На основі числового аналізу двопрольотного ЛПД міліметрового діапазону одержано амплітудні характеристики діода у двочастотному режимі для різних профілей легування та взаємних положень зон генерації (лавинопрольотної та паразитної частот). Базуючись на побудованих характеристиках, порівняно стійкості генераторів на ЛПД у двочастотному режимі для зазначених варіантів, а також зроблено висновки про чутливість двочастотних амплітудних характеристик до варіацій розглянутих параметрів системи.

Ключ. слова: резонансне тунелювання, gamma-випромiнювання, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122

Рубрики:

Приймально-підсилювальні лампи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122

Рубрики:

Приймально-підсилювальні лампи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

A study of the physical processes in metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors gives a new way of using this familiar device as a high-sensitive optical sensor with giant internal amplification of an input signal. New CMOS optical sensors with a metal-insulator-semiconductor structure are developed and investigated both theoretically and experimentally. The physical properties of these sensors are described with a model of MIS capacitor where a presence of depletion layer of electrons, an inversion layer of holes of a finite depth, and possible change of properties of n- semiconductor layer are taken into account. Two-level voltage bias provides a transient between two quasi-equilibrium inversion modes. This transient is applied both for storage and for readout of the input optical signal for quantitative measurements of a weak infra red radiation. Proposed simple readout procedure provides reading the integrated information with a significant amplification. At the readout stage, a resistance of the n- semiconductor layer changes drastically, and the MIS structure behaves as a virtual p-i-n - diode with double injection of carriers into the n- layer. An amplification (or the current transformation coefficient) is determined by the ratio of integration and readout times and it is about 104-105 at great external loads (>10 K() and reaches the value of 106 at small loads (~100(). A theoretical model explains a behavior of the sensor under storage by thermo generated carriers and by photo generated ones jointly. Numerical simulations are of a good agreement with experimental investigations of proposed sensors

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З851.122.2

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано применение резонансно-туннельного диода (РТД) в смесителе радиосигналов для улучшения параметров радиоэлектронных систем. В результате проведенных экспериментов установлено, что важным преимуществом смесителей на базе резонансно-туннельных диодов по сравнению со смесителями на диодах с барьером Шоттки является расширение динамического диапазона. Применение смесителя на основе РТД позволяет повысить чувствительность и помехоустойчивость приемника.

Досліджено застосування резонансно-тунельного діода (РТД) в змішувачі радіосигналів для покращання параметрів радіоелектронних систем. В результаті проведених експериментів встановлено, що важливою перевагою змішувачів на базі резонансно-тунельних діодів у порівнянні зі змішувачами на діодах з бар'єром Шотки є розширення динамічного діапазону. Застосування змішувача на основі РТД дозволяє підвищити чутливість і перешкодостійкість приймача.

The use of a resonant tunnel diode (RTD) in a radio signal mixer for improvement of the radio electronic system parameters was studied. The carried out experiments has established that the major advantage of mixers based on resonant tunnel diodes as compared to the mixer with a Schottky diode is volume expansion. The use of the mixer based on RTDs can improve the sensitivity and robustness of the receiver.

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено зразки двобар'єрних резонансно-тунельних діодів (ДБ-РТД) на основі гетероструктур GaN/AlGaN, вирощених за допомогою плазмової молекулярно-променевої епітаксії. За допомогою методів тунельної та ємнісної спектроскопії проведено вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) та вольт-фарадних залежностей удіапазоні температур від 4,2 K до 300 K. Знайдено, що вимірювані характеристики мають складний нелінійний характер поведінки та розриви ВАХ. Це можна пояснити наявністю поляризаційних полів та інтерфейсних дефектів. Ці ефекти сильно впливають на вигляд потенціального профілю ДБ-РТД структур. Проведено числове моделювання даних структур з використанням математичної моделі, що базується на нерівноважних функціях Гріна в реальному часі. На підставі порівняльного аналізу експериментальних і теоретично розрахованих величин показано, що струмову нестабільність та нелінійність характеристик нітридних ДБ-РТД можна пов'язати з захопленням і утриманням електронів у межових та дислокаційних станах гетероструктур.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.31 + З851.122.2

Рубрики:

Германій, кремній та їхні сполуки

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

A resonance tunneling diode with tunneling anode is proposed. The current - voltage characteristics of the diode have two regions of negative difference conductivity. Both regions can be used in microwave oscillator applications.

Корпусовані кремнієві двопрольотні лавинно-прольотні діоди (ЛПД) були оброблені ультразвуком. Це спричинило істотне зменшення зворотного струму діодів та поліпшило стабільність їхніх вольтамперних характеристик. Наступне перебування діодів на відкритому повітрі протягом трьох місяців не привело до зникнення ефектів.

Розглянуто конструкцію і роботу високовольтного тетрода на основі щільного магнетронного тліючого розряду з холодним катодом. Тетрод працює в тиратронному режимі як вмикаючий прилад, у тасітронному режимі - як вмикаючий/вимикаючий прилад, а як тасітрон - з автоматичним обмеженням максимального анодного струму.

Описано ітеранційну методику моделювання розподілу енергії та часу зростання струму розряду в тріодних електродних ситемах високовольтного тліючого розряду з урахуванням температури та мобільності іонів в анодній плазмі. Відмінною рисою методики, яка пропонується, є відносно висока точність розрахунків і відсутність посилань на неперевірені апроксимовані дані з літературних джерел. Розрахунки здійснено ітераційно і припинено, коли положення межі анодної плазми з боку області катодного спадання потенціалу та з боку анодної плазми стає однаковим із наперед заданим ступенем точності. Одержані результати моделювання добре погоджуються як із експериментальними даними, так і з одержаними раніше розрахунковими результатами.

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ