 К-770 К). Встановлено, що домішка водню стимулює ефективність процесу радіолізу лужногалоїдних кристалів. Запропоновано модель процесу агрегатизації дефектів та виділення компонент діелектричних водневомісних кристалів, яка базується на високій ефективності утворення електронних та діркових центрів завдяки високій рухливості водневих дефектів. Показано, що низькодозне опромінення кристалів CdS та CdTe стимулює впорядкування структури в їх приповерхневих шарах. Обгрунтовано механізм термо- і механостимульованого виділення надстехіометричного кадмію з високодозно опромінених напівпровідникових кристалів.

  Скачати повний текст

На базі теоретично розрахованих характеристик енергетичних спектрів народжених екзоелектронів у широкозонних кристалах CsI за допомогою методу Монте-Карло досліджено вплив областей просторового заряду та електрон-фононних взаємодій на транспорт до поверхні та вихід у вакуум низькоенергетичних екзоелектронів. Застосовуючи комп'ютерне моделювання процесів розсіяння на LO-фононах за присутності однорідного електричного прискорювального поля, одержано модельні енергетичні спектри екзоелектронів, що досягли поверхні, як межі розділу. Спектри демонструють, що енергії, набуті екзоелектронами за їх дрейфового руху у приповерхневому шарі і які досягли поверхні, можуть бути достатні для подолання ними поверхневого енергетичного бар'єру та виходу з кристала (екзоемісії).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7 + В379.327

Рубрики:

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано, що запропонована раніше модель електромагнетотермомеханічних процесів у діелектричних матеріалах, яка враховує локальне зміщення маси, адекватно описує аномальну залежність електричної ємності тонких діелектричних плівок від їх товщини та нелінійність розподілу в них електричних полів. Таку аномалію спостерігав С. А. Мід під час вимірювання ємності тонких діелектричних плівок. Одержані результати узгоджуються з результатами, одержаними раніше Р. Д. Міндліним на базі градієнтної теорії п'єзоелектриків.

Уперше експериментально досліджено явище спонтанного вильоту субмікронних часток речовини з поверхні високорадіоактивних діелектриків. За спостережене явище відповідальні процеси формування розупорядкованих областей за рахунок внутрішнього самоопромінення та електронне розпилення поверхневих кластерів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.327,022

Рубрики:

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: РА402990 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто падіння плоскої електромагнітної ТМ-хвилі на багатошаровий діелектрик і визначено коефіцієнт відбивання. Кількісно оцінено вплив анізотропії проміжного шару між діелектричним покриттям і металевою основою на комплексний коефіцієнт відбивання.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.327

Рубрики:

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.702,022 + В379.327,022

Рубрики:

Фізика сегнетоелектриків (фероелектриків)

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: РА433218 Пошук видання у каталогах НБУВ