Індекс рубрикатора НБУВ: К232.902.6 + В378.26 + В378.73

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) ртуті та її сплавів

Тонкі шари металів

Магнітні властивості металів

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Установлено, что, используя метод термического испарения в вакууме кристаллов висмута, легированного теллуром, на подложки из слюды, можно не только реализовать донорное действие теллура в тонкопленочном состоянии, но и осуществить более глубокое легирование висмута, чем в объемном кристалле. Показано, что подвижность носителей заряда (электронов) в пленках уменьшается по сравнению с объемным кристаллом, что естественно связать как с ростом концентрации электронов, так и с увеличением вклада поверхностного рассеяния в тонкопленочном состоянии. На основании анализа магнитополевых зависимостей коэффициента Холла и магнитосопротивления установлено, что для пленок Bi, легированного Te, и для кристаллов Bi с содержанием 0,5 ат. % Te в интервале значений магнитной индукции 0,1 - 1,0 Тл магнитное поле можно считать слабым. Полученные результаты можно использовать при изготовлении низкоразмерных структур на основе висмута с контролируемой концентрацией электронов.

Обоснована зависимость энергетических параметров парных взаимодействий атомов от размера наносистемы и предложена соответствующая методология построения фазовых диаграмм бинарных сплошных нанопленок. На примере системы Bi - Sn рассмотрено образование нанофаз в сплошных пленках и получены зависимости температур фазового превращения и предельных растворимостей компонентов от толщины пленки.

Розроблено методи термічного напилювання у вакуумі для одержання плівок вісмуту товщиною порядку сотень нанометрів, що мають наноблочну структуру з великою концентрацією меж блоків з високодосконалою кристалічною структурою самих блоків. Здійснено експериментальне дослідження електричних, гальваномагнітних і термоелектричних явищ в одержаних плівках залежно від товщини, магнітного поля до 0,6 Тл і температури в інтервалі 77 - 300 К. Установлено, що збільшення термоелектричної потужності в плівках вісмуту, одержаних новим способом, у порівнянні із плівками, одержаними стандартним способом термічного випаровування у вакуумі, визначається досконалішою внутрішньою структурою блоків і суттєвішим обмеженням рухливості дірок у порівнянні з рухливістю електронів.

The article compares earner mobility in monocrystals, as well as monocrystal and block films of different width thus defining carrier contnbution to interaction with phonons, surface, boundanes and structural defects of crystallites in bismuth films doped with tellurium. It is determined that there is a linear dependence of inverse electron mobility on inverse width of bismuth film doped with tellurium.

The influence of doping degree on the structural characteristics of bismuth films doped with tellurium in the concentration range 0,005 - 0,150 at. % Te and the thickness range 0,3 - 0,7 pm is studied at present article. Authors have established that an increase of the doping degree with tellurium in bismuth films leads to a significant decreasing of the growth figures. The weak influence of annealing on the crystallite size of bismuth films doped with tellurium indicates their high temporal stability of the structure.