Методами польової іонної мікроскопії досліджено атомну будову поверхонь розділу в аморфно-кристалічному вольфрамі, одержаному надшвидким гартуванням з рідкої фази. Встановлено високу міру локалізації порушень та некогерентність міжфазних границь. Координати атомів на границях розділу відповідають або кристалічній, або аморфній фазі. Перехідні області з проміжним розташуванням атомів спостерігались лише поблизу місць зіткнення щільноупакованих кристалографічних площин і параплощин.

Вивчено залежності швидкості високотемпературної повзучості монокристалів молібдену та вольфраму від структурного фактора, напружень і температури. Знайдено квадратичну залежність швидкості повзучості від кута інтегральної дезорієнтації субструктури, що є справедливою як для ефективності субструктурного зміцнення, так і для поведінки металу протягом повзучості. Показано, що в усьому інтервалі досліджених напружень механізм повзучості на усталеній стадії пов'язаний з неконсервативним рухом дислокацій, що контролюється дифузійними процесами, але з особливостями, зумовленими різницею у концентрації сходинок на дислокаціях.

Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, может быть увеличено, если цилиндрический затравочный кристалл расположить горизонтально. При этом рост монокристалла будет осуществляться не с торцевой, а с боковой поверхности затравочного кристалла. Более значительные перспективы открывает применение составного затравочного кристалла, образованного путем механического соединения в единое целое отдельных, идеально ориентированных небольших затравочных кристалликов. Использование составных затравочных кристаллов позволяет вырастить крупные монокристаллы с более совершенной структурой, многогранные замкнутые поверхности, бикристаллы и др.

Рассмотрен процесс формирования субструктуры крупных профилированных монокристаллов вольфрама. Выявлено, что температурные условия, в которых формируется монокристалл, определяют качество субструктуры всего кристалла. В выращенном кристалле исследуется только субструктура первого порядка. При выпуклой форме изотермической поверхности между ванной и кристаллом наблюдается искривление границы и выход ее на поверхность. Показано, что для получения требуемого качества субструктуры необходимо точное поддержание температурного режима выращивания монокристалла и затравочный кристалл требуемого качества.

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.11

Рубрики:

Вольфрам та його сплави

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.110

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: карбід, кристалічна структура, модифікація, упорядкування
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.110.21

Рубрики:

Структура монокристалів вольфраму та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: оксиды вольфрама, электронная структура, рентгеновские фотоэлектронные спектры, рентгеновские эмиссионные спектры
Індекс рубрикатора НБУВ: В374.72 + В377.141 + К235.110

Рубрики:

Спектри випромінювання (емісійні спектри)

Фотоелектронна емісія ( зовнішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: триоксид вольфраму, воднева вольфрамова бронза, електронна структура, смуги емісії, модифікація
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.110.1

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: ядра дислокаций, математическое моделирование, одномерные волны, аннигиляция дислокаций, вольфрам
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.110.2

Рубрики:

Кристалічна будова вольфраму та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: дисконнекция, границы зерен, зернограничный уступ, дислокация, монослойная дисконнекция
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.110.2 + К235.110.43

Рубрики:

Кристалічна будова вольфраму та його сплавів

Структурні та фазові перетворення у вольфрамі та його сплавах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На прикладі вольфрамового дроту для освітлювальних ламп розжарювання, який має в рекристалізованому стані псевдомонокристалічну та гранично текстуровану структуру, теоретично й експериментально обгрунтовано нову кінетичну концепцію випаровування, яка полягає в тому, що за постійної температури швидкість процесу суттєво (на порядки величини) сповільнюється, а зовнішня поверхня дроту одержує кристалографічне огранування.

Для визначення границі міцності полікристалічного монокарбіду вольфраму під час розтягу запропоновано аналітичний підхід, що базується на результатах аналізу мікронапружень у полікристалі. Схема методу самопогодження з урахуванням залишкових термічних напружень використовується як розрахункова. Межа міцності під час розтягу визначається за умов рівності максимальних напружень у разі розтягу на міжзерній межі в момент руйнування під час стиску та розтягу. Установлено задовільну відповідність між розрахунковими й експериментальними результатами.

За допомогою методу комп'ютерного моделювання в оберненому просторі досліджено атомну будову неспільномірних меж зерен у вольфрамі. Показано, що межі кручення загального типу, що орієнтовані вздовж площини {112}, характеризуються високою локалізацією дилатації. Поблизу меж зерен загального типу виявлено осциляції міжплощинних відстаней. На відміну від когерентних меж двійників, амплітуда осциляцій на спільномірній межі значно менша за величину міжзернової дилатації. Запропоновано модифікацію аналітичної моделі лінійно розподілених поверхневих сил, що задовільно описує поля пружних деформацій навколо меж зерен.

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.110.622

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлена тепловая модель плазменно-дугового процесса выращивания прутков монокристаллов вольфрама. Приведены результаты численного решения уравнения теплопроводности. Показано, что с увеличением высоты монокристалла возрастает мощность нагрева, при этом параметры ванны практически не изменяются. Установлено, что мощность нагрева стабилизируется при высоте монокристалла, равной трем его диаметрам.

Приведены результаты исследований тепловых полей крупных монокристаллов вольфрама в условиях плазменно-индукционной зонной плавки (ПИЗП). Показано, что использование схемы ПИЗП с неподвижным плазменно-дуговым источником нагрева позволяет вырастить монокристаллы вольфрама диаметром не более 70 мм. Сканирование плазменно-дугового источника нагрева по радиусу кристалла дает возможность увеличить его диаметр. Даны соотношения мощностей источников плазменно-дугового и индукционного нагрева при выращивании больших кристаллов.

Выбрана математическая модель для исследования тепловых полей монокристаллов вольфрама при нагреве различными источниками: плазменно-дуговым, высокочастотным и комбинированным - плазменным + высокочастотным. Показано, что комбинированный нагрев позволяет управлять формой поверхности раздела фаз. В определенных условиях поверхность может стать практически плоской. Наибольшая эффективность управления тепловым полем достигается, когда весь кристалл обогревается индуктором.

Исследованы тепловые поля монокристаллов вольфрама в условиях плазменно-индукционной зонной плавки (ПИЗП) на основе математической модели. Получены зависимости изменения глубины ванны и кривизны поверхности раздела твердой и жидкой фаз, показывающие эффективность влияния комбинированного нагрева на формирование структуры монокристаллов. Показано, что для управления тепловым полем при выращивании монокристаллов тугоплавких металлов способом ПИЗП необходимо использовать двухсекционный индуктор.

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.110.91 + В378.71

Рубрики:

Електричні властивості металів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ