1. |
Альвані Бібі Фатхалла Вторинне електронне випромінювання при проходженні релятивістських електронів крізь гетерогенні системи : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.16 / Альвані Бібі Фатхалла; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2000. - 20 c. - укp.Розглянуто перенос вторинного електронного випромінювання у гетерогенних системах під час проходження крізь них релятивістських електронів. Дослідження проведено на базі детальних наборів даних про характеристики переносу вторинного електронного випромінювання у речовині, вихід частинок, винос енергії та розподіл поглинутого заряду. Ці дані отримано на основі спеціально створеного Монте - Карлівського методу (методу трансляції). Виявлено та проаналізовано основні залежності вказаних характеристик від енергії і кута падіння первинних електронів, атомного номера матеріалу мішені та її товщини. З метою аналітичного опису характеристик переносу вторинного електронного випромінювання було розроблено низку напівемпіричних моделей. Визначено розмір зони, в якій порушено рівновагу вторинних електронів у напівскінченних середовищах (приповерхнева зона). Індекс рубрикатора НБУВ: В386.104.11,022 + В386.14,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА307895 Пошук видання у каталогах НБУВ
|