Разработан и изготовлен виртуальный измерительный комплекс параметров оптронов, в котором часть функций и операций осуществляется не аппаратно, а программно с помощью персонального компьютера. При этом компьютер выполняет функции, связанные с взаимодействием пользователя и измерительной системы. Описанный вариант комплекса позволяет определять (с выдачей соответствующего сертификата качества) статические и дифференциальные параметры различного типа оптронов (с погрешностью не более 1 ), а также динамические переходные параметры (с погрешностью не более 5 ). Комплекс многофункциональный и модульно-программно перестраиваемый.

Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p+-Si-n-Si-p-Si-n+-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур.

The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p+(Si)-n(Si)-p(Si)-n+(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated.

Рассмотрены характеристики промышленных оптических сенсоров положения объектов в пространстве. Приведены сравнения их параметров с параметрами спроектированного датчика угловых и линейных перемещений ДУЛП. Предложены пути оптимизации параметров сенсоров с открытым оптическим каналом.

In the present work characteristics of industrial optical sensors for objects positioning in space are considered. Comparison of their parameters with the parameters of the angular-linear displacement sensor designed has been made. Methods for optimization parameters of sensors with an open optical channel are proposed.

Предложена, а также аналитически исследована методика мультипликативной коррекции характеристики преобразования универсального измерительного канала автоматизированного измерительного комплекса контроля и исследования параметров оптронных приборов, позволяющая минимизировать общую инструментальную погрешность измерения. Приведено сопоставление результатов при различных условиях коррекции, выработаны рекомендации по ее проведению.

Рассмотрен способ измерения нестандартных систем Z- и S-параметров оптонегатронов на базе фототранзисторов путем измерения комплексных коэффициентов отражения от входа (выхода) четырехполюсника при произвольных нагрузках. Приведены результаты оценки погрешностей измерения параметров указанным способом.

Запропоновано математичну модель комбінованого оптонегатрона на біполярному фототранзисторі, досліджено вплив інтенсивності оптичного випромінювання на основні імпедансні характеристики комбінованих транзисторних оптонегатронів у діапазоні частот, де вони є потенційно-нестійкими.