Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Джангидзе Л$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2

      
Категорія:    
1.

Беришвили З. В. 
Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов / З. В. Беришвили, Л. В. Джангидзе, Г. А. Схиладзе, Р. Г. Мелкадзе, Т. М. Лежнева, Г. Г. Перадзе // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 4. - С. 43-45. - Библиогр.: 8 назв. - рус.

Указано, что при изготовлении гибридных пиксельных детекторов ионизирующего излучения соединение сенсорной матрицы со считывающим устройством осуществляется с помощью столбиковых выводов по флип-чип-технологии. Разработан и исследован процесс формирования столбиковых выводов из Pb/Sn и In на сенсорных GaAs-матрицах. В качестве подстолбиковой металлизации предложена система TiW/Ag, осаждаемая методом магнетронного распыления. Приведены технологические режимы, последовательность операций и параметры полученных столбиков.

In fabrication of hybrid pixel detectors of ionizing radiation a sensor matrix is connected to a readout device by means of bumps using the flip-chip technology. The present work deals with research and development of processes of Pb/Sn and In bump formation on sensor GaAs matrices designed for X-ray radiation detectors. The TiW/Ag system deposited by magnetron sputtering is proposed as under-bump metallization. Technological regimes, sequence of operations and parameters of the obtained bumps are given.


Ключ. слова: гибридный детектор, флип-чип-технология, столбиковый вывод, арсенид галлия.
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Джангидзе Л. Б. 
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором / Л. Б. Джангидзе, А. Н. Тавхелидзе, Ю. М. Благидзе, З. И. Талиашвили // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 2. - С. 37-42. - Библиогр.: 18 назв. - рус.


Ключ. слова: электрохимическое осаждение Cu, конформные поверхности, электронное туннелирование, термотуннелирование.
Індекс рубрикатора НБУВ: З392.5

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 


 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського