Уперше методом імпульсного електролітичного осаджування з одного електроліту на підкладках арсеніду галію одержано ультратонкі багатошарові Co/Cu- та CoNi/Cu-плівки з кількістю періодів 5 і 3, оптично прозорі у видимій області спектра, що виявляють властивості справді мультишарової структури - ефект гігантського ізотропного магнітоопору.

Дана краткая характеристика и сравнение метода Чохральского (ЖГЧ) с другими методами, а также его место в развитии технологии получения полиизолирующего арсенида галлия (ПИ-GaAs). Представлена информация о современных разработках ростового оборудования для производства ПИ-GaAs большого диаметра методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики вытягивающих установок нового и предшествующего поколений. Описаны тенденции разработок ростового оборудования, а также состояние отечественного машиностроения и промышленного производства арсенида галлия.

The brief characteristic and comparison of LEC method with other methods, and also its place in development of technology of reception SI-GaAs is given. The scientific and technical information on modern development the equipment for production SI-GaAs of the big diameter by LEC method is submitted. Comparative characteristics of extending installations of new and previous generations are resulted. Tendencies of development the equipment, and also a status of domestic mechanical engineering and industrial production of arsenide gallium are described.

Thermodynamic analysis in content of intrinsic defects for GaN was carried out. The causes depending the tendency of GaN to monopolar conductivity type were observed. The model for defect formation is suggested.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + З843.332

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-06

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-01

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены базовая конструкция и конструктивные особенности однопереходных солнечных элементов (СЭ) на основе арсенида галлия (АГ), технология их изготовления. Проанализирована возможность повышения эффективности и снижения стоимости СЭ на основе АГ за счет совершенствования конструкции и технологии их изготовления, а также за счет создания специальных типов СЭ. Применение концентраторов также позволяет существенно повысить эффективность СЭ из АГ. В настоящее время рекордные значения эффективности для однопереходных СЭ приближаются к 30 %, а для многопереходных СЭ на основе АГ - к 40 %. Повышенная радиационная стойкость и термическая стабильность СЭ на основе АГ обусловливает перспективность применения их также и в космосе.

Пористые конденсаты получены путем совместного осаждения в вакууме паровых потоков, сформированных электронно-лучевым разогревом мишеней хрома и галогенидов натрия. Изучено влияние температуры подложки на характеристики макропористой структуры конденсатов. Установлено, что пористость, тип и форма пор немонотонно зависят от температуры подложки. Максимальные значения пористости и степени вытянутости пор наблюдаются вблизи температуры подложки, при которой происходит смена формы роста кристаллитов от столбчатой к равноосной.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.315-27 + Г523.11 + З843.332

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: РА347090 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-06

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Охарактеризовано технології покращання деградаційної стійкості кристалів напівізолюючого арсеніду галію, кремнієвих наноструктур та сонячних модулів на основі кремнієвих сонячних елементів. Запропоновано метод покращання деградаційної стійкості кристалів напівізолюючого арсеніду галію до дії високочастотних (ВЧ) та термічних обробок за рахунок застосування попередніх плазмових обробок. Ці обробки формують частково відрелаксований порушений приповерхневий шар, який може гетерувати дефекти з решти об'єму кристалу під час подальших обробок. Показано, що плазмова обробка зразків напівізолюючого GaAs, компенсованих телуром, також підвищує їх стійкість до дії ВЧ- та мікрохвильових обробок, але вихідні, необроблені зразки такого типу після ВЧ обробки деградують суттєво менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом, що свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Під час цього деградаційна стійкість обробленого кристала зростає пропорційно збільшенню часу плазмової обробки. Проаналізовано оптичні властивості кремнієвих нанокластерів у діелектричній матриці. Зазначено, що завдяки осадженню алмазоподібних вуглецевих плівок деградаційна стійкість наноструктур до дії проникаючої радіації може бути підвищена. Виявлено кореляцію між структурною досконалістю тонкого приповерхневого шару "сонячного" кремнію, рівнем внутрішніх механічних напружень у ньому та рекомбінаційними характеристиками матеріалу. Запропоновано технологію герметизації сонячних модулів двокомпонентними силіконовими заливними герметиками та встановлено, що їх використання разом із забарвленими полімерними композитами покращує фотоенергетичні характеристики сонячних елементів, фотомодулів і батарей на основі кремнію за рахунок більш ефективного використання короткохвильової частини сонячного спектра.

Індекс рубрикатора НБУВ: З842.312 + З843.332 + З85-06

Рубрики:

Галій та його сполуки

Електроніка

Шифр НБУВ: РА396148 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332 + З852-03

Рубрики:

Галій та його сполуки

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: РА421863 Пошук видання у каталогах НБУВ