Індекс рубрикатора НБУВ: В37,021 + З843.324,021

Рубрики:

Фізика твердого тіла. Кристалографія

Халькогеніди

Шифр НБУВ: В348110 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто методи та засоби вимірювання електричних і магнітних величин. Охарактеризовано конструкцію, схеми вмикання, застосування та похибки аналогових і цифрових вимірювальних приладів. Наведено інформацію про міри електричного опору, індуктивності й ємності, магнітоелектричні, електромагнітні й електродинамічні вимірювальні механізми, методи перетворення аналогових сигналів у код, цифрові вольтметри постійного струму.

Рассмотрены методы и средства измерения электрических и магнитных величин. Охарактеризованы конструкция, схемы включения, применения и погрешности аналоговых и цифровых измерительных приборов. Приведена информация о мерах электрического сопротивления, индуктивности и емкости, магнитоэлектрических, электромагнитных и электродинамических измерительных механизмах, методах преобразования аналоговых сигналов в код, цифровых вольтметрах постоянного тока.

Исследованы собственные и примесные точечные дефекты в сапфировых подложках и исходном сырье при помощи люминесцентных методов. Предложено использовать люминесценцию при различных видах возбуждения в качестве чувствительного и информативного экспресс-метода определения собственных и примесных точечных дефектов в кристаллах сапфира и сапфировых подложках.

The work is devoted to study of proper and doped point defects in sapphire substrates and in the started ram material using luminescence methods. It is proposed to use luminescence at various excitation types as a sensitive and a relatively simple technique for detection of proper and doped point defects in sapphire crystals and sapphire substrates.

Приведено результати досліджень мікроструктури аморфних плівок селенідів германію на електронному та тунельному мікроскопах. Виявлено наномасштабні структурні неоднорідності у вигляді флуктуації товщини плівки та її густини. Величина контрасту між більш та менш щільними ділянками досягає 10 %, середні розміри більш щільних зерен складають 20 - 50 нм, а менш щільних каналів - 5 - 15 нм. Збільшенню ступеня нанонеоднорідності сприяє ріст вмісту селену в складі плівок, а також підвищення температури підкладки та швидкості конденсації під час їх осадження. Для речовин із складами, близькими до германію, в оптимальних технологічних режимах вакуумної конденсації утворюються нанооднорідні аморфні плівки без помітних флуктуацій своєї густини на масштабах більше 1 нм.

Lack of all-inclusive technological decisions of joining of details, which provide reliability of devices' precision-built units, is one of the problems which put a brake on sapphire application. It is proved by comprehensive researches of the methods of joining that a preliminary vacuum coating improves an adhesion of glues. We offer methods with using of glues and without it for joining of precision devices' components, which work in a wide range of temperatures. For the first time we offer composite structures like illuminator "glass-sapphire" type. The efficiency of their using for the increasing of illuminators' resistance to dust influence and for the increasing of their hardness and durability is shown. Results of given researches can be propagated on the joining of precision units in the optoelectronic devices from other materials, which work in extreme conditions.

Проведены комплексные исследования акустических и акустооптических свойств стекол Ge{\dm\fs8 x}S{\dn\fs8 100–x}. Определены их основные параметры, такие, как показатель преломления, плотность, скорости продольной и поперечной ультразвуковых волн, упругооптические коэффициенты, коэффициенты акустооптического качества. Показана возможность использования стеклообразных сульфидов германия Ge{\dn\fs8 30}S{\dn\fs8 70} и Ge{\dn\fs8 25}S{\dn\fs8 75} в качестве материала светозвукопровода акустооптического модулятора и приведены его основные параметры. В режиме дифракции Брегга модулятор на длине волны 0,633 нм He-Ne-лазера характеризуется следующими параметрами: рабочая частота ультразвука 80 МГц, максимальная полоса модулирующих частот 10 МГц, дифракционная эффективность 40 %, быстродействие около 80 нс.

Проведено комплексні дослідження акустичних та акустооптичних властивостей стекол Ge{\dn\fs8 x}S{\dn\fs8 100–x}. Визначено їх основні параметри, а саме: показник заломлення, густину, швидкість поздовжньої та поперечної ультразвукових хвиль, пружнооптичні коефіцієнти, коефіцієнти акустооптичної якості. Показано можливість використання склоподібних сульфідів германію Ge{\dn\fs8 30}S{\dn\fs8 70} і Ge{\dn\fs8 25}S{\dn\fs8 75} як середовища світлозвукопроводу акустооптичного модулятора та наведено його основні параметри. У режимі дифракції Брегга модулятор на довжині хвилі 0,633 нм He-Ne-лазера характеризується наступними параметрами: робоча частота ультразвуку 80 МГц, максимальна смуга моделюючих частот 10 МГц, дифракційна ефективність 40 %, швидкодія близько 80 нс.

The investigation of acousto-optic properties of Ge{\dn\fs8 x}S{\dn\fs8 100–x} glasses, which had shown that they are perspective lightsoundwire material for manufacturing of acousto-optic devices for controlling the laser radiation in the visible spectral region was performed. Taking into account the technological conditions for synthesis of glasses with optical quality the two optimal compositions, Ge{\dn\fs8 30}S{\dm\fs8 70} and Ge{\dn\fs8 25}S{\dn\fs8 75}, were proposed for fabrication of optical-acoustic modulator. These compositions possess the high optical perfection and transmission in the spectral range of 0,4 - 11 μm, the moderate optical absorption of 2 - 3 dB/cm, their acoustic quality factor ~100 times exceeds those of quartz. The construction and main parameters of the acousto-optic modulator basedon Ge{\dn\fs8 30}S{\dm\fs8 70} and Ge{\dn\fs8 25}S{\dn\fs8 75} glasses as lightsoundwire material and the converter is a plate of lithium niobate single crystal were described. In Bragg diversion mode the modulator has the maximum bandwidth of the modulating frequencies - 10 MHz, the diffraction efficiency - 40 %, the speed - near 80 nanoseconds. It is also important to note that the effective modulation is obtained with the low power (40 mW) controlled electrical signal, which facilitates a thermal mode of the modulator and allows working without the forced cooling of the modulation element.