На основі числового аналізу двопрольотного ЛПД міліметрового діапазону одержано амплітудні характеристики діода у двочастотному режимі для різних профілей легування та взаємних положень зон генерації (лавинопрольотної та паразитної частот). Базуючись на побудованих характеристиках, порівняно стійкості генераторів на ЛПД у двочастотному режимі для зазначених варіантів, а також зроблено висновки про чутливість двочастотних амплітудних характеристик до варіацій розглянутих параметрів системи.

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

A study of the physical processes in metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors gives a new way of using this familiar device as a high-sensitive optical sensor with giant internal amplification of an input signal. New CMOS optical sensors with a metal-insulator-semiconductor structure are developed and investigated both theoretically and experimentally. The physical properties of these sensors are described with a model of MIS capacitor where a presence of depletion layer of electrons, an inversion layer of holes of a finite depth, and possible change of properties of n- semiconductor layer are taken into account. Two-level voltage bias provides a transient between two quasi-equilibrium inversion modes. This transient is applied both for storage and for readout of the input optical signal for quantitative measurements of a weak infra red radiation. Proposed simple readout procedure provides reading the integrated information with a significant amplification. At the readout stage, a resistance of the n- semiconductor layer changes drastically, and the MIS structure behaves as a virtual p-i-n - diode with double injection of carriers into the n- layer. An amplification (or the current transformation coefficient) is determined by the ratio of integration and readout times and it is about 104-105 at great external loads (>10 K() and reaches the value of 106 at small loads (~100(). A theoretical model explains a behavior of the sensor under storage by thermo generated carriers and by photo generated ones jointly. Numerical simulations are of a good agreement with experimental investigations of proposed sensors

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З851.122.2

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено зразки двобар'єрних резонансно-тунельних діодів (ДБ-РТД) на основі гетероструктур GaN/AlGaN, вирощених за допомогою плазмової молекулярно-променевої епітаксії. За допомогою методів тунельної та ємнісної спектроскопії проведено вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) та вольт-фарадних залежностей удіапазоні температур від 4,2 K до 300 K. Знайдено, що вимірювані характеристики мають складний нелінійний характер поведінки та розриви ВАХ. Це можна пояснити наявністю поляризаційних полів та інтерфейсних дефектів. Ці ефекти сильно впливають на вигляд потенціального профілю ДБ-РТД структур. Проведено числове моделювання даних структур з використанням математичної моделі, що базується на нерівноважних функціях Гріна в реальному часі. На підставі порівняльного аналізу експериментальних і теоретично розрахованих величин показано, що струмову нестабільність та нелінійність характеристик нітридних ДБ-РТД можна пов'язати з захопленням і утриманням електронів у межових та дислокаційних станах гетероструктур.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.31 + З851.122.2

Рубрики:

Германій, кремній та їхні сполуки

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ