Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Джангидзе Л$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| | | | |
1. |
Беришвили З. В. Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов / З. В. Беришвили, Л. В. Джангидзе, Г. А. Схиладзе, Р. Г. Мелкадзе, Т. М. Лежнева, Г. Г. Перадзе // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 4. - С. 43-45. - Библиогр.: 8 назв. - рус.Указано, что при изготовлении гибридных пиксельных детекторов ионизирующего излучения соединение сенсорной матрицы со считывающим устройством осуществляется с помощью столбиковых выводов по флип-чип-технологии. Разработан и исследован процесс формирования столбиковых выводов из Pb/Sn и In на сенсорных GaAs-матрицах. В качестве подстолбиковой металлизации предложена система TiW/Ag, осаждаемая методом магнетронного распыления. Приведены технологические режимы, последовательность операций и параметры полученных столбиков. In fabrication of hybrid pixel detectors of ionizing radiation a sensor matrix is connected to a readout device by means of bumps using the flip-chip technology. The present work deals with research and development of processes of Pb/Sn and In bump formation on sensor GaAs matrices designed for X-ray radiation detectors. The TiW/Ag system deposited by magnetron sputtering is proposed as under-bump metallization. Technological regimes, sequence of operations and parameters of the obtained bumps are given. Ключ. слова: гибридный детектор, флип-чип-технология, столбиковый вывод, арсенид галлия. Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Джангидзе Л. Б. Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором / Л. Б. Джангидзе, А. Н. Тавхелидзе, Ю. М. Благидзе, З. И. Талиашвили // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 2. - С. 37-42. - Библиогр.: 18 назв. - рус. Ключ. слова: электрохимическое осаждение Cu, конформные поверхности, электронное туннелирование, термотуннелирование. Індекс рубрикатора НБУВ: З392.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|