Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено зміну розподілу електронної густини та трансформацію енергетичних станів у плівках ZnO різної товщини та з різними домішками (Cu, С, Ag) за умов стискання плівки та без нього, з гідрогенізацією поверхні плівки або з введенням дефекту кількості атомів на поверхні. Результати одержано в рамках теорії псевдопотенціалу із перших принципів та функціонала електронної густини.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + Г124.1-18

Рубрики:

Вуглець

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.27

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Для вияснення мікроскопічних механізмів прискорення процесу оксидації Si за присутності моношару Cr проведено теоретичне дослідження взаємодії атомарного кисню з тонкою плівкою кремнію за присутності атомів Cr. За допомогою методів функціонала електронної густини та псевдопотенціалу з перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для тонкої плівки кремнію за присутності моноатомного шару Cr та атомарного кисню. Спостережено послаблення зв'язків Si - Si у шарах плівки кремнію, близьких до моношару Cr. Реактивність атомів Cr збільшується за їх неповної окисненості.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Визначено особливості електронної структури механічно напружених епітаксіальних напівпровідникових гетероструктур; ансамблів убудованих квантових точок; функціоналізованих вуглецевих нанотрубок, графенових нанострічок і плівок Si; каталітичних систем, що включають нанокластери металів, при переході від однієї їх ізомерної форми до іншої шляхом застосування до них методів із перших принципів. Створено програмний пакет на основі сучасних методів фізики твердого тіла, що має можливості редагування нанооб'єктів, обчислення електронно-структурних та енергетичних характеристик. Розвинуто уявлення про топологію просторового розподілу валентних електронів у шаруватих епітаксіальних механічно напружених наногетероструктурах та обмежених у розмірі графенових площинах, що може набувати як двовимірних, так і тривимірних, як однорідних і неоднорідних, так і фрактальних форм. Кількісно доведено формування локальних пошкоджень груп sp{\up\fs8 2} у сітці поверхонь нанотрубок і графенових нанострічок і появи одиночних sp{\up\fs8 3}-зв'язків у результаті фторування чи гідрогенізації поверхні. Розвинуто прийоми впливів на провідність графенових нанострічок, нанорозмірних плівок Si шляхом вибору їх розміру та покриття. З'ясовано механізми підвищеної каталітичної активності кластерів перехідних металів, пов'язані з ймовірністю збудження d-орбіталей.

Методами функціонала електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержані розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри металічних та окислених малих кластерів із атомів Cu, Ni, Co з метою визначення механізмів їх підвищеної каталітичної активності. Визначено організацію електронної структури основних та збуджених станів для ізольованих атомів, що зберігається під час об'єднання атомів у 2-х атомні кластери. Зроблено висновок про легше збудження d-електронів міді у порівнянні з електронами нікелю та кобальту, що забезпечує можливе вивільнення d-орбіталей та є принциповим моментом для каталітичної активності мідних центрів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів функціонала електронної густини та псевдопотенціалу з перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і повні енергії для міграції води (або метанолу) на вільній поверхні графену. Встановлено, що міграція молекул води та метанолу вздовж поверхні графену відбувається з енергетичним рельєфом, якому притаманні бар'єри та ями. Зафіксовано взаємодію молекул води, що знаходяться по різні боки від площини графену, через області малої ймовірності в розподілі електронної густини графенової площини. Спостерігалося, що зависання молекул над графеновою площиною локально змінювало її провідність. Оцінка енергетичних затрат під час поширення молекул адсорбентів по поверхні графену продемострувала його гідрофобність.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і потенціальні рельєфи міграції молекул води вздовж пласкої поверхні графену та всередині вуглецевої нанотрубки. Встановлено, що масоперенесення води всередині нанотрубки стимулюється додатковими рушійними силами, пов'язаними з кривиною її поверхні, які проявляються у зменшенні на 2 порядки енергії дифузії за повздовжнього руху молекул у нанотрубці (на порядок - за поперечного руху) у порівнянні з рухом молекул вздовж пласкої поверхні графену.

За допомогою методів функціонала електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і повні енергії у випадку міграції молекул води (або метанолу) всередині вуглецевої нанотрубки (ВНТ) із чистими стінками та покритими зсередини атомами золота. Встановлено, що масоперенос метанолу через ВНТ типу "зигзаг" (15,0) відбувається на 2 порядки затратніше за енергією ніж води. Виявлено, що масоперенос води та метанолу через ВНТ із покритими атомами золота внутрішніми стінками потребує на порядок більше енергії, ніж через чисті нанотрубки.

За допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержано просторові розподіли густини валентних електронів, густини електронних станів, ширини валентних та заборонених зон, заряди на атомних остовах, кулонівські потенціали вздовж обраних напрямків у бічних пленарних переходах графен/графан, графен/флюрографен та графен/хлорографен. Зафіксовано області з різними величинами просторового заряду в бічних планерних переходах графен/графан, графен/флюрографен та графен/хлорографен, що є причиною виникнення на переходах потенціальних бар'єрів. Функціоналізація графену різними адсорбатами змінює рельєф розподілу кулонівського потенціалу з ізотропного на анізотропний. Найбільший скачок в рельєфі потенціалу зафіксовано у планарному переході графен/графан. Визначено ширини заборонених зон бічних пленарних переходів графен/графан, графен/флюрографен, графен/хлорографен, найбільше значення серед яких належить переходу графен/графан.

Індекс рубрикатора НБУВ: Р281.4 + Г511.21

Рубрики:

Комбінована дія лікарських речовин

Види хімічного зв'язку. Міжмолекулярні взаємодії

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержано просторові розподіли густини валентних електронів, розподіли електронних станів у валентній зоні та зонах провідності, діелектричні матриці та макроскопічні відносні проникності латеральних гетероструктур на основі функціоналізованого графена як фотонного кристалу під дією статичного тиску.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24в641

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів з використанням авторського програмного комплексу одержано розподіли густини валентних електронів, густини електронних станів, ширини валентної зони, забороненої зони, заряди атомів для композиту на основі целюлози за механічних впливів. Виявлено, що зміна ширини забороненої зони композитів CNC/g-ZnO у разі механічного стискання має тенденцію до зменшення. Зафіксовано значне перенесення заряду в межах композиту, що призводить до виникнення областей просторового заряду різних знаків.

Індекс рубрикатора НБУВ: З251.3-03 + В377.1

Рубрики:

Електричні акумулятори

Електричні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ