Отмечено, что в аморфных полупроводниках при повышении температуры спектры поглощения испытывают параллельный сдвиг в сторону малых энергий (температурный эффект). Для объяснения этого явления с помощью формулы Кубо - Гринвуда по методу Дэвиса - Мотта определены новые соотношения для коэффициента поглощения, в которых только один параметр - ширина щели подвижности - зависит от температуры. Показано, что эти формулы вполне могут объяснить температурный эффект в аморфных полупроводниках, наблюдаемый в эксперименте.

Отмечено, что существует много экспериментальных результатов, указывающих на связь между параметром (энергией) Урбаха и уровнем Ферми, но до настоящего времени в литературе не имеется аналитического выражения, определяющего эти зависимости. Получены новые формулы, определяющие взаимоотношение между энергией Урбаха и уровнем Ферми для псевдолегированных аморфных полупроводников, у которых плотности электронных состояний, находящихся в хвостах разрешенных зон, имеют экспоненциальную зависимость от энергии. Показано, что результаты, полученные по этим формулам, вполне могут объяснить экспериментальные данные.