Розглянуто вплив магнітного поля транспортного струму на надпровідний стан тонкої плівки. Наведено залежності, що характеризують надпровідний стан.

Виконано огляд літературних джерел щодо використання тугоплавких сполук для формування тонких плівок. Використання цих матеріалів класифіковано за схемою: низькоомні сполучення, омічні контакти, бар'єри Шотткі, оптоелектроніка, магнітні матеріали, бар'єрні шари. Наведено сукупність властивостей та основні параметри плівкової продукції. Указано на найперспективніші області використання плівок тугоплавких сполук у мікроелектроніці. Зазначено, що складалися умови для заміни традиційних металевих плівок на тугоплавкі сполуки.

Розглянуто та порівняно оптичні, електричні й структурні властивості тонких плівок, нанесених за допомогою низько- та високочастотного, а також імпульсного жевріючого розряду в парі триетилсурьми. Встановлено можливість керування вищезгаданими властивостями плівок за допомогою параметрів розряду та температури підкладки. Встановлено вплив вмісту Sb, розміру та розподілу часток у полімерній матриці на механізм і енергію запису інформації, тип морфологічних перетворень в плівці під дією лазерного випромінювання.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.22 + З854.14-041.1

Рубрики:

Фотоелектронні помножувачі

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Обзор посвящен систематизации экспериментальных и теоретических результатов, свидетельствующих о возможности управления физико-химическими свойствами абсолютно нового класса приборов молекулярной электроники (МОЭ). Именно МОЭ будет определять ключевые позиции технологии XXI ст. Подчеркнуто, что управление функциональными возможностями приборов МОЭ будут осуществлять атомы, молекулы, кластерные структуры. Акцентируется внимание на том, что многие вопросы МОЭ приборостроения определяются возможностьюрешения проблем транспорта и туннелирования носителей тока через квантово-размерные системы, т. е. ультрадисперсные субфазы.

Предложена структура системы преобразования топологической информации для цифровой литографии. Разработан метод формирования локальных трехмерных КНИ-структур, который позволяет создавать как планарные, так и трехмерные приборные элементы и контакты. На КНИ- структурах разработан управляющий высоковольтный МОП-транзистор и ячейка памяти с формирователем сигналов для хранения топологической информации. Экспертная оптимизация топологии ячейки памяти позволила значительно уменьшить ее площадь по сравнению с площадью ячейки, изготовленной по стандартной n-канальной МОП-технологии.

The system structure of the topological information transformation for digital lithography is offered. The formation method of local three-dimensional SOI structures, which allows creating both planar and three-dimensional device elements and contacts, is developed. The controlled high-voltage MOS transistor and a cell of memory with signal shaper for topological information storage are developed on SOI structures. Expert optimization of a memory cell topology has allowed reducing its area considerably.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.2

Рубрики:

Молекулярна електроніка (тонкі плівки на рідких кристалах)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Используя кинетическую теорию электронного транспорта в низкоразмерных молекулярных системах, проведено исследование процесса формирования переходных и стационарных токов в системе электрод 1 - молекула - электрод 2 (молекулярный диод) для различных режимов зарядовой трансмиссии. В рамках HUMO-LUMO модели молекулы рассмотрена ситуация, когда образование токов вызвано фотовозбуждением молекулы либо изменением разности потенциалов на электродах. Выяснена определяющая роль неупругого дистанционного (туннельного) переноса электронов в изменении электронного состояния мотекулы и, как следствие, в формировании трансмиссионных каналов для прыжковых (последовательных) и туннельных (дистанционных) компонент тока. Эффект неупругого туннелирования особенно заметен в условиях резонансной трансмиссии электронов.

We demonstrate that the notched-wire mechanically controllable break junction technique can be exploited for the study of single molecule junctions. We have developed a protocol for deposition of thiol-coupled molecules onto Au electrodes from solution. We find surprisingly sharp conductance historgrams at low temperatures, which suggest that the commonly observed large width of the peaks in conductance historgams is the result of inhomogeneous broadening.

Створення стабільних та надійних молекулярних пристроїв є важливим завданням нанотехнологій. Фотохромні молекули є найбільш перспективними кандидатами для такого завдання. Одним з найбільш перспективних класів фотохромних сполук є спіропіран та його відкрита форма - мероціанін. Для практичного застосування системи спіропіран - мероціанін важливо знати властивості цих молекул. Перетворення молекул спіропірана в мероціанін може відбуватися різними способами. Тому важливо мати повне уявлення про мероціанінові структури та шляхи переходу між ними. Таким чином, проведені дослідження геометричної структури молекули мероціаніну, показали, що вона може перебувати у формі одного з восьми можливих ізомерів, які утворюються шляхом обертання навколо трьох центральних зв'язків: C(25)-C(26), C(26)-CС(27), C(27)-C(28). Ізомери ТТТ, ТТС, СТТ та СТС мають плоску геометричну структуру та схожі спектри поглинання (від 490 до 510 нм), тому їх важко розрізнити експериментально. Усі ці ізомери проявляють стабільність за темпових умов, оскільки енергетичний бар'єр для переходу між ними становить понад 1 еВ. Інші чотири ізомери ТСТ, ТСС, ССТ і ССС мають спіральну структуру, і кожен з цих ізомерів може мати правообертальну або лівообертальну структуру. У роботі досліджено трансформації між сусідніми ізомерами. Результати показали, що ізомери спіральної структури термічно нестабільні і вони швидко перетворюються на один із плоских ізомерів. Через це їх внесок у спектр поглинання молекули мероціаніну відсутній. При цьому всі плоскі структури характеризуються однаковими властивостями провідності уздовж n-електронної системи та однаковою довжиною довгої осі молекули. Одержані результати є важливими з точки зору використання системи спіропіран-мероціанін як елемента пам'яті або перемикача в комп'ютерних системах майбутнього.

Створення стабільних та надійних молекулярних пристроїв є важливим завданням нанотехнологій. Фотохромні молекули є найбільш перспективними кандидатами для такого завдання. Одним з найбільш перспективних класів фотохромних сполук є спіропіран та його відкрита форма - мероціанін. Для практичного застосування системи спіропіран - мероціанін важливо знати властивості цих молекул. Перетворення молекул спіропірана в мероціанін може відбуватися різними способами. Тому важливо мати повне уявлення про мероціанінові структури та шляхи переходу між ними. Таким чином, проведені дослідження геометричної структури молекули мероціаніну, показали, що вона може перебувати у формі одного з восьми можливих ізомерів, які утворюються шляхом обертання навколо трьох центральних зв'язків: C(25)-C(26), C(26)-CС(27), C(27)-C(28). Ізомери ТТТ, ТТС, СТТ та СТС мають плоску геометричну структуру та схожі спектри поглинання (від 490 до 510 нм), тому їх важко розрізнити експериментально. Усі ці ізомери проявляють стабільність за темпових умов, оскільки енергетичний бар'єр для переходу між ними становить понад 1 еВ. Інші чотири ізомери ТСТ, ТСС, ССТ і ССС мають спіральну структуру, і кожен з цих ізомерів може мати правообертальну або лівообертальну структуру. У роботі досліджено трансформації між сусідніми ізомерами. Результати показали, що ізомери спіральної структури термічно нестабільні і вони швидко перетворюються на один із плоских ізомерів. Через це їх внесок у спектр поглинання молекули мероціаніну відсутній. При цьому всі плоскі структури характеризуються однаковими властивостями провідності уздовж n-електронної системи та однаковою довжиною довгої осі молекули. Одержані результати є важливими з точки зору використання системи спіропіран-мероціанін як елемента пам'яті або перемикача в комп'ютерних системах майбутнього.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1 + З844.2

Рубрики:

Електричні властивості твердих тіл

Молекулярна електроніка (тонкі плівки на рідких кристалах)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: з844.2

Рубрики:

Молекулярна електроніка (тонкі плівки на рідких кристалах)

Шифр НБУВ: ДС40828 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: з844.2

Рубрики:

Молекулярна електроніка (тонкі плівки на рідких кристалах)

Шифр НБУВ: ДС40828 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В361,022 + З844.2

Рубрики:

Експериментальні методи та апаратура молекулярної фізики

Молекулярна електроніка (тонкі плівки на рідких кристалах)

Шифр НБУВ: РА447938 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.2

Рубрики:

Молекулярна електроніка (тонкі плівки на рідких кристалах)

Шифр НБУВ: ДС40828 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.2

Рубрики:

Молекулярна електроніка (тонкі плівки на рідких кристалах)

Шифр НБУВ: ДС40828 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + З844.2

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Молекулярна електроніка (тонкі плівки на рідких кристалах)

Шифр НБУВ: РА440708 Пошук видання у каталогах НБУВ