Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Курищук С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
      
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка   
1.

Курищук С. І. 
Вплив товщини плівки графіту на електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів типу діодів Шотткі графіт/n-Si / С. І. Курищук, А. І. Мостовий, І. П. Козярський, М. М. Солован // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2022. - 19, № 3. - С. 30-37. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Наноструктуровані вуглецеві матеріали для приладів багатофункціональної оптоелектроніки : [монографія] / М. М. Солован, А. І. Мостовий, С. І. Курищук, Г. П. Пархоменко, В. В. Брус; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. - Чернівці : Чернівец. нац. ун-т ім. Юрія Федьковича : Рута, 2023. - 215 c. - Бібліогр.: с. 199-215 - укp.

Розглянуто фізичні властивості тонких плівок графіту та шарів графену. Досліджено електричні, фотоелектричні та ємнісні властивості гетеропереходів на основі отриманих плівок з метою визначення домінуючих механізмів струмопереносу при прямому і зворотному зміщеннях. Проаналізовано фізичних властивостей вуглецевих матеріалів (наноструктурованих графітових плівок та графену) і новітніх електронних, приладів на їх основі. Детально вивчено фізичні властивості плівок графіту, виготовлених методом "олівець-на-напівпровіднику" та методом електронно-променевого випаровування. Досліджено багато гетеропереходів типу діодів Шотткі на основі плівок графіту та монокристалів Si, СdТе, СdZnТе, ІnР та SiС. Описано методику вирощування графену великої площі методом хімічного осадження з парової фази, з’ясовано його властивості й показано можливості його застосування в оптоелекгронних приладах.


Індекс рубрикатора НБУВ: З861-03 + Л424.52

Рубрики:
 Оптоелектроніка 
 Електровугільні та графітові вироби 

Шифр НБУВ: ВА862772 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського