Запропоновано нову процедуру подавлення шуму в спектрах характеристичного рентгенівського випромінювання. Процедура складається з вейвлет-розкладу спектра, розподілу всіх вейвлет-амплітуд на два класи, вилучення зумовлених шумом вейвлет-амплітуд та проведення оберненого вейвлет-перетворення. Особливістю запропонованого методу є його оптимальність, оскільки поріг, що ділить вейвлет-амплітуди на два класи, визначено умовами мінімуму узагальненої функції перехресної перевірки вірогідності, яку можна розрахувати виключно з вхідного сигналу. Розроблено програмне забезпечення, що реалізує запропонований метод, та розглянуто декілька прикладів його застосування до модельних і до реальних експериментальних спектрів.

Проведено дослідження, метою яких є одержання технології збільшення експлуатаційного ресурсу гарматних стволів, використовуючи метод магнетронного розпилення, як метод, що надає змогу одержувати високоякісні покриття з точки зору фізико-технічних характеристик.

Наведено результати розробки джерела іонів берилію та інших металів, призначеного для розробки технологічного циклу виготовлення приймачів інфрачервоного випромінювання для приладів нічного бачення та систем наведення ракет. Запропоновано та розроблено конструкцію плазмового розпилювального джерела іонів металів з розрядом відбивного типу та холодним порожнистим катодом та інжектор іонів металів на його основі. Створено компактне джерело металевих/газових іонів, в якому шляхом розпорошення іонами аргону катодного та антикатодного електроду забезпечується утворення фази надлишкового тиску парів металу і реалізується його іонізація осцилюючими електронами у поздовжньому магнітному полі. Витягування та формування пучка, що містить іони плазмоутворюючого газу і металу, здійснюється через емісійний отвір у антикатоді. Парціальне відношення іонів аргон/метал у сформованому пучку знаходиться в інтервалі 3 - 20. Розроблене джерело має високу стабільність іонного струму в часі, просте в обслуговуванні, може генерувати іони із будь-якого провідного твердого тіла без використання високотемпературної печі для його випаровування. Проведено моделювання та виготовлення іонно-оптичної системи формування іонного пучка в складі імплантера Інституту прикладної фізики НАН України. Оскільки іонний інжектор буде впроваджено в іонний імплантер МВР-202 фірми "BALZERS" Інституту фізики напівпровідників НАН України ім. B. C. Лашкарьова, проведено аналіз його оптичної та вакуумної систем, а також елементів живлення. Всі ці фактори було враховано під час розробки іонного джерела, що надасть змогу безпроблемно впровадити його в імплантер МВР-202.