Скачати повний текст

Ключ. слова: лавинно-пролетный диод, импульсная ВАХ, надежность
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.226

Рубрики:

Кадмієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Систематизированы имеющиеся в различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4H, 6H, 3C, 15R, 21R.

Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. Проведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів розроблено рекомендації щодо оптимальних контактотвірних шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4H, 6H, 3C, 15R, 21R.

The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au - Ti - Pd - n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100 - 360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9 - 2)•10{\up\fs8 –5} Ом•см{\up\fs8 2}. При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100 - 200 К преобладает полевой механизм токопереноса, а в диапазоне 200 - 360 К - термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ.

Досліджено питомий опір омічного контакту Au - Ti - Pd - n-Si та механізм струмопротікання в інтервалі температур 100 - 360 К. Запропоновано спосіб зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу статистичних залежностей виміряних величин. Виміряні значення питомого контактного опору знаходяться в діапазоні (0,9 - 2)•10{\up\fs8 –5} Ом•см{\up\fs8 2}. На основі температурної залежності питомого контактного опору встановлено, що в омічному контакті з висотою бар'єра 0,22 еВ у температурному діапазоні 100 - 200 К переважає польовий механізм струмопротікання, а в діапазоні 200 - 360 К - термопольовий з енергією активації 0,08 еВ.

Both contact resistivity of Au - Ti - Pd - n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 - 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9 -2)•10{\up\fs8 –5} Ω•cm{\up\fs8 2}). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100 - 200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200 - 360 K temperature range.

Исследована связь между антидиффузионными свойствами пленок на основе TiB2 и их нанокристаллической структурой, определены оптимальные размеры нанокристаллитов и условия образования нанокристаллической пленки. Показано, что применение таких пленок в качестве антидиффузионных слоев в контактах к широкозонным полупроводникам позволяет повысить термостойкость приборов на их основе.

Досліджено зв'язок між антидифузійними властивостями плівок TiB2 та їх нанокристалічноюструктурою, визначено оптимальний розмір нанокристалітів та умови утворення нанокристалічної плівки. Показано, що застосування таких плівок як антидифузійних шарів у контактах до широкозонних напівпровідників дозволяє підвищити термостійкість приладів на їх основі.

The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations (formed due to stresses that appear in the course of ohmic contact formation) rather than chemical interaction. In that case, increase of mechanical strength of the TiB2 film at reduction of grain size will affect its diffusion strength more strongly than growth of diffusion penetrability owing to increase of grain boundary role. Our investigations showed that, to ensure maximal mechanical strength and heat stability, the size of nanocrystallites in filmsforming diffusion barriers has to lie within 3-15 nm. The TiB2 films with optimal nanocrystallite parameters can be obtained using magnetron sputtering with discharge current of 0,4 A and oxygen content in a target up to 8 at.%. Application of TiB2-basednanocrystal films as antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors makes it possible to raise heat stability of devices based on such semiconductors.

Систематизовано результати дослідження питомого опору омічних контактів до фосфіду індію. Розглянуто методи формування, матеріали омічних контактів, міжфазні взаємодії у процесі термічного відпалу та вказано оптимальну температуру відпалу для кожного з розглянутих типів металізації. На основі проведеного аналізу надано рекомендації щодо оптимізації шарових структур омічного контакту залежно від області його використання і необхідних параметрів.