Розвинуто метод кластерного розкладу для двочасових функцій Гріна термодинамічного потенціалу й електропровідності невпорядкованого кристала. Електронні стани системи описано у рамках багатозонної моделі сильного зв'язку. Здійснено розрахунки на базі діаграмної техніки для температурних функцій Гріна. За нульове одновузлове наближення у цьому методі кластерного розкладу вибрано наближення когерентного потенціалу. Показано, що внески процесів розсіяння електронів і фононів на кластерах зменшуються зі збільшенням кількості вузлів у кластері за деякими малими параметрами. Досліджено ефекти на підставі частотної залежності оптичної провідності невпорядкованих сплавів і напівпровідників, зумовлені виникненням квазіщілини в енергетичному спектрі електронів внаслідок сильних електронних кореляцій (кулонівської квазіщілини) й атомного впорядкування.

Развит метод расчёта энергетического спектра электронов и фононов, а также электропроводности углеродных нанотрубок с примесями. Исследовано влияние примеси азота на расщепление энергетических зон электронов и фононов, которое обусловлено неэквивалентным положением атомов углерода в примитивной ячейке углеродной нанотрубки. Исследована природа концентрационной зависимости электропроводности углеродных нанотрубок с примесью азота.

На основе однозонной модели Хаббарда исследованы электронная структура, магнитная фазовая диаграмма и спин-зависимый транспорт систем с сильными электронными корреляциями и найдена процедура оптимизации параметров модели для достижения максимальной спиновой поляризации электронного тока.

Развит метод расчета оптической проводимости низкоразмерных неупорядоченных систем. Исследовано влияние примеси азота на расщепление энергетических зон электронов и фононов, которое обусловлено неэквивалентными положениями атомов углерода в примитивной ячейке углеродной нанотрубки. Исследована природа концентрационной зависимости электропроводности углеродных нанотрубок с примесью азота.

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.160.2

Рубрики:

Кристалічна будова титану та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Выяснена природа спин-зависимого электронного транспорта углеродных нанотрубок с атомами Cr, адсорбированными на поверхности. Показано, что величина спин-зависимого транспорта связана с относительным сдвигом во внешнем магнитном поле энергетических уровней электронов (кулоновских щелей, возникающих в области уровня Ферми) для разных проекций спина.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.331

Рубрики:

Фонони

Шифр НБУВ: Ж23022 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основании модели сильной связи исследована электронная структура, свободная энергия и спин-зависимый транспорт графена с примесью атомов Cr, адсорбированных на поверхности. Выполнена геометрическая оптимизация кристаллической структуры графена с примесью Cr путем минимизации свободной энергии. Выяснено, что явление спин-зависимого транспорта в графене возникает в результате сильных электронных корреляций, обусловленных наличием атомов хрома. Величина спиновой поляризации электронного транспорта определяется разницей парциальных плотностей состояний электронов с противоположными проекциями спинов на уровне Ферми и разностью времен релаксации, обусловленной разным числом заполнения одноэлектронных состояний атомов углерода и хрома. Значение спиновой поляризации электрического тока возрастает с увеличением концентрации атомов Cr.

На основе модели сильной связи исследованы электронная структура, свободная энергия и спин-зависимый транспорт графена с примесью атомов Cr, адсорбированных на поверхности. Выполнена геометрическая оптимизация кристаллической структуры графена с примесью Cr путем минимизации свободной энергии. Исследовано влияние внешнего магнитного поля на перенос заряда и локализованные магнитные моменты. Выяснена природа спин-зависимого электронного транспорта графена с атомами Cr. Показано, что величина спин-зависимого транспорта связана с относительным смещением во внешнем магнитном поле энергетических уровней электронов (кулоновских щелей, возникающих в области уровня Ферми) для разных проекций спина.

На основі моделі сильного зв'язку досліджено електронну структуру графену з домішкою атомів азоту. Як базис обрано хвильові функції 2s-, 2p-станів нейтральних невзаємодійних атомів вуглецю. Під час розрахунків матричних елементів Гамільтоніана враховано перші 3 координаційні сфери. Показано, що гібридизація зон призводить до розщеплення енергетичного спектру електронів в області енергії Фермі. Встановлено, що зі збільшенням концентрації азоту електропровідність графену зменшується. Оскільки зі збільшенням концентрації азоту густина електронних станів на рівні Фермі збільшується, то зменшення електропровідності пояснюється більш різким зменшенням часу релаксації електронних станів.

На основі моделі сильного звіязку з використанням обмінно-кореляційних потенціалів у теорії функціонала густини досліджено електронну структуру та електропровідність графену з домішкою азоту. В ролі базису вибрано хвильові функції 2s-, 2р-станів нейтральних невзаємодіючих атомів вуглецю. Встановлено, що гібридизація зон призводить до розщеплення енергетичного спектра електронів в області рівня Фермі. У графені з домішкою азоту завдяки перекриттю 2р-енергетичних зон згадана вище щілина проявляється як квазіщілина, в області якої густина електронних станів має значно менше значення порівняно з іншою областю спектра. Встановлено, що зі збільшенням концентрації азоту електропровідність графену зменшується. Оскільки зі збільшенням концентрації азоту густина станів на рівні Фермі зростає, то зменшення електропровідності зумовлено більш різким зменшенням часу релаксації електронних станів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.213 + В379.222

Рубрики:

Тубулярні і цибулинні графени

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

З метою створення статистичної динамічної теорії розсіяння випромінення у багатошарових системах з різними за недосконалостями структури та складом кристалічними й аморфними шарами, як найбільш загального та головного елемента такої теорії, побудовано узагальнену теоретичну модель когерентного розсіяння в двошаровій кристалічній системі з аморфним поверхневим шаром і статистично розподіленими дефектами Кулонового типу в кожному шарі. Одержано вирази для когерентної складової відбивної здатності вказаної системи з використанням двох методів: методу підсумовування амплітуд і методу крайових умов, що уможливило встановити й описати механізм формування інтенсивності за рахунок ефектів багаторазовості розсіяння. Проведено аналіз одержаних результатів та їх адаптацію до деяких практично важливих випадків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.213 + В377.12

Рубрики:

Тубулярні і цибулинні графени

Електропровідність. Електричний опір

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ