Досліджено процеси одержання та визначення електричних та оптичних характеристик масивів наноострівців Ge у Si (штучних "атомів") з дискретним енергетичним спектром, що виявляється аж до кімнатної температури. Стисло проаналізовано сучасний стан представлень про механізми початкової стадії самоформування й упорядкування ансамблів нанокластерів в разі гетероепітаксії Ge на Si. Основними факторами, що визначають спектр станів, служать розмірне квантування та кулонівська взаємодія носіїв. Показано, що новим фактором, що виникає в масиві квантових точок (КТ) і відрізняє його від ситуації одиночної КТ, є кулонівські кореляції між острівцями. Визначено швидкості випущення, перетину захоплення дірок залежно від глибини залягання енергетичних рівнів. Величини перетинів на кілька порядків перевищують відомі значення в Si. Електронний транспорт уздовж шарів КТ здійснюється за допомогою стрибкової провідності, величина якої осцилює у випадку зміни ступеня заповнення острівців дірками, що може лягти в основу створення електронних ланцюгів передачі інформації на КТ. Показано можливість створення фотодетектора з Ge квантовими точками, що перебудовується під ближній і середній ІЧ діапазон.