Встановлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з асиметричними подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами за умов біполярної латеральної провідності польові залежності струму й інтегральної інтенсивності внутрізонної терагерцевої електролюмінесценції якісно відрізняються для різних товщин бар'єру між ямами. У випадку товстих (~ 50 ангстрем) бар'єрів за полів, менших полів нестійкостей ганівського типу, спостерігаються високочастотні коливання струму, а інтенсивність випромінювання монотонно зростає зі збільшенням поля у всьому дослідженому діапазоні полів (до 3 кВ/см). Для малої товщини (~ 30 ангстрем) бар'єрів осциляції струму практично відсутні, а інтенсивність випромінювання сильно зростає з полем за напруженостей більших ніж 1,5 - 2 кВ/см. Зростання інтенсивності випромінювання пояснюється додаванням до непрямих внутрішньопідзонних переходів прямих переходів електронів і дірок між підзонами розмірного квантування. Показано, що спостережені відмінності можуть бути пояснені різним відношенням часу міжзонної випромінювальної рекомбінації неосновних носіїв струму (дірок) у вузьких ямах та часу їх тунелювання в широкі ями, який залежить від товщини бар'єрів між ямами.

Встановлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з асиметричними подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами за умов біполярної латеральної провідності польові залежності струму й інтегральної інтенсивності внутрізонної терагерцевої електролюмінесценції якісно відрізняються для різних товщин бар'єру між ямами. У випадку товстих (~ 50 ангстрем) бар'єрів за полів, менших полів нестійкостей ганівського типу, спостерігаються високочастотні коливання струму, а інтенсивність випромінювання монотонно зростає зі збільшенням поля у всьому дослідженому діапазоні полів (до 3 кВ/см). Для малої товщини (~ 30 ангстрем) бар'єрів осциляції струму практично відсутні, а інтенсивність випромінювання сильно зростає з полем за напруженостей більших ніж 1,5 - 2 кВ/см. Зростання інтенсивності випромінювання пояснюється додаванням до непрямих внутрішньопідзонних переходів прямих переходів електронів і дірок між підзонами розмірного квантування. Показано, що спостережені відмінності можуть бути пояснені різним відношенням часу міжзонної випромінювальної рекомбінації неосновних носіїв струму (дірок) у вузьких ямах та часу їх тунелювання в широкі ями, який залежить від товщини бар'єрів між ямами.