Ключ. слова: pЦiЦn-диод, технология мембранная, выводы балочные, линия передачи микрополосковая, линия передачи волноводно-щелевая.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.24-01

Рубрики:

Опірні діоди (напівпровідникові стабілітрони)

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: диод кремниевый лавинно-пролетный, тепловое сопротивление диода, тепловая модель диода, импульсный режим работы
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 с116

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au - Ti - Pd - n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100 - 360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9 - 2)•10{\up\fs8 –5} Ом•см{\up\fs8 2}. При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100 - 200 К преобладает полевой механизм токопереноса, а в диапазоне 200 - 360 К - термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ.

Досліджено питомий опір омічного контакту Au - Ti - Pd - n-Si та механізм струмопротікання в інтервалі температур 100 - 360 К. Запропоновано спосіб зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу статистичних залежностей виміряних величин. Виміряні значення питомого контактного опору знаходяться в діапазоні (0,9 - 2)•10{\up\fs8 –5} Ом•см{\up\fs8 2}. На основі температурної залежності питомого контактного опору встановлено, що в омічному контакті з висотою бар'єра 0,22 еВ у температурному діапазоні 100 - 200 К переважає польовий механізм струмопротікання, а в діапазоні 200 - 360 К - термопольовий з енергією активації 0,08 еВ.

Both contact resistivity of Au - Ti - Pd - n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 - 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9 -2)•10{\up\fs8 –5} Ω•cm{\up\fs8 2}). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100 - 200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200 - 360 K temperature range.