Обсуждена проблема создания сверхтонких (толщина слоя от 2 до 5 нм) электрически сплошных проводящих стабильных слоев металлов и исследования их электрических свойств. Рассмотрена возможность применения сурфактантных подслоев для предотвращения коагуляции зародышей кристаллизации в процессе роста пленок. Сделан анализ современного состояния модельных представлений о переносе заряда в металлических образцах ограниченных размеров и на его основании проведена трактовка результатов экспериментального исследования сверхтонких металлических пленок.

Систематизированы имеющиеся в различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4H, 6H, 3C, 15R, 21R.

Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. Проведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів розроблено рекомендації щодо оптимальних контактотвірних шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4H, 6H, 3C, 15R, 21R.

The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.6-18 + К232.904.3

Рубрики:

Інші види покриттів металів

Структурні та фазові перетворення в ртуті та її сплавах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ