На прикладі вольфрамового дроту для освітлювальних ламп розжарювання, який має в рекристалізованому стані псевдомонокристалічну та гранично текстуровану структуру, теоретично й експериментально обгрунтовано нову кінетичну концепцію випаровування, яка полягає в тому, що за постійної температури швидкість процесу суттєво (на порядки величини) сповільнюється, а зовнішня поверхня дроту одержує кристалографічне огранування.

Досліджено вплив виникаючого функціонального шару на монокристалі вольфраму на фізико-механічні властивості його поверхні на наномасштабному рівні. Показано, що функціональний шар, що виникає за п'ять днів, має більш гладку поверхню та більш високі фізико-механічні властивості, ніж сам монокристал вольфраму.

За результатами експериментальних досліджень і фізико-математичного моделювання уперше встановлено закономірності впливу випаровування оксидної плівки на гістерезисні та критичні режими окиснення вольфрамових дротиків, що нагріваються електричним струмом. Доведено суттєвий вплив випаровування на критичні параметри загасання та умови виродження критичних режимів за великих діаметрів зразків. Установлено появу максимуму на залежності товщини оксидного шару від шару окиснення вольфрамового зразка. Виявлено, що знехтування у теоретичних моделях тепловтратами випромінюванням до стінок реакційного устрою призводить до появи такого інтервалу діаметрів провідника, для якого є неможливим здійснення критичних режимів загасання. Для діаметрів провідника нижче та вище цього інтервалу існують критичні переходи з високотемпературного режиму окиснення на низькотемпературний у разі зниження сили струму. Розроблено фізико-математичну модель високотемпературного окиснення та тепломасообміну металевих частинок у газі з урахуванням стефанівської течії на їх поверхні, з використанням якої встановлено суттєвий вплив стефанівської течії на період індукції, час і температуру горіння вольфрамових частинок, критичні діаметри та товщини оксидної плівки, які характеризують їх запалення та загасання у нагрітому газі. Створено та застосовано методику вимірювання температурного поля за допомогою комп'ютерної обробки цифрового зображення нагрітих до свічення рухомих і нерухомих об'єктів дослідження. Експриментально визначено критичні значення сили струму, за яких одержуються високотемпературні стани вольфрамових провідників різних геометричних розмірів. Доведено

Рассмотрена возможность использования реакций фото- и электроделения ядер вольфрама как инструмента для исследования динамики и процессов излучения ультрарелятивистских электронов в ориентированном монокристалле. С этой целью проанализированы экспериментальные данные по исследованию ориентационных зависимостей выходов осколков фото- и электроделения ядер из монокристаллического вольфрама при взаимодействии электронов с энергией 1200 МэВ. Рассмотрена модель монокристалла, представленного в виде сэндвича, состоящего из двух приповерхностных слоев, на входе пучка электронов в монокристалл и на выходе из него, из которых вылетают осколки деления под действием фотонов и электронов, а между ними радиатор тормозного излучения, представляющий собой часть монокристалла, из которой осколки деления не выходят из-за их малой длины пробега в данном материале. Исходя из этой модели монокристалла, рассчитано отношение выходов осколков фотоделения к сечению электроделения и построена зависимость этого отношения от угла ориентации кристаллографической оси относительно направления падающего на монокристалл пучка ультрарелятивистских электронов. На основании полученной зависимости сделан вывод о перераспределении потоков каналированных и надбарьерных частиц в кристалле в интервале углов поворота кристаллографической оси относительно направления падающего пучка в пределах от 0 до 2 миллирадиан. Сделан также вывод, что спектр тормозного излучения в этом интервале углов также меняется, а именно, при повороте кристалла в пределах углов от 0 до 1 миллирадиана он становится более жестким, а при больших углах разориентации,

когда кристалл становится эквивалентен аморфной мишени, спектр тормозного излучения становится близким к шиффовскому.