Рассмотрены вопросы получения кристаллов галогенидов щелочных металлов, в частности, сцинтилляторов на основе йодидов натрия и цезия. Описаны общие принципы управления процессами роста кристаллов из расплава, особенности диаграмм состояния смешанных систем и их поведения в инвариантных точках (эвтектической и пиретектической), принцип конечных изменений равновесных гетерогенных систем. Освещена роль физико-химических и препаративных факторов при росте кристаллов, классификация и особенности поведения неконсервативных систем при росте кристаллов. Проанализированы общие закономерности методов выращивания кристаллов из расплава, их интенсификации и применяемости к выращиванию крупногабаритных кристаллов. Раскрыта специфика выращивания кристаллов йодидов щелочных металлов, являющихся лучшими и наиболее распространенными сцинтилляторами.