Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 в641 + В379.271.2 в641

Рубрики:

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розвинено теорію стаціонарного спектра та хвильових функцій електрона в плоскій багатошаровій резонансно-тунельній структурі (РТС) в постійному електричному полі як моделі активної зони квантового каскадного лазера. Для цієї ж наноструктури в моделі діелектричного континууму розвинено теорію спектра обмежених оптичних фононів. Із використанням знайдених хвильових функцій електрона та потенціалів поляризації фононів розвинено теорію взаємодії електронів з обмеженими фононами у багатошаровій наноструктурі. Одержано гамільтоніан електрон-фононної взаємодії у представленні вторинного квантування. Для експериментально створеної РТС виконано розрахунок електронного та фононного спектрів, а також потенціалу поляризації обмежених фононів. Виконано розрахунки парціальних зсувів для перенормованого взаємодією з обмеженими фононами електронного спектра. Результати розрахунків електронного спектра добре корелюють з експериментом.

Мета дослідження - вивчення електронного транспорту крізь резонансно-тунельні структури як базові елементи квантових каскадних детекторів у моделях закритого та відкритого каскаду. Вперше побудовано послідовну квантово-механічну теорію електрон-фононної взаємодії. Досліджено та проаналізовано її вплив на перенормування спектральних характеристик (резонансної енергії та ширини) електрона у наноструктурі. Показано, що через слабкість електрон-фононного зв'язку зі зміною температури системи фонони мало змінюють енергії електронних станів, а тому і їх внесок у формування смуги поглинання електромагнітного поля, що виникає у квантовому переході, малий. Встановлено, що довгохвильове зміщення та розширення смуги поглинання з підвищенням температури загалом зумовлене зменшенням висоти потенціальних бар'єрів трьохямної резонансно-тунельної структури, яке спричинене різною величиною температурної зміни ширини заборонених зон ям і бар'єрів наносистеми.