Рассмотрены структура и физико-механические свойства поликристалллических образцов, полученных при высоких давлениях и температурах из алмазных порошков с размером частиц менее 1 мкм. Показано, что введение карбида вольфрама в исходный порошок, а также проведение вакуумной обработки порошков, которая заключалась в десорбции газов с поверхности частиц и герметизации рабочего объема способом пайки, улучшает спекание.

На базе растрового электронного микроскопа "Camebax", оптического монохроматора МСД-1 и цифровой CCD-камеры, персональной вычислительной машины создан комплекс для исследования микрокатодолюминесценции в локальных (~ 5 мкм) участках монокристаллов алмаза при температуре жидкого азота. Спектральное разрешение установки не хуже 0,6 нм, при использовании математической обработки повышается до 0,2 нм. Показано, что спектр катодолюминесценции отдельных зон роста синтетических алмазов типа Ib обладает максимумом полосы свечения в области 430 нм, т.е. совпадает с максимумом полосы природных алмазов типа Ia. По смещению линии 503,2 нм определены остаточные напряжения (максимальная величина составляет 0,5 ГПа) в локальных участках алмаза.

Исследовано влияние параметров осаждения на структурные и механические свойства аморфных гидрогенизированных углеродных пленок, осажденных из углеводородной плазмы. Методом атомной силовой микроскопии изучены наноструктурные особенности морфологии поверхности углеродных пленок при вариации условий осаждения. Установлено, что осаждение полимеро- и алмазоподобных углеродных пленок ведет к уменьшению шероховатости исходной поверхности подложки. Для осажденных графитоподобных углеродных пленок характерно появление иглоподобного профиля ростовой поверхности.

Исследовано влияние параметров осаждения на електрофизические свойства аморфных гидрогенизированных углеродных пленок. Для пленок, осажденных при минимальной мощности ВЧ-разряда, диэлектрические свойства не зависят от концентрации метана в рабочей газовой смеси. Основные электрофизические свойства таких пленок определяются их полимерной структурой. С увеличением мощности разряда величины диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь увеличиваются, что обусловлено присутствием в a-C:H-пленках значительного количества заряженных структурных единиц из 5-членных и 7-членных колец. При этом перенос заряда в материале ограничивается образованием сильно локализованных состояний - поляронов малого радиуса, и имеет прыжковый характер.

Ключ. слова:
Індекс рубрикатора НБУВ: Г582

Рубрики:

Поверхневі шари та їх властивості

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г582

Рубрики:

Поверхневі шари та їх властивості

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К630.099-56 + К722.536.019.92

Рубрики:

Різання металів інструментами із твердих сплавів, метало- та мінералокерамічних матеріалів

Виготовлення металорізальних інструментів з метало- і мінералокераміки

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К391.91-1

Рубрики:

Виробництво композитних металокерамічних матеріалів і виробів

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены методические особенности измерения удельного электрического сопротивления композиционного материала, созданного на основе кубического нитрида бора cBN, с использованием зонда растрового электронного микроскопа. Исследовано изменение интегрального удельного сопротивления режущей двухслойной пластины при переходе от подложки из твердого сплава ВК6 к композиционному слою, содержащему фазы cBN, TiN, AlN, а также в локальных участках композита. Равномерное распределение удельного электрического сопротивления по поверхности композита свидетельствует об однородности материала и может быть использовано при тестировании качества структуры режущего слоя.

Разработана технология программированного спекания полимерных композитов на основе сверхтвердых материалов (СТМ) и абразивных материалов в режиме управляемых параметров температура - давление - время, проведена оптимизация функциональных характеристик инструментального продукта и достигнута конкурентоспособность шлифовального инструмента из СТМ за счет снижения влияния ресурсных и технологических факторов на процесс производства. Оптимизированы функциональные характеристики многокомпонентных полимерных композитов и предложен новый инструментальный композит на основе системы полимер - металл - наполнитель.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619-1

Рубрики:

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г57

Рубрики:

Електрохімія

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние структуры в локальных участках режущей двухслойной пластины состава BK6 - (cBN, TiN, AlN) на микротвердость. Установлено, что средняя величина микротвердости композита (cBN, TiN, AlN) соответствует 29 ГПа. Дисперсия микротвердости не превышает 10 %, что свидетельствует о достаточной однородности механических характеристик композита. Наличие кобальта (~ 8 %) на расстоянии до 60 мкм от границы с BK-подложкой вызывает уменьшение микротвердости зоны до 23 ГПа, способствует плавному изменению механических характеристик по толщине двухслойной пластины и позволяет получить стабильные характеристики инструмента, изготовленного из данного материала.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л43-1

Рубрики:

Скло і скловироби

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены методики отбора синтетических полупроводниковых алмазных монокристаллов для острия сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ), технология изготовления нанозондов, а также результаты их комбинированного применения при сканировании и индентировании поверхности. Показано, что обеспечение стабильности формы электропроводящего острия СЗМ возможно за счет использования нанозонда из полупроводникового алмаза. С учетом технологических условий обработки алмаза и изготовления нанозондов выполнен отбор исходных полупроводниковых алмазов октаэдрического габитуса. Разработана технология изготовления полупроводниковых алмазных нанозондов с острием в виде пирамиды Берковича. На основании анализа общей зависимости туннельного тока как функции параметров сканирования, а также материалов острия и образца определены оптимальные режимы параметров сканирования поверхности полупроводниковым нанозондом. Приведены результаты экспериментальных исследований тестовых образцов золота по индентированию и сканированию поверхности на наномасштабном уровне.

Изложены и обобщены основные результаты исследования диффузионных процессов в силикатных многокомпонентных системах, которые широко используются в качестве связующих для композиционных материалов различного функционального назначения. Показано, что эффективные коэффициенты диффузии щелочного и щелочноземельного катионов в диффузионной паре не являются однозначной функцией ионного радиуса катиона, а зависят от структурных факторов и энергии связи с другими ионами расплава.

Представлены результаты измерений капиллярных сил на различных алмазоподобных материалах и аллотропных модификациях углерода, полученные с помощью сканирующего силового микроскопа. Амплитудно-частотные характеристики нанорельефа исследуемых поверхностей варьировали в широком диапазоне плазмохимическими обработками. Измерения капиллярных сил сопоставлены с макроскопическими значениями угла смачивания. Показано, что макроскопический угол смачивания зависит только от усредненной поверхностной энергии и слабо зависит от характеристик нанорельефа, а нанокапиллярные силы коррелируют как с параметрами рельефа поверхности, так и с локальным углом смачивания. Обсуждены критерии многоменискового режима измерения капиллярных сил в силовой спектроскопии поверхности и перспективы применения данной методики для энергетического картирования реальной поверхности.

Рассказано о проведенных ООО "Карл Цейсс" и ИСМ им. В. Н. Бакуля в 2006 г. совместных научно-практических семинарах, посвященных современному оборудованию фирмы "Карл Цейсс" для изучения структуры материалов и конкретному его применению при решении задач материаловедения.