Досліджено кінетику впорядкування в ізольованому каскаді зміщення на стадії релаксації флуктуації щільності вакансій. Показано, що релаксація параметра далекого порядку і щільності вакансій здійснюється самоузгодженим чином. Виявлено значну зміну параметра порядку в каскадній області на стадії релаксації пересичення вакансій. Показано, що процес релаксації суттєво залежить від енергії впорядкування та структури сплавів, що опромінюються.

Методом молекулярной динамики с использованием классического потенциала Терсоффа исследованы процессы роста углеродных пленок, полученных осаждением энергетических атомов углерода на кристаллическую подложку. На микроскопическом уровне проведено изучение структурных свойств моделированных пленок в зависимости от энергии осаждения. Показано, что классическое молекулярно-динамическое моделирование процессов роста углеродных пленок адекватно описывает их структурные и физические свойства, которые наблюдаются в эксперименте.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто можливість використання надпровідного лінійного прискорювача електронів як драйвера для створення прототипу майбутніх ядерних енергетичних установок із керованими підкритичними збірками. Прискорювач буде працювати в безперервному режимі з максимальною частотою повторення імпульсів 13 МГц. Максимальна енергія електронів у пучку становить 130 МеВ, середній струм - біля 1 мА. Для одного з можливих варіантів підкритичної збірки за допомогою програми SCALE5 (ORNL, США) та розробленої в ННЦ ХФТІ на базі пакета Geant4 програми RaT 3.0 розраховано нейтронні поля, які утворюються в нейтроностворювальній мішені, активній зоні та рефлекторі збірки за енергії електронів 100 МеВ.

Сформульовано загальний підхід щодо проблеми як до спільної кінетики каналювання та хаотичного руху, що описується зв'язаною системою рівнянь Чепмена-Колмогорова. Розроблено нову методику дослідження імплантації йонів у кристали методом комп'ютерного експерименту. Розв'язано задачу про деканалювання йонів низьких енергій й одержано аналітичне рішення для функції деканалювання. Вперше введено режим метаканалювання, що відповідає динамічно стійкому каналюванню йонів зі зниженими щодо рівня аморфної середи питомими втратами енергії. Розроблено феноменологічну модель опису профілів імплантації йонів у кристали.