1. |
Искендер-заде 3. А. Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / 3. А. Искендер-заде, Ф. Д. Касимов, С. А. Исмайлова // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2002. - № 4-5. - С. 40-42. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|