![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Ануфриев Л$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| | | | |
1. |
Ануфриев Л. П. Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л. П. Ануфриев, В. В. Баранов, Я. А. Соловьев, М. В. Тарасиков // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 4. - С. 55-56. - Библиогр.: 2 назв. - рус. Ключ. слова: диоды Шоттки, силицид палладия, термическое испарение, вольт-амперные характеристики. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Рубцевич И. И. Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа / И. И. Рубцевич, Л. П. Ануфриев, А. Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 5. - С. 54-55. - Библиогр.: 3 назв. - pyc.Исследованы процессы сборки MOSFET-транзисторов в металлокерамическом корпусе SMD-1 в сравнении с металлопластиковым корпусом SMD-220. Приведены результаты по электрическим и тепловым параметрам. Показано, что тепловое сопротивление p-n-переход - корпус выше для SMD-1, однако согласованность по температурному коэффициенту линейного расширения элементов корпуса SMD-1 позволяет изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность в условиях воздействия перепадов температур более 300 °С. The processes of MOSFET packaging in SMD-1 metaloceramic package versus SMD-220 metal-plastic package have been explored. The results on electrical and thermal parameters are set out. It is shown that thermal resistance p-n junction to case Rthjc is higher for SMD-1 due to a lower heat conduction of the chip carrier. However, the compliance of the SMD-1 elements in coefficient of thermal linear expansion allows to produce devices with minimal internal strains and to secure their high hermiticity and reliability when subject to temperature fluctuations over 300°С. Ключ. слова: MOSFET-транзистор, металлокерамический корпус, поверхностный монтаж, герметичность корпуса, тепловое сопротивление транзистора. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Кублановский В. С. Энергия активации электрохимического восстановления серебра из фосфорнокислых электролитов / В. С. Кублановский, О. Л. Берсирова, К. И. Литовченко, В. А. Емельянов, Л. П. Ануфриев // Доп. НАН України. - 2000. - № 3. - С. 155-159. - Библиогр.: 5 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: Г576.64
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|